Лабы ОСЭЛ. Физические основы электроники

• Название: Физические основы электроники
• Анкор: Лабы ОСЭЛ.doc
• Дата: 03.02.2018
• Размер: 1.58 Mb.
• Имя файла: Лабы ОСЭЛ.doc
• Тип: Документы; #15161
• страница: 6 из 8

3.3. Контрольные вопросы

1. Как устроен биполярный транзистор, какие существуют схемы его включения в электрическую цепь?

2. Как происходит в транзисторе процесс усиления мощности электрических колебаний?

3. Почему толщина базы транзистора на должна превышать определенного значения? Какого?

4. Почему схема включения транзистора с ОЭ является наиболее распространенной?

5. Обосновать теоретически формы характеристик транзистора?

6. Как определить физический смысл h-параметров транзистора?

4. ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА С УПРАВЛЯЮЩИМ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫМ ПЕРЕХОДОМ

Цель работы: экспериментальное получение передаточной и выходной статических характеристик и основных параметров полевого транзистора в схеме с общим истоком.

4.1. Основные теоретические положения

Полевым транзистором называется полупроводниковый прибор, у которого управление потоком основных носителей заряда в проводящем канале осуществляется с помощью электрического поля, перпендикулярного этому потоку. Рабочий электрический ток в канале полевого транзистора обусловлен носителями заряда только одного типа (электронами или дырками), поэтому такие транзисторы называют также униполярными (в отличие от биполярного).

Структура полевого транзистора с управляющим электронно-дырочным переходом и каналом n–типа приведена на рис. 4.1, а, а схема его включения с общим истоком в электрическую цепь – на рис. 4.1, б.

Полевой транзистор на рис. 4.1, а представляет собой кристалл полупроводника n–типа, с противоположных сторон которого выполнены две области p–типа с образованием двух электронно-дырочных переходов шириной . Между этими p–n переходами находится канал полевого транзистора. Область канала выполнена слаболегированной по отношению к областям p–типа, поэтому запирающие слои p–n переходов располагаются в основном в области канала.



Рис. 4.1. Полевой транзистор и схема его включения с общим истоком
Электрод, предназначенный для введения в канал основных носителей заряда от внешнего источника, называется истоком, а электрод, выводящий их из канала – стоком. Затвором называется электрод полевого транзистора, предназначенный для создания в канале управляющего электрического поля.

При подключении к затвору отрицательного по отношению к каналу напряжения электронно-дырочные переходы оказываются включёнными в обратном направлении. При регулировании этого обратного напряжения изменяется ширина запирающего слоя  электронно-дырочных переходов и, соответственно, ширина канала _К (рис. 4.1, а). Поскольку сопротивление канала зависит от его ширины _К, то оно меняется соответственно напряжению затвора и тем самым регулируется ток основных носителей заряда в канале (ток стока I_C на рис. 4.1, б).

Поскольку к стоку подключён положительный полюс источника , то обратное напряжение (разность потенциалов) электронно-дырочного перехода со стороны стока больше по модулю, чем со стороны истока. Поэтому запирающий слой шире со стороны стока (рис. 4.1, а), а канал имеет меньше сечения.

В схеме с общим истоком (рис. 4.1, б) выходным является напряжение затвор-исток U_ЗИ. Его полярность должна обеспечивать обратное включение управляющего электронно-дырочного перехода. При этом ток затвора (входной ток) очень мал, так как является обратным током электронно-дырочного перехода и его трудно измерить. Поэтому входные характеристики полевых транзисторов экспериментально не определяют.

Передаточной характеристикой полевого транзистора в схеме с общим истоком является зависимость выходного тока стока I_C от входного напряжения U_ЗИ, а выходной характеристикой является зависимость выходного тока I_C от выходного напряжения сток-исток U_СИ.

Семейство передаточных характеристик I_C (U_ЗИ) при U_СИ =const изображена на рис. 4.2, а. Каждая из этих характеристик практически линейна, за исключением небольшого участка вблизи напряжения отсечки U_ЗИОТС, которому соответствует режим смыкания канала _К = 0 (смыкание точек А на рис. 4.1, а за счёт увеличения ширины запирающего слоя ). При дальнейшем увеличении модуля напряжения U_ЗИ ток стока в основном определяется неосновными носителями заряда и становится очень мал.

Семейство выходных характеристик транзистора показано на рис. 4.2, б. Каждая из этих характеристик имеет линейный начальный участок, показывающий пропорциональное увеличение тока I_C от напряжения U_СИ. При достижении напряжения насыщения U_СИНАС (рис. 4.2, б) канал смыкается в точках А (рис. 4.1, а) даже при неизменном напряжении U_ЗИ. Дальнейшее увеличение напряжения U_СИ приводит к увеличению сомкнутого участка канала от точек А до точек Б, сопротивление канала увеличивается соответственно напряжению U_СИ и ток I_C почти не растёт, образуя пологие участки выходных характеристик (рис. 4.2, б).

Рис. 4.2. Передаточные и выходные характеристики
Основными параметрами полевого транзистора являются:

- крутизна передаточной характеристики
при U_СИ =const, мА / В;
- дифференциальное входное сопротивление
при U_ЗИ =const, кОм;
- коэффициент усиления по напряжению
.
Эти параметры определяются по статическим характеристикам на рабочих участках (рис. 4.2).