Ашкрофт Н., Мермин Н. - Физика твердого тела. Том 1. Физика твердого тела
 Скачать 7.08 Mb.
|
|
См. также Модуль всестороннего сжатия Теория ферми-жидкости I 344—350 квазичастицы I 348—350 краткий обзор I 350 f-функция I 349, 350 электрон-электронное рассеяние I 345—348 Тепловое расширение II 117—123 и зависимость частот нормальных колебаний от объема II 118, 119 и запрещенная зона в полупроводниках II 189 и параметр Грюнайзена II 120—123 коэффициент теплового расширения II 119, 122, 123 металлов II 122, 123 температурная зависимость II 121, 122 См. также Параметр Грюнайзена Теплоемкость магнитная особенность в критической точке II 315, 316 сравнение с решеточной теплоемкостью II 285 Теплоемкость решеточная II 46, 47, 54—58, 81-91 вид при высоких температурах II 82, 83, 95 — при низких температурах II 79, 83—85 в случае d измерений II 95, 96 для нелинейного (при малых и) закона дисперсии II 96 модель Дебая II 85—89 модель Эйнштейна II 89—91 — — сравнение с моделью Дебая II 89—91 недостаточность классической теории II 57, 58 общий вид в гармоническом приближении II 81 при постоянном объеме и при постоянном давлении II 56 (с), 119 сравнение с магнитной теплоемкостью II 285 сравнение с электронной теплоемкостью II 91, 155 Теплоемкость электронная в сверхпроводниках II 348, 349 — — низкотемпературная II 360, 361 — — при сверхпроводящем переходе II 360, 361 — — связь с критическим полем II 368 и плотность уровней I 61 кубический член I 68, 72, II 155 линейный член I 60—63, 72 — — фононная поправка II 147 (с) несостоятельность классической теории I 39 при постоянном объеме и при постоянной давлении I 62 (с) сравнение с решеточной II 91, 155 теория в приближении свободных электронов I 56, 59—63 Теплопроводность диэлектриков II 123—133 бесконечная в гармоническом приближении II 124 бесконечная в отсутствие процессов переброса II 131 и колебания решетки II 48 и процессы переброса II 129—133 предел Казимира II 133 (с) при высоких температурах II 128, 129 при низких температурах II 129—133 сравнение с теплопроводностью металлов I 35, II 124 (с) Теплопроводность металлов I 36, 45—40 в модели Зоммерфельда I 66 в полуклассической модели I 254—257 в сверхпроводниках II 344, 345 сравнение с теплопроводностью диэлектриков I 35, II 124 формула Друде I 38 См. также Закон Видемана — Франца Термодинамический потенциал Гиббса I 373 — — — для сверхпроводника II 368 Термодинамическое (тепловое) равновесие и столкновения I 22, 246 — — — локальное I 22, 246 Термомагнитные эффекты I 259 (с), 261 Термоэлектрические эффекты I 39—41, 66, 257—260, 262 — — в сверхпроводниках I 257, II 344, 345, 365 (с) Термоэлектрическое поле I 39 Термоэлектродвижущая сила (термо-э. д. с.) дифференциальная I 40, 257—259 в полуклассической модели I 257—259 в сверхпроводниках I 257, II 344, 345, 365 (с) в теории свободных электронов I 66 и колебания решетки I 259 и эффект Пельтье I 259, 260 и эффект Томсона I 262 недостаточность классической теории I 40 Термоэлектронная эмиссия I 362—364 Тетрагональная кристаллическая система I 123, 124, 135 Типы носителей I 221, 222 Типы решеток Бравэ базоцентрированная ромбическая I 125 гранецентрированная кубическая I 81, 82 гранецентрированная ромбическая I 125 объемноцентрированная кубическая I 79—81 объемноцентрированная ромбическая I 125 простая гексагональная I 88, 126 простая кубическая I 78 простая моноклинная I 125 простая ромбическая I 125 простая тетрагональная I 123, 124 ромбоэдрическая (тригональная) I 126 триклинная I 126 центрированная моноклинная I 126 центрированная тетрагональная I 124 Ток генерации II 219 — — формулы II 225—230. См. также p — n-переход Ток насыщения в p— n-переходе II 219—225 — — при термоэлектронной эмиссии I 363 Ток рекомбинации II 219 — — связь с током генерации II 219. См. также p — n-переход Точечные группы см. Кристаллографические точечные группы Точечные дефекты II 234. См. также Дефекты в кристаллах Трехвалентные металлы I 300—304 Тригональная кристаллическая система I 126, 135 связь с гексагональной системой I 133 (с) — с кубической системой I 126 Тригональная решетка Бравэ см. Ромбоэдрическая решетка Бравэ Триклинная кристаллическая система I 126 Триклинная решетка Бравэ I 126 Триплетное спаривание в жидком Не 8 II 356 (с) Триплетные состояния II 289 Трубка Ландау I 273, 274 Туннелирование из нормального металла в сверхпроводник II 349 — — — — и энергетическая щель II 349 между сверхпроводниками нормальное II 366 эффекты Джозефеона II 365—368 электрона в решетке I 190 Увлечение фононов II 153, 154 Угловой момент, способ обозначения II 262 Угол Холла I 31 — — в веществах с открытыми орбитами I 241 Упаковочный множитель I 94 Упругое рассеяние и закон Видемана —Франца II 322, 323 Уравнение Больцмана I 318—328 вариационный принцип I 327, 328 и законы сохранения I 327 обоснование приближения времени релаксации для изотропного упругого рассеяния на примесях I 324—326 решение в приближении времени релаксации I 319, 320 См. также Приближение времени релаксации Уравнение Лондонов II 351—353 для пластины II 368 и теория Гинзбурга — Ландау II 363 Уравнение Ричардсона — Дашмена I 363 Уравнение состояния диэлектриков II 117— 122 — — — и зависимость частоты нормальных колебаний от объема II 117— 121 Уравнения Максвелла в свободном пространстве I 32 — — макроскопические в электростатическом случае II 157—162 Уравнения Хартри I 330 — — вывод из вариационного принципа II 331-351. См. также Периодический потенциал Уравнения Хартри — Фока I 343, 344 для свободных электронов I 333—337 и волны зарядовой плотности II 299 и восприимчивость Паули II 285 и «глубина зоны» в приближении свободных электронов I 335 и магнетизм свободных электронов I 334, 335 и теплоемкость I 336 и эффективная масса I 352 одноэлектронные уровни I 349, 350 приближение, использующее одноэлектронный потенциал I 336 Уровень Ферми в полупроводниках II 195 (с). См. также Химический потенциал Уровни Ландау для свободных электронов II 270, 271 Условие дифракции рентгеновских лучей формулировка Брэгга I 105, 106 — Лауэ I 106—108 — — и обратная решетка I 107 — — эквивалентность формулировке Брэгга I 108, 109 Условная элементарная ячейка I 84, 85 — — — для гранецентрированной и объемноцентрированной решеток Бравэ I 87 «Усы» II 254 Фазовое пространство I 225 Фазовый сдвиг I 154 Фактор Дебая — Валлера II 114, 384 g-фактор Ланде II 270, 388 — электронный I 275, II 262 Ферми-газ см. Приближение свободных электронов Фермиевское (контактное, сверхтонкое) взаимодействие II 281 Ферримагнетизм II 310, 311 восприимчивость II 326 (с) критическая температура (температура Кюри) II 311, 314 отличие от ферромагнетизма II 310, 311, 326 (с) теория молекулярного поля II 338 Ферромагнетизм II 286, 309—311 восприимчивость II 315, 325, 326, 332, 333 в газе свободных электронов Л 297—299 в зонных теориях II 299 (с) в модели Гейзенберга II 316—323 гистерезис II 335 домены II 333—336 и дипольное взаимодействие II 288, 333— 337 коэрцитивная сила II 335, 336 критическая температура (температура Кюри) II 286 (с), 311, 314 критические показатели степени II 316 (с) направления легкого и трудного намагничивания II 335 (с) отличие от ферримагнетизма II 310, 311, 326 (с) процесс намагничивания II 335, 336 спиновые волны II 318—323 спонтанная намагниченность при низких температурах II 320—322 теория молекулярного поля II 329—332 энергия анизотропии I 335, 336 См. также Магнитное взаимодействие; Магнитное упорядочение; Спонтанная намагниченность Флуктуационно-дипольные (вандерваальсовские) силы II 21, 22 в ионных кристаллах II 33 и потенциал Ленварда-Джонса II 28, 29 происхождение II 24, 25 Флюксон II 364 Фононы акустические II 64, 66, 70 взаимодействие с электронами II 145—154 в ионных кристаллах II 157, 170—173 в металлах II 138—156 волновые пакеты II 124 второй звук II 133—135 времена жизни II 104 дебаевская модель спектра II 85—89, 92, 93 и восприимчивость Паули II 280 (с) и диэлектрическая проницаемость металлов II 141—144 и запрещенная зона в полупроводниках II 189 и концентрация вакансий II 235, 236, 256 и межзонные переходы I 294 и оптические свойства полупроводников II 189, 190 и плотность тепловой энергии II 81 и рассеяние нейтронов II 104 (с) и сверхпроводимость II 353, 354 и тепловое расширение II 117—122 и теплоемкость II 81—91 и теплопроводность II 123—133 и ширина линий центров окраски II 242 и электросопротивление II 149—154 и эффективная масса электрона II 145—147, 155, 156 как квантованные нормальные моды II 80 квазиимпульс II 99, 100, 375—380 квантовомеханическое описание II 371—374 краткий обзор основных физических эффектов II 46—49 нормальные процессы II 129 операторы рождения и уничтожения — — — — для решетки Бравэ II 372 — — — — для решетки с базисом II 373 определение спектра с помощью рассеяния нейтронов II 98—104, 383, 384 — — — — — рентгеновских лучей II 385, 386 — — — — - света II 108—111 оптические II 64, 65, 70—80 особенности ван Хова II 92, 93 особенности Кона II 14 плотность уровней II 92—94 поляризация II 68—71 процессы бесфононные II 100, 384 — 1-фононные II 101, 102 — 2-фононные II 103, 104 — n-фононные II 387 процессы переброса II 129—133 рождение, уничтожение и рассеяние II 125, 126 смещения и импульсы ионов, выраженные через операторы рождения и уничтожения II 372, 373 сравнение с классическим газом II 128 (с), 131 (с), 134, 135 сравнение с фотонами II 80, 94, 95 среднее число в термодинамическом равновесии II 81 столкновения II 126 числа заполнения II 99 (с) эйнштейновская модель спектра II 89—91, 93 энергия, сравнение с энергией рентгеновских лучей II 108 См. также Ангармонические члены; Гармоническое приближение; Колебания решетки; Модель Дебая; Поляризация; Процессы переброса; Электрон-фононное взаимодействие Формула Лоренца — Лоренца II 166 (с) Форм-фактор атомный I 116, 117 Фотоны соотношение между энергией и импульсом II 97, 98 сравнение нейтронами II 98 — с фононами II 80, 94, 95 Фотопроводимость 1,11 186 Фотоэлектрический эффект и измерение работы выхода I 362 и поверхности твердых тел I 354 и приближение независимых электронов I 345 (с) Функции Ванье I 192, 193 область применения I 193 соотношения ортогональности I 194 Функция Бриллюэна 41 271 Функция Ланжевена II 183 Функция распределения Бозе—Эйнштейна II 82 Максвелла — Больцмана I 43 — 45 неравновесная электронов I 245 — —вычисление в приближении времени релаксации I 247 — 251 — —линеаризация I 250 равновесная электронов I 43—46 скорость изменения за счет столкновений I 317, 318 — — — — в приближении 'времени релаксации I 317, 318 Ферми—Дирака I 43, 45, 54—56 фононов II 81 См. также: Приближение времени релаксации; Распределение Ферми — Дирака; Уравнение Больцмана Функция Ферми I 56. См.. также Распределение Ферми — Дирака f-функция I 349 Фурье-образ кулоновского взаимодействия I 333, 351, 352 формулы обращения I 376—378 экранированного кулоновского взаимодействия I 341 3351, 352 Химический потенциал в собственных полупроводниках II 197, 198 и энергия Ферми I 56, 60, II 195 (с) квазихимический потенциал II 232 локальный I 246 (с) — в переменном электрическом поле I 261 температурная зависимость в металлах II 232 термодинамическое рассмотрение I 373 электронного газа при нулевой температуре I 56 электрохимический потенциал I 258 (с), II 213—215 Химический сдвиг II 281 Центрированная моноклинная решетка Бравэ I 125 Центрированная тетрагональная решетка Бравэ I 123, 124 Центры окраски II 239—243 F-центр II 241 — простая модель II 257, 258 F A -центр II ;243 H-центр II 241 M-центр II 241 R-центр II 241 V K -центр II 242 ширина линии оптического поглощения II 242 Циклотронная масса I 236, 243 в металлах I 278 в полупроводниках II 193 См. также Эффективная масса Циклотронная частота I 31 в полупроводниках II 193 численные формулы I 31, 372 Циклотронный резонанс в металлах I 278—280 в полупроводниках I 278 (с), II 193, 194 Четырехвалентные металлы I 304 Число Авогадро I 19, 63 Число Лоренца I 35, 36 — — теоретическое значение I 66 См. также Закон Видемана — Франца Ширина зоны в методе сильной связи I 187 в одномерном случав I 155 для свободных электронов в приближении Хартри — Фока I 335 сравнение s- и d-зон I 306 Щелочно-галоидные соединения II 12—17 дебаевская температура II 86 дефекты II 237, 238 диамагнитная восприимчивость II 264 диэлектрическая проницаемость II 176 зонная структура II 14 ионные радиусы II 15—17 когезионная энергия II 33, 34, 36 модуль всестороннего сжатия II 38 оптические моды II 170—174 параметры Грюнайзена I 122 поляризуемость II 168 постоянные решетки I 92, 93 проводимость II 238 распределение плотности заряда II 13 расстояние между ближайшими соседями II 38 центры окраски II 239—242 частоты оптических фононов II 176 Щелочноземельные металлы I 299 Щелочные металлы атомные 280 параметры, отвечающие модели свободных электронов I 51 плотность и размер иона I 42—44 постоянные решетки I 82 конфигурации I 283 зонная структура и поверхность Ферми I 284—287 когезия II 40—44 концентрация электронов проводимости в модели свободных электронов I 20 коэффициенты Холла I 30, 287 модуль всестороннего сжатия I 53 оптические свойства I 33, 293—295 парамагнетизм Паули II потенциалы ионизации II 73 прозрачность в ультрафиолетовой области I 33 сопротивление I 24 теплоемкость I 62 теплопроводность I 36 Экранирование I 337—344, II 142—145 в p — n-переходе II 231 в приближении Хартри — Фока I 343, 344, II 145—147 ион-ионного взаимодействия II 139 и ферромагнетизм электронного газа II 299 Линдхарда I 342, 343 переэкранировка II 146 — и сверхпроводимость II 353, 354 Томаса — Ферми I 340—342 экранированный кулоновский потенциал I 341 — — — осцилляции I 343 Экситоны II 244—247 Ваннье — Мотта II 247 Френкеля II 244 Экстремальные орбиты в циклотронном резонансе I 279 в эффекте де Гааза — ван Альфена I 267—270, 273 и магнетоакустнческий эффект I 277 и плотность уровней I 273 и эффект Гантмахера I 280, 281 Электрическая индукция II 158, 165 Электрический пробой см. Пробой электрический Электрическое поле локальное II 163—166 Электрон блоховский см. блоховские электроны Электрон-ионное взаимодействие (статическое) в модели Друде I 19, 20 и отрицательные энергии Ферми I 356 (с) См. также Периодический потенциал Электронная плотность I 19 в ионных кристаллах II 13 в ковалентных кристаллах II 8 в металлах I 20 и классификация твердых тел II 5—11 Электрон-нейтронное взаимодействие (магнитное) II 98 (с) Электронное сродство II 13 (с) Электронные уровни атомов, размывшиеся в зоны I 187 Электронный газ I 17—22, 315 (с). См. также Приближение свободных электронов Электронный g-фактор II 261, 262 Электрон-фононное взаимодействие II 145—154 и магнитная восприимчивость II 280 (с) и одноэлектронная энергия II 145, 146 и сверхпроводимость II 353, 354 и электросопротивление II 149—154 и эффективная масса электрона II 146, 147 константа связи II 148, 149 Электрон-электронное взаимодействие I 329, 352 в модели Друде I 19—21 в приближении Хартри I 330 в приближении Хартри — Фока I 332—337 и время жизни электрона I 346, 347 и магнитная структура II 286—307 и метод сильной связи I 191 и модель Хаббарда II 300 и парамагнетизм Паули II 284, 285 и периодический потенциал I 138, 195, 330, 331 и принцип Паули I 346—348 и рассеяние I 20, 21, 315, 345—348 и сверхпроводимость II 353—355 и теория ферми-жидкости I 344—351 и энергия основного состояния газа свободных электронов I 334 через фононы II 144, 145 См. также Приближение независимых электронов; Теория ферми- жидкости; Уравнения Хартри — Фока, Экранирование Электроны атомного (ионного) остова I 18, 115 волновые функции I 197, 198 сравнение с валентными электронами I 197, 198 Электроны валентные см. Валентные электроны Электроны проводимости I 18. См. также Блоховские электроны; Приближение независимых электронов; Приближение свободных электронов Электропроводность высокочастотная в модели Друде I 30, 71 в полуклассической модели I 253 и диэлектрическая проницаемость I 390—393 Электропроводность высокочастотная и межзонные переходы I 254 квантовомеханический расчет I 253 нелокальная теория I 32 Электропроводность статическая анизотропия I 71, 251 в неупорядоченных сплавах I 310 в однородном магнитном поле I 260— 262 в полуклассической модели I 253 в полупроводниках II 185, 190 и дырки I 252 закон Блоха T 5 II 192 идеальная, отличие от сверхпроводимости II 345, 352 идеальных кристаллов I 218 ионных кристаллов II 238, 239 и запрещенная зона в собственных полупроводниках II 190 и колебания решетки II 47, 48, 119—154 и площадь поверхности Ферми I 261 и примеси в полупроводниках II 186, 187 температурная зависимость I 71, II 48, 152, 185 Электросопротивление I 22, 23. См. также Электропроводность Электростатическое поле однородно поляризованной сферы II 182, 183 — — решетки диполей II 1 Электростатическое приближение II 171 (с), 172 (с), 175 (с) Электрохимический потенциал I 258 — — в полупроводниках II 213, 214 Элементарная ячейка см. Примитивная ячейка; Условная элементарная ячейка Энергетическая зона I 147. См. также Запрещенная зона; Плотность уровней; Ширина зоны Энергетическая щель (в нормальных материалах) см. Запрещенная зона Энергетическая щель (в сверхпроводящих материалах) II 341 и затухание звука II 350, 351 измеренные значения II 359 и магнитные примеси II 341 (с) и поглощение электромагнитной энергии II 349, 350 и туннелирование II 349 соотношение с T c в теории БКШ II 358, 359 Энергия анизотропии II 335, 336 Энергия ионизации атомов щелочных металлов и водорода II 23 — — меди, сравнение с калием I 290 (с) Энергия основного состояния газа свободных электронов I 334 Энергия связи |