Ашкрофт, Мермин Физика твердого тела Том 1. Физика твердого тела
 Скачать 7.08 Mb.
|
|
См. также Теплоемкость решеточная Модель деформируемых ионов (в ионных кристаллах) II 54 (с), 169, 173 Модель Друде I 17—42 недостатки, обусловленные классической статистикой I 34, 40, 44, 70 основные предположения I 18—22 Модель Изинга II 327 — — и фазовый переход порядок — беспорядок I 310 (с) Модель Кронига — Пенни I 155 Модель Хаббарда II 300 — — для молекулы водорода II 305, 306 Модель Эйнштейна для фононного спектра II 89-91 плотность уровней II 93 формула для теплоемкости II 90 Модуль всестороннего сжатия I 52, 53 для некоторых металлов I 53 для свободных электронов I 53 для твердых инертных газов II 32, 33 щелочно-галопдных соединений II 38 Молекула водорода II 289—296 — — в модели Хаббарда II 305, 306 Молекулярные кристаллы II 9 межмолекулярное взаимодействие II 21, 22, 28—30 химическая связь в них II 28—33. См. также Инертные газы твердые Моноатомная решетка Бравэ I 87 Моноклинная кристаллическая система I 125, 126 MT-потенциал I 203 Мультиплет II 267 Мультиплетность II 267 Мультипольное разложение I 354 Мягкие моды II 83 (с) — — в сегнетоэлектриках II 181 Мягкое рентгеновское излучение и измерение ширины зоны I 335 — — — и приближение независимых электронов I 345 (с) Наклонная граница II 255 Намагниченность (плотность магнитного момента) II 259—260 Намагниченность насыщения II 318 в парамагнетике II 271 в ферромагнетике II 318 Направления кристаллографические, правила их обозначения I 102, 103 Напряжение Холла I 27 Невырожденные полупроводники II 195. См. также Полупроводники Незатухающие токи II 344 возможность разрушения II 365 (с) теория II 364, 365 См. также Сверхпроводимость Нейтроны холодные (тепловые) II 106 взаимодействие с электронами II 98 (с) соотношение между энергией и импульсом II 97, 98 — — — — — сравнение с фотонами II 98 Нелокальные эффекты см. Предположение о локальности Неоднородные полупроводники см. Полупроводники Неосновные носители II 215 (с), 219 координатная зависимость концентрации II 229 токи II 228, 229 См. также p — n-переход; Полупроводники Непрямые оптические переходы II 190 Несимморфные пространственные группы I 134 Несобственные операции I 132 Несобственные полупроводники II 186 — — концентрация носителей II 198, 199 Неупорядоченные сплавы I 207 (с), 310, 311 Неупругое рассеяние и закон Видемана —Франца I 322, 323 Нижнее критическое поле II 346 Номер зоны I 145 (с), 146 — — для почти свободных электронов I 153 Нормальная ферми-система I 349 Нормальные моды гармонического кристалла II 58 См. также Гармоническое приближение;Колебания решетки; Фононы Нормальные процессы II 129 и процессы переброса II 119 и термодинамическое равновесие II 130 Нулевые колебания ионов II 45, 47 вклад в плотность тепловой энергии II 82 и неадекватность классической теории колебаний решетки II 51 (с) и параметр де Бура II 42, 43 проявление в наиболее легких из твердых инертных газов II 31, 32 Обедненный слой (область пространственного заряда) II 211 См. также p — n- переход Обмен между делокализованными электронами II 296 Обменная энергия I 333—337 — — и когезия в металлах II 41 Обменное взаимодействие II 294 константы II 296 прямое, косвенное, между делокализованными электронами и сверхобмен II 296 Обменный член в уравнении Хартри — Фока I 333 в приближении, использующем одноэлектронный потенциал I 336 его экранирование I 343, 344, II 144 — — и магнетизм электронов проводимости II 299 Обозначения Шенфлиса для кристаллографических точечных групп I 129—131 Обратная решетка I 95—103 для гранецентрированной кубической решетки Бравэ I 97 для объемноцентрированной кубической решетки Бравэ I 98 для простой кубической решетки Бравэ I 97, 103 для решеток с базисом I 96 (с) для ромбоэдрической (тригональной) решетки Бравэ I 103 доказательство того, что она является решеткой Бравэ I 95 и индексы Миллера I 101, 102 и решетка, обратная к ней I 97 объем примитивной ячейки I 98, 103 построение основных векторов I 96 См. также Атомные плоскости; Зоны Бриллюэна; Решетки Бравэ Объемноцентрированная кубическая решетка Бравэ I 79—81 зоны Бриллюэна выше первой I 169, 170 как простая кубическая решетка со структурным фактором I 114 координационное число I 83 основные векторы I 81 первая зона Бриллюэна I 99 решетка, обратная к ней I 98 решеточные суммы по обратным степеням II 31 связь с центрированной тетрагональной решеткой Бравэ I 124 упаковочный множитель I 94 условная ячейка I 85 химические элементы I 82 ячейка Вигнера — Зейтца I 86 Объемноцентрированная ромбическая решетка Бравэ I 125 «Одетые» ионы II 142 и диэлектрическая проницаемость металлов II 142—144 ион-ионное взаимодействие II 139 Одноэлектронный потенциал I 139, 195, 329, 330 влияние поверхности на него I 354—357 учет обмена с помощью одноэлектронного потенциала I 336 См. также Уравнения Хартри; Уравнения Хартри — Фока Олово, белое и серое I 304 (с), II 188 Оператор трансляции I 140 — — выраженный через оператор импульса II 377 Операторы рождения и уничтожения в случае осциллятора II 371 — — — — фононов II 372 Операции группы симметрии для решетки Бравэ I 120, 121 Определение фононного спектра из оптических данных II 108—111 Оптические моды II 64, 70, 71 в ионных кристаллах II 170—176 в моделях Дебая и Эйнштейна II 89 и акустические моды II 65 и рамановское рассеяние II 109 См. также Колебания решетки; Фононы Оптические свойства I 293, 390—393 алюминия I 302—303 благородных металлов II 295—297 бриллюэновское рассеяние II 109 ионных кристаллов II 173—176 и приближение независимых электронов I 345 (с) металлов I 31—34, 293—296 полупроводников II 189, 190 рамановское рассеяние II 109 щелочных металлов I 294—296 Орбитальный момент, замораживание II 273 Орбиты блоховских электронов в магнитном поле I 232—237 дырочные I 233 квантование I 271—273 открытые I 235 — в благородных металлах I 291, 292 — и магнетосопротивление I 240—242 период I 234—236 соотношение между ними в k- и r-пространстве I 234 См. также Полуклассическая модель; Экстремальные орбиты Основные векторы решетки I 77 — — — алгоритм построения I 94 Основные носители тока II 219 Особенности ван Хова I 152, 156 в фононной плотности уровней II 92, 93 в электронной плотности уровней I 156 — — — — в модели почти свободных электронов I 176, 177 Особенности Кона II 141 Остаточное сопротивление II 302 Остаточные лучи II 176 Осцилляции Рудермана — Киттеля I 343 Осцилляции Фриделя I 343 Ось (поворота) I 128, 129 Ось с в гексагональных системах I 88 — — в тетрагональных системах I 124 Отжиг II 238 Отношение с/а для гексагональной плотно-упакованной кристаллической структуры I 89 для решетки, обратной к гексагональной I 98 «идеальное» I 90 Отражение брэгговское I 109 зеркальное I 105 (с), 106 (с) относительно плоскости I 120 (с), 129 порядок I 106 Отталкивание между сердцевинами атомов или ионов II 11, 27 в ионных кристаллах II 33 в случае потенциала Леннарда-Джонса II 28, 29 и поляризуемость ионных кристаллов II 168 и фононы в металлах II 154 потенциал Борна — Майера II 39 Парамагнетизм II 268—275 Ван Флека II 269 в легированных полупроводниках II 282 закон Кюри II 270—275 Паули II 277—280 — влияние электрон-фононного взаимодействия II 280 (с) — — электрон-электронного взаимодействия II 285 — восприимчивость II 279 — температурные поправки II 285 сравнение с диамагнетизмом в металлах и ларморовским диамагнетизмом II 284 См. также Восприимчивость; Закон Кюри; Правила Хунда Параметр Грюнайзена II 120—122, 136 в модели Дебая II 121 для щелочно-галоидных кристаллов II 122 См. также Тепловое расширение Параметр де Бура II 42, 43 Параметр порядка (в теории сверхпроводимости) II 362 аналогия с теорией ферромагнетизма II 362 (с) См. также Теория Гинзбурга — Ландау Перекрытие зон I 152, 227 Переход диэлектрик — металл (переход Мотта) I 191 — — — в модели Хаббарда II 300 Переход порядок — беспорядок I 310 (с) p — n-переход II 210—232 вольт-амперная характеристика II 220 выпрямляющее действие II 217—220, 225— 230 дрейфовый ток II 221 диффузионная область II 225-228 — — поля в ней II 232 диффузионный ток II 221 изгиб зон II 214 изготовление II 210, 211 концентрация неосновных носителей II 217, 229 — носителей равновесная II 212—217 — — неравновесная II 227 обедненный слой (область пространственного заряда) II 210—217, 225—231 — — в равновесном случае II 212—217 — — размеры в неравновесном случае II 218 — — — в равновесном случае II 216, 217 — — токи в нем II 225—227, 232 обратное смещающее напряжение II 225 однородная область II 226—229 падение потенциала в неравновесном случае II 218 — — в равновесном случае II 213—217 плотность заряда в неравновесном случае II 218 — — в равновесном случае II 217 ток генерации II 219, 225, 230 ток насыщения II 220, 225 ток неосновных носителей II 228, 220 ток рекомбинации II 219 — — связь с током генерации II 219 См. также Полупроводники Переходные металлы магнитный момент ионов II 276 теплоемкость II 721 Переэкранировка II 145 Периодические граничные условия см. Граничные условия Периодические функции, разложение по плоским волнам I 376—378 — — теорема Грина I 386 Периодический потенциал I 139, 140, 195, 196, 329, 330. См. также Уравнения Хартри; Уравнения Хартри — Фока Пироэлектрические кристаллы II 162 (с), 177—179 — — симметрия II 179 Плавление II 47 Плавный переход II 212 Плазменная частота I 33 ионная II 139 и оптические свойства металлов I 33—35, 293 численные формулы I 372 Плазменное колебание (плазмой) I 34 поверхностное I 42 способы наблюдения I 35 Пластическая деформация II 248 Плоские волны I 47 решеточная сумма I 380, 381 сумма по первой зоне Бриллюэна I 380 Плоскость скольжения I 121 (с), 134 Плотная упаковка сфер I 88—91 и гексагональная плотноупакованная структура I 89—90 и гранецентрированная кубическая структура I 92 и другие структуры I 90, 91 упаковочный множитель I 94 Плотность заряда в щелочно-галоидных кристаллах II 13 — — вблизи поверхности кристалла I 358 Плотность нормальных мод см. Плотность уровней (фононных) Плотность поляризации II 158 Плотность потока тепла I 255 Плотность уровней (в k-пространстве) I 48, 143 Плотность уровней (фононных) II 92—94 в модели Дебая II 93 — — Эйнштейна II 93 Плотность уровней (электронных) в двумерном случае I 67 в двухзонной модели для почти свободных электронов I 176 в переходных металлах I 307, 308 в полупроводниках II 196, 198, 202. 208 в редкоземельных металлах I 308. 309 для блоховских электронов I 149—152, 155 для свободных электронов I 57, 58 и парамагнетизм Паули II 277, 278 и спин электрона I 149 (с) и теплоемкость I 60 особенности ван Хова I 152, 156 особенности в сильном магнитном поле II 273, 274 поправка за счет фононов II 146 Плотность электрического тока I 22 Поверхностные плазмоны Т 42 Поверхностные поправки к одноэлектронному потенциалу для бесконечного образца I 353 Поверхностные уровни I 366—370 и теорема Блоха I 368 теория почти свободных электронов I 369, 370 Поверхность Ферми I 148, 149 алюминия I 301 бериллия I 300 благородных металлов I 289—292 вблизи брэгговских плоскостей I 168 в приближении свободных электронов см. Сфера Ферми в схеме повторяющихся зон I 149 — — приведенных зон I 149 — — расширенных зон I 166 значение I 264 определение I 264—281 построение в приближении почти свободных электронов I 168—172, 174, 178, 179 Поверхность свинца I 304 щелочных металлов I 285 экстремальные площади сечений I 267 Повороты и упругая энергия II 73 Подвижность II 185 (с), 221. 222 Подрешетки магнитные II 309. См. также Антиферромагнетизм Показатель преломления II 157 — — соотношения Крамерса — Кронига I 392 См. также Диэлектрическая проницаемость Поле Холла I 28 Поливалентные металлы I 298—310 зонная структура переходных металлов I 306—308 — — простых металлов I 298—306 — — редкоземельных металлов I 308—310 Поликристаллическое состояние I 76 (с) — — и дифракция рентгеновских лучей I 111 Полуклассическая модель I 216—244 в случае постоянного магнитного поля I 232, 233 — — — электрического поля I 227, 228,244 высокочастотная электропроводность I 252—254 гамильтониан I 385 и движение во взаимно перпендикулярных электрическом и магнитном полях I 236, 237 и дырки I 228—232 и заполненные зоны I 224—227 и квантование орбит I 270—273 и магнетосопротивление I 237—244 и модель свободных электронов I 216, 217 и неоднородные полупроводники II 212 — — — возможная неприменимость II 212 и примесные уровни в полупроводниках II 201, 202 и теплопроводность I 254—257 и термоэлектрические эффекты I 257—260 и типы носителей I 221, 222 и экситоны II 245, 247 и эффект Холла I 237—241 пределы применимости I 222, 223, 253, 387—389, 393 статическая электропроводность I 151, 152 — — в постоянном магнитном поле I 260, 262, 263 теорема Лиувиля I 225, 385 теория явлений переноса I 245—263 уравнения движения I 221 базовое пространство I 225 См. также Блоховские электроны; Орбиты Полуметаллы I 304, 305 и полупроводники I 304 (с) теплоемкость I 307 (с) эффективная масса носителей тока I 206 (с) Полупроводники II 184—232 валентные зоны II 185 время рекомбинации II 223 (с) вырожденные II 195 генерация носителей II 222 диамагнетизм (в легированных полупроводниках) II 282 дифференциальная термо-э. д. с. II 186 диффузионная длина II 224 закон действующих масс II 197 запрещенная зона (энергетическая щель) II 184—186 — — измерение ширины II 189, 190 — — температурная зависимость II 189 зонная структура II 190—193 — — антимонида индия II 192, 193 — — германия II 192, 193 — — кремния II 191, 192 зоны проводимости II 184 и диэлектрики II 185 и полуметаллы I 304 (с) концентрация носителей II 194 —199, 205—207, 209 коэффициент диффузии II 221 легирование II 210, 211 невырожденные II 195 — явления переноса II 207 несобственные II 186 — концентрация носителей II 198, 199 носители тока неосновные II 215 (с), 219 — — основные II 219 оптические свойства II 189, 190 парамагнетизм (в легированных полупроводниках) II 282 p — n-переход II 211 плотность уровней II 184, 196, 208 — — при наличии примесей II 202 подвижность носителей тока II 185 (с), 221, 222 полуклассическая модель II 212 полярные II 189 примеси см. Примеси в полупроводниках проводимость II 185—187 рекомбинация носителей II 222 собственные II 186 — концентрация носителей II 197, 198 сопротивление II 185—188 n-типа II 199 p-типа II 199 уровень Ферми II 195 (c) фотопроводимость II 186 химический потенциал II 195, 197—199 — — и энергия Ферми I 149 (с), II 195 (с) циклотронный резонанс II 193, 194. 208 электрохимический потенциал II 213, 214 Поляризация колебаний решетки II 67 в решетке с базисом II 372—374 и рассеяние нейтронов II 104 (с), 385 и симметрия решетки II 77 продольная и поперечная II 70 Поляризуемость II 166—176 атома водорода II 182 атомная II 166—168 атомов инертных газов II 168 и диэлектрическая проницаемость (соотношение Клаузиуса — Моссотти) II 166 ионов галогенов II 168 ионов щелочных металлов II 168 ковалентных кристаллов II 177—179 модель деформируемых ионов II 169, 173 связи II 177 смещения II 166, 168—170 См. также Диэлектрическая проницаемость Поляритон II 174 Полярные кристаллы II 179 (с) Полярные полупроводники II 180 Поляроны II 243, 244 Порошковый метод (метод Дебая — Шеррора) I 111—113 — — построение Эвальда для него I 112 Постоянная Больцмана I 38 — — точное численное значение I 371 Постоянная Маделунга II 35, 36 Постоянная решетки I 85 гексагональной плотноупакованной структуры I 89 о.ц.к. и г.ц.к. моноатомной решетки Бравэ I 82 ромбических кристаллов I 135 ромбоэдрических (тригональных) кристаллов I 135 структуры алмаза I 88 хлорида натрия I 92 хлорида цезия I 92 цинковой обманки I 93 тетрагональных кристаллов I 135 Построение Эвальда I 109 в методе вращающегося кристалла I 112 в методе Лауэ I 111 в порошковом методе I 112 Потенциал Борна — Майера II 39 Потенциал «6—12» Леннарда-Джонса II 28— 30 — — — параметры для инертных газов II 29 Потенциал решетки см. Периодический потенциал Потенциал ТОкавы I 341 Правила Хунда II 265—268 в применении к ионам переходных металлов II 274 — — к редкоземельным ионам II 273 формула II 283 Правило Колера I 263 Правило Матиссепа I 323, 324 Предел Казимира II 133 (с) Предположение о локальности I 32, 278, 390 Приближение времени релаксации ( τ -приближение) I 21, 246. 247 для общей неравновесной функции распределения I 247—251 и законы сохранения I 327 и локальное сохранение заряда I 261 и правило Матиссена I 323, 324 критика I 313—328 применимость для изотропного упругого рассеяния на примесях и закон Видемана—Франца I 322, 323 сравнение с более общей формулировкой I 318 См. также Столкновения; Уравнение Больцмана Приближение Гайтлера — Лондона II 293, 304, 305 в модели Хаббарда для молекулы водорода II 305, 306 пределы применимости II 293 формула для величины обменного расщепления в молекуле водорода II 294 Приближение жестких ионов II 168 — — — недостатки II 169, 173 Приближение малой амплитуды колебаний II 50, 115 Приближение независимых электронов I 21, 73, 139, 195 недостаточность в магнитных задачах II 287, 288, 290—294 — в редкоземельных металлах I 309 — в сверхпроводниках II 340 — в электронном газе низкой плотности II 299 — для частично заполненных зон в рамках метода сильной связи I 191 и приближение свободных электронов I 21, 73 обоснование I 344 учет электрон-электронного взаимодействия I 329-337. |