Ашкрофт Н., Мермин Н. - Физика твердого тела. Том 1. Физика твердого тела
 Скачать 7.08 Mb.
|
|
ПРЕДМЕТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ Римскими цифрами обозначен номер тома, арабскими — номер страницы, буква (с) рядом с номером страницы означает, что соответствующий термин приведен в сноске. Адиабатическое приближение аналитическое обоснование II 155 (с) в металлах II 139 Адиабатическое размагничивание II 275—277 Акустические моды II 64—66 и оптические моды II 64, 65 и полиатомные базисы II 66, См. также Колебания решетки; Фононы Акцепторные примеси II 199. См. также p — n-переход; Полупроводники; Примеси в полупроводниках Аморфные твердые тела I 74 аномальные тепловые свойства II 133 (с) дифракция рентгеновских лучей I 104 (с) Ангармонические члены II 50, 115—137 и второй звук II 133—135 и мягкие моды II 181 и параметр Грюнайзена II 136 и процессы переброса II 129—132 и рассеяние фононов II 124—126 и резонансная линия, соответствующая остаточным лучам II 176 и сохранение квазиимпульса II 126 и тепловое расширение II 117—120, 122, 123 и теплоемкость при высоких температурах II, 57, 82, 83 и теплопроводность II 123—133 и термодинамические свойства II 117—120 и упругие постоянные II 116 и n-фононные процессы II 387 и ширина однофононных максимумов II 104—106 кубические члены и законы сохранения II 117, 136, 137 — — и нестабильность, обусловленная ими, II, 117, 136 — — и переходы, происходящие благодаря им, II 125, 126 Анион II 12 Аномальный скин-эффект I 278 Антипод центра окраски II 242 Антисвязывающие состояния II 293 (с) Антистоксова компонента II 209 Антиферромагнетизм II 286, 309—311 восприимчивость II, 315, 332 (с) в модели Гейзенберга II 317, 318 в модели Хаббарда II 300 одномерная цепочка (решение Бете) II 318 свободных электронов II 299 (с) теория молекулярного поля II 332 (с), 338 энергия основного состояния II 317, 337 Аппроксиманты Паде II 326 (с) Атомные плоскости I 99—103 индексы Миллера I 101—103 семейства I 100 соглашение об обозначениях I 102, 103 соответствие с векторами обратной решетки I 99—101 Атомный гамильтониан I 182, 185 (с) Атомный форм-фактор I 116 Базис II 87 Базоцентрированная ромбическая решетка Бравэ II 125 Бесщелевая сверхпроводимость II 341 (с) Благородные металлы I 287—292 дырочные орбиты в них I 291 зонная структура и поверхность Ферми I 53 коэффициент Холла I 30 магнетосопротивление I 71, 292 модуль всестороннего сжатия оптические свойства I 297, 298 постоянная решетки I 82 теплоемкость I 62 Ближайший сосед I 83 Блоховская стенка II 334—336 Блоховские функции s- и p-типа в приближении почти свободных электронов I 165, 166 Блоховские электроны в одномерном случае I 152—156 волновой вектор I 143—147 в постоянном электрическом поле I 227 динамика I 216—244 дырки I 228—232 и свободные электроны I 216 на поверхностях I 366—370 орбиты в магнитном поле I 232—237 — — — — квантование I 271—273 — — — — период I 236 отсутствие столкновений со статической решеткой I 218, II 47 плотность уровней I 149—152 скорость I 147, 379, 380 теорема об эффективной массе I 379, 380 s-типа и p-типа I 165 эффективная масса (динамическая) I 231, 232 См. также Запрещенная зона; Зонная структура; Метод сильной связи; Плотность уровней; Поверхность Ферми; Полуклассическая модель; Приближение почти свободных электронов; Эффективная масса Бозе-газ, идеальный II 81 Бозе — Эйнштейна конденсация I 51 (с) Борна — Кармана граничное условие. См. Граничные условия Боровский радиус I 79 для примесного уровня в полупроводнике II 201 точное численное значение I 371 Бриллюэновское рассеяние II 49, 108—111 классическая картина II 108—111 стоксовы и антистоксовы компоненты II 109 Брэгговские максимумы (пики) I 105 и магнитные пики II 312, 313 и фактор Дебая — Валлера II 385, 386 при бесфононном рассеянии II 100 Брэгговские плоскости I 107, 108 и почти свободные электроны I 162—166 Брэгговское отражение I 108, 109 — — порядок I 106 Вакансии II 233, 234. См. также Дефекты в кристаллах Валентные зоны I 155 в металлах I 197 волновые функции I 197—199 — — сравнение с волновыми функциями ионного остова I 198 в полупроводниках II 185 Валентные электроны I 18 и фундаментальные трудности в модели свободных электронов I 72 разрешение трудностей I 226 Вандерваальсовские силы см. Флуктуационно-дипольные силы Вариационный принцип для уравнения Больцмана I 327, 328 — — для уравнения Шредингера с периодическим потенциалом I 383, 384 Взаимодействие см. Дальнодействующее взаимодействие; Дипольное магнитное взаимодействие; Ион-ионное взаимодействие; Магнитное взаимодействие Электрон-ионное взаимодействие; Электрон-фононное взаимодействие; Электрон-электронное взаимодействие Вектор Бюргерса II 250—252 Векторный потенциал в полуклассических уравнениях движения I 385 — — и магнетизм электронов II 261 Верхнее критическое поле II 346 Вигнеровский кристалл II 299 Винтовая дислокация II 249, 250. См. также Дислокации Винтовая ось I 121 (с), 134 Вихревые линии в сверхпроводниках II 347, 348 и квант магнитного потока II 348 (с) и теория Гинзбурга — Ландау II 363 (с) Волновой вектор Ферми I 49, 51 выраженный через r s I 49 и электронная плотность в приближении свободных электронов I 49 соотношение с дебаевским волновым вектором II 86 (с) Волновые векторы, их плотность I 48, 143 Волновые пакеты фононные II 124 — — электронные I 219, 220 Волновые функции электронов в атоме и межатомное расстояние I 181, II 6 Волны спиновой плотности II 299 Восприимчивость магнитная II 260 антиферромагнетиков II 315 атомная II 261—265, 268—270 атомов инертных газов II 264 в приближении молекулярного поля (закон Кюри — Вейсса) II 332 высокотемпературная (в модели Гейзенберга) II 323—326 — и вычисление критической температуры II 326 диамагнитная Ландау II 280, 282 диамагнитная Лармора II 263—265 Ланжевена II 264 (с) ионов в щелочно-галоидных соединениях II 264 ионов с частично заполненными оболочками II 268—270 молярная II 264 особенность при T c II 315 парамагнитная Паули см. Парамагнетизм Время между столкновениями см. Время релаксации Время рекомбинации II 223 Время релаксации I 21 выраженное через удельное сопротивление I 23 для изотропного упругого рассеяния электронов на примесях I 326 для фононов II 126—131 — — в процессах переброса и нормальных процессах II 135 для электрон-фононного рассеяния II 151 для электрон-электронного рассеяния I 346—348 зависящее от координат I 250 (с) — — — в полупроводниках II 221, 223 и вероятность столкновения I 316 и распределение Пуассона I 40, 41 Вронскиан I 154 Второй звук II 133—135 Выпрямляющее действие p — n-перехода II 217—220, 225—230 Вырожденные полупроводники II 195; см. также Полупроводники Газ классический распространение звука в нем II 134, 135 сравнение с газом фононов II 128 (с), 131 (с), 134 — — электронами в невырожденных полупроводниках II 207, 208 Газ электронов см. Приближение свободных электронов; Электронный газ Гальваномагнитные эффекты см. Магнето-сопротивление; Эффект Холла Гармонический осциллятор (квантовый) II 371 Гармоническое приближение II 52, 53, 115 динамический структурный фактор в этом приближении II 383—385 его недостаточность II 115, 116 и бесконечная теплопроводность II 124 и зависимость частот нормальных колебаний от объема II 118, 119 используемое для описания колебаний решетки II 50—78 и теория теплоемкости II 79—96 квантовая теория II 371—374 отличие от предположения о малой амплитуде колебаний II 115 форма в случае парного потенциала II 53 энергетические уровни N-ионного кристалла II 80. См. также Ангармонические члены; Колебания решетки; Фононы Гексагональная кристаллическая система I 126, 127 Гексагональная плотноупакованная структура I 86—91 и гранецентрированная кубическая решетка Бравэ I 90 и плотная упаковка сфер I 90 и почти свободные электроны I 173—175, 299, 300 отношение с/а I 89, 90 спин-орбитальное взаимодействие в ней I 175, 299 структурный фактор I 117, 118 элементы с этой структурой I 89. См. также Простая Гексагональная решетка Бравэ Гелий твердый давление кристаллизации (при Т = 0) II 28 (с) и гармоническое приближение II 53 и предположение о малой амплитуде колебаний II 115, 117 и рассеяние нейтронов (в Не 3 ) II 97 и теория квантовых кристаллов II 51 (с) Геликоны I 41, 42 Генерация носителей тока II 223. См. также Полупроводники Геометрический структурный фактор см. Структурный фактор Гибридизация I 185 Гистерезис (магнитный) II 335 Глубина проникновения II 353. См. также Сверхпроводимость; Уравнение Лондонов «Голые» ионы II 142 Гранецентрированная кубическая решетка Бравэ I 81, 82 зоны Бриллюэна выше первой I 169 p-зоны в методе сильной связи I 193 s-зоны в методе сильной связи I 186—188 и гексагональная плотноупакованная структура I 90, 91 и плотная упаковка сфер I 91 координационное число I 83 основные векторы I 81 основные векторы обратной решетки I 97, 98 первая зона Бриллюэна I 99 — — — обозначения точек высокой симметрии I 188 поверхность Ферми в приближении свободных электронов I 171, 172 решетка, обратная к ней I 97 решеточные суммы II 30, 31 связь с центрированной тетрагональной решеткой I 124 упаковочный множитель I 94 уровни свободных электронов в ней I 167 условная ячейка I 85 элементы с этой решеткой I 82 ячейка Вигнера — Зейтца I 86 Гранецентрированная ромбическая решетка I 125 Граница зерен II 253 Граница кручения II 255 Граничные условия I 46 Борна — Кармана (периодические) для блоховских электронов I 142 — — в методе сильной связи I 183 (с) — — для линейной цепочки II 59 — — для свободных электронов I 46 — — для спиновых волн II 319 (с) для газа свободных электронов I 46 на поверхностях I 368 Группа см. Пространственные группы; Точечные группы Дальнодействующее взаимодействие и колебания решетки II 68 (с), 76 — — — в ионных кристаллах II 170—173 — — — в металлах II 139 и работа выхода I 354 и решеточные суммы II 34—37. См. также Кулоновский потенциал Двойникование II 250 (с), 254 Двойной слой на поверхности I 357, 358 Двоякопреломляющие кристаллы I 390 Двухвалентные металлы I 298—300 Двухжидкостная модель II 351 Дебаевская температура (Q D ) для некоторых элементов II 88 зависимость от температуры II 87, 88 щелочно-галоидных кристаллов II 87 Дебаевская частота ω D II 86 — — сравнение с энергией Ферми II 155 Дебаевский волновой вектор (k D ) II 85, 86 — — — соотношение с фермиевским волновым вектором II 86 (с) Де-Бройля длина волны I 47 — — — численная связь с энергией электронов I 365 Дельта-символ Кронекера I 96 Дефекты в кристаллах II 233—258 границы зерен, II 255 двумерные II 233, 254, 255 дефекты упаковки II 254 дислокации II 247—255 и проводимость ионных кристаллов II 238, 239 и процесс намагничивания II 335 и центры окраски II 239—243 как рассеивающие центры I 218, 314 магнитные примеси II 302—304 отжиг II 238 смешанные, Френкеля и Шоттки II 256 термодинамика линейных и двумерных дефектов II 237, 238 термодинамика точечных дефектов (Френкеля, Шоттки или смешанных) II 234—238, 256 точечные, линейные и двумерные II 233 Френкеля II 237 Шоттки II 234 См. также Дислокации; Центры окраски Деформационное упрочнение II 253 Деформационный двойник II 254 Джоулево тепло I 41, 254 (с) Диамагнетизм атомный (ларморовский) II 263—268 — в ионных кристаллах II 264 — в твердых инертных газах II 264 — сравнение с магнетизмом электронов проводимости в металлах II 284 — — с парамагнетизмом, описываемым законом Кюри II 284 в легированных полупроводниках II 282 идеальный (эффект Мейснера) II 342, 345, 353 Ландау II 280 См. также Восприимчивость; Эффект де Гааза — ван Альфена Динамика решетки см. Колебания решетки Динамическая матрица II 67 для кристалла с г. ц. к. решеткой II 77—78 симметрия II 66, 67 Динамический структурный фактор II 383 — — — в гармоническом приближении II 383—335 Дипольное магнитное взаимодействие II 288 и обменное (кулоновское) взаимодействие I 287, 288, 295 и образование доменов II 333—336 размагничивающий фактор II 337 Дипольный момент (электрический) см. Пироэлектрические кристаллы; Поляпизуемость; Сегнетоэлектричество Дислокации II 233, 247—255 вектор Бюргерса II 250—252 винтовые II 249, 250 в общем случае II 250—252 и границы зерен II 255 и двойникование II 254 и дефекты упаковки II 254, 255 и деформационное упрочнение II 253 и прочность кристаллов II 252, 253 и рост кристаллов II 253, 254 и скольжение II 249, 250 краевые II 249 наблюдение II 254 плотность II 249 упругая энергия II 258. См. также Дефекты в кристаллах. Дисперсионная кривая II 61 для линейной цепочки с базисом II 63—65 для моноатомной линейной цепочки со взаимодействием между ближайшими соседями II 60—62 — — — — со взаимодействием между т ближайшими соседями II 76 для трехмерной моноатомной решетки Бравэ II 69 для трехмерной решетки с базисом II 71. См. также Колебания решетки; Фононы Дисперсионные соотношения (Крамерса —Кронига) I 392 Дифракция рентгеновских лучей I 105—109, II 385, 386 атомный форм-фактор I 116 брэгговские максимумы I 105 брэгговское отражение I 109 влияние колебаний решетки II 49, 386 диффузный фон I 104 (с) и фононный спектр II 108 как рассеяние частиц II 100, 386 комптоновский фон II 108 метод вращающегося кристалла I 110, 111 метод Лауэ I 110, 111 механизм почти упругого рассеяния I 106 (с) порошковый метод (метод Дебая — Шеррера) I 111 построение Эвальда I 109 структурный фактор I 113—116 условие Брэгга I 105 фактор Дебая — Валлера II 114, 386 формулировка Брэгга I 105, 106 формулировка Лауэ I 106—108 эквивалентность формулировок Брэгга и Лауэ I 108, 109 Дифракция электронов I 364—366 Диффузионная область (в p — n-переходе) II 225—229 Диффузионные длины II 224, 225 Диффузионный ток II 221 Диэлектрики, отличие от металлов I 72, 226, 227, II 184 — — от полупроводников II 185 Диэлектрическая проницаемость и коэффициент отражения I 392 ионных кристаллов II 172—174 и оптические моды I 172, 173 и показатель преломления II 157 и проводимость I 390—392 квантовомеханическая форма I 393 ковалентных кристаллов II 177 металла I 33, II 141—144 полупроводников II 200, 201 при высоких частотах II 170 Диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектриков II 181 соотношение Клаузиуса — Моссотти II 166 соотношение Лиддана — Сакса — Теллера II 171, 172 щелочно-галоидных кристаллов II 176 электронного газа I 338—343 — — по Друде I 33 — — по Линдхарду I 342, 343 — — по Томасу — Ферми I 341. См. также Поляризуемость Длина когерентности в сверхпроводниках II 352 (с) — — и размер куперовской пары II 356 Длина рассеяния II 381 Длина свободного пробега в металлах I 24 — — — выраженная через удельное сопротивление I 65. См. также Время релаксации Домены 1 333—336 блоховская доменная стенка II 334, 335 дипольная энергия II 333—335 энергия анизотропии II 335, 336 Донорные примеси II 199. См. также p — n-переход; Примеси в полупроводниках; Полупроводники Доплеровский сдвиг частоты рассеянных волн II 112 Дрейфовая скорость во взаимно перпендикулярных электрическом и магнитном полях I 236 Дрейфовый ток II 221 — член I 319 Дырки I 228—232 и проводимость полупроводников II 185 и статическая проводимость I 252 и термо-э.д.с. I 259 и эффект Холла I 239—240 эффективная масса I 232. См. также Полуклассическая модель; Полупроводники Дырочная поверхность I 171 — — в алюминии I 302 — — в свинце I 304 Дырочные орбиты I 233 — — в благородных металлах I 291 Единица Дебая (для дипольного момента) II 183 Жидкий Не 3 и триплетное спаривание II 356 Задача многих тел I 331 Закон Блоха T 3/2 II 322 — — T 6 II 152 Закон Видемана — Франца I 35, 36 в классической теории I 38 в полуклассической модели I 256, 257 в теории свободных электронов I 66 неприменимость в случае неупругого рассеяния I 323 случайный успех I 38, 66 См. также Теплопроводность металлов; Число Лоренца Закон Грюнайзена см. Закон Блоха T 5 Закон Дебая II 85. См. также Теплоемкость (решеточная) Закон действующих масс II 197 Закон Дюлонга и Пти II 54—58 и катастрофа Рэлея — Джинса II 94 квантовые поправки при высоких температурах II 82, 95 нарушение II 57, 58. См. также Теплоемкость решеточная Закон излучения Планка II 95 Закон Кюри II 270—272, 284, 325 для свободных ионов и твердых тел II 272—275 и эффективное число магнетонов Бора II 272, 273 поправки к нему II 323—326. См. также Восприимчивость Закон Кюри — Вейсса II 326 (с), 332 Закон Ома I 22, 23 Закон равнораспределения энергии I 24 Закон Стефана — Больцмана II 95 Закон Фика II 221 (с) Закон Фурье I 36 Законы сохранения и приближение времени релаксации I 326, 327 Замораживание орбитального момента II 273 Запрещенная зона I 148 в диэлектриках II 184 в одномерном случае I 155 в полупроводниках II 185 — — измерение II 188—190 — — температурная зависимость II 189, 190 на брэгговских плоскостях I 167, 168 Заряд Зигетти II 173 Заряд электрона, соглашение о знаке I 18 (с) Затухание ультразвука в сверхпроводниках II 350, 351 — — и поверхность Ферми II 275—277 Зеркальная плоскость I 131 Зеркальное отражение I 105 (с) Зеркально-поворотная ось I 129 Звук в классическом газе II 133—135 в металлах II 138—141 — — затухание и поверхность Ферми I 275—277 — — и сверхпроводимость II 350—351 второй II 133—135 и механика сплошной среды II 140 (с) |