курсачик. Фоминых Наталия Владимировна Разработка и исследование
 Скачать 225 Kb.
|
|
| Введение.
Список использованной литературы | |
Введение
В настоящее время в условиях мирового энергетического кризиса экономический рост, увеличение потребления энергии и глобализация мировой экономики чрезвычайно обостряют эту проблему. Согласно ежегодному отчёту организации экономического сотрудничества и развития европейских стран коэффициент самообеспеченности энергоресурсами в Германии составляет 0,3908, во Франции – 0,4994, в Италии – 0,1634, в Великобритании – 0,9637 (в России – 1,8100). Европейские страны обеспокоены своей энергозависимостью и потому строят свою государственную и научно – техническую политику так, чтобы увеличить коэффициент самообеспеченности энергией. Успех этих программ в Европе может иметь для России свои неприятные последствия, такие как снижение экспорта добываемого топлива. Поэтому для России одна из самых актуальных и действенных мер по противодействию энергетическому кризису – реализация потенциала энергосбережения.
По оценкам специалистов потенциал энергосбережения в нашей стране практически равен объему экспортируемой из России нефти и газа и почти в 10 раз больше, чем вся энергия, вырабатываемая АЭС. На то, чтобы экономить энергию, требуется в 2 – 3 раза меньше инвестиций, чем на производство эквивалентного количества энергии.
В этой связи термоэлектрические преобразователи энергии в перспективе могут занять одно из ведущих мест в хозяйственной деятельности многих стран мира, так как они способны производить «экологически чистую» энергию без выбросов вредных веществ в окружающую среду.
Литературный обзор
Термоэлектрические эффекты в полупроводниках
Термоэлектричество - явление прямого преобразования теплоты в электричество в твердых или жидких проводниках, а также обратное явление прямого нагревания и охлаждения спаев двух проводников проходящим током [1]. В современном техническом использовании термин почти всегда относится вместе к эффекту Зеебека, эффекту Пельтье и эффекту Томсона. Эти явления характеризуются соответствующими коэффициентами, различными для разных материалов. Эти коэффициенты связаны между собой так называемыми соотношениями Кельвина. Они определяются как параметрами спаев, так и свойствами самих материалов.
Эффект Зеебека
Открытие эффекта Зеебеком произошло в 1921г. Состоит эффект в том, что в замкнутой цепи, состоящей из разнородных проводников, возникает термо-ЭДС, если места контактов поддерживают при разных температурах. Цепь, которая состоит только из двух различных проводников, называется термоэлементом или термопарой.
Величина возникающей термоэдс в первом приближении зависит только от материала проводников и температур горячего (
) и холодного (
) контактов.В небольшом интервале температур термоэдс
можно считать пропорциональной разности температур:
(1)где
— термоэлектрическая способность пары (или коэффициент термоэдс).В простейшем случае коэффициент термоэдс определяется только материалами проводников, однако, строго говоря, он зависит и от температуры, и в некоторых случаях с изменением температуры
меняет знак.Более корректное выражение для термоэдс:
(2)Возникновение эффекта Зеебека вызвано несколькими составляющими.
Различная зависимость средней энергии электронов от температуры в различных веществах.
Если вдоль проводника существует градиент температур, то электроны на горячем конце приобретают более высокие энергии и скорости, чем на холодном; В полупроводниках в дополнение к этому концентрация электронов проводимости растет с температурой. В результате возникает поток электронов от горячего конца к холодному и на холодном конце накапливается отрицательный заряд, а на горячем остаётся нескомпенсированный положительный заряд. Процесс накопления заряда продолжается до тех пор, пока возникшая разность потенциалов не вызовет поток электронов в обратном направлении, равный первичному, благодаря чему установится равновесие. ЭДС, возникновение которой описывается данным механизмом, называется объёмной ЭДС.
Различная зависимость от температуры контактной разности потенциалов.
Контактная разность потенциалов вызвана отличием энергий Ферми у контактирующих различных проводников. При создании контакта химические потенциалы электронов становятся одинаковыми, и возникает контактная разность потенциалов, равная
, (3)где
— энергия Ферми; 
— заряд электрона.На контакте тем самым существует электрическое поле, локализованное в тонком приконтактном слое. Если составить замкнутую цепь из двух металлов, то U возникает на обоих контактах. Электрическое поле будет направлено одинаковым образом в обоих контактах — от большего F к меньшему. Это значит, что если совершить обход по замкнутому контуру, то в одном контакте обход будет происходить по полю, а в другом — против поля. Циркуляция вектора Е тем самым будет равна нулю.
Если температура одного из контактов изменится на dT, то, поскольку энергия Ферми зависит от температуры, U также изменится. Но если изменилась внутренняя контактная разность потенциалов, то изменилось электрическое поле в одном из контактов, и поэтому циркуляция вектора Е будет отлична от нуля, то есть появляется ЭДС в замкнутой цепи. Данная ЭДС называется контактная ЭДС. Если оба контакта термоэлемента находятся при одной и той же температуре, то и контактная, и объёмная термоэдс исчезают.
Электротермический эффект Пельтье
Эффект термоэлектрического охлаждения был открыт и описан в 1834 году французским физиком Жаном Пельтье [2]. Это явление заключается в том, что при прохождении постоянного электрического тока через контакт двух разнородных полупроводников на этом контакте в зависимости от направления тока поглощается или выделяется тепло
QП =
, (4)где QП – теплота Пельтье, Дж; П – коэффициент Пельье, В; I – сила тока, А;
t – время, с.
Причина возникновения эффекта Пельтье на контакте полупроводников с одинаковым видом носителей тока (два полупроводника n-типа или два полупроводника p-типа) такая же, как и в случае контакта двух металлических проводников. Носители тока (электроны или дырки) по разные стороны спая имеют различную среднюю энергию, которая зависит от многих причин: энергетического спектра, концентрации, механизма рассеяния носителей заряда. Если направление тока таково, что носители тока с большей энергией, пройдя через спай, попадают в область с меньшей энергией, они передают избыток энергии кристаллической решетке, в результате чего вблизи контакта происходит выделение теплоты Пельтье (QП>0) и температура контакта повышается. Если же направление тока таково, что носители тока с меньшей энергией, переходя в область с большей энергией, заимствуют недостающую энергию от решетки, происходит поглощение теплоты Пельтье (QП<0) и понижение температуры контакта.
Эффект Пельтье выражен особенно сильно в цепях, составленных из электронных (n-тип) и дырочных (р-тип) полупроводников. В этом случае эффект Пельтье имеет другое объяснение. Если ток в контакте идет от дырочного полупроводника к электронному, при этом электроны и дырки движутся навстречу друг другу и, встретившись, рекомбинируют, то в результате рекомбинации, в соответствии с рис. 1, освобождается энергия, которая выделяется в виде тепла.
Рис. 1 Схема выделения тепла Пельтье на контакте полупроводников
p- и n-типа[11]
Если же ток идет от электронного полупроводника к дырочному, как представлено на рис. 2, при этом электроны в электронном и дырки в дырочном полупроводниках движутся в противоположные стороны, уходя от границы раздела, то убыль носителей тока в пограничной области восполняется за счет попарного рождения электронов и дырок.
Рис. 2 Схема поглощения тепла Пельтье на контакте полупроводников
p- и n-типа[11]
На образование таких пар требуется энергия, которая поставляется тепловыми колебаниями атомов решетки. Образующиеся электроны и дырки увлекаются в противоположные стороны электрическим полем. Поэтому пока через контакт идет ток, непрерывно происходит рождение новых пар. В результате в контакте тепло будет поглощаться.
Электротермический эффект Томсона
Эффект Томсона — одно из термоэлектрических явлений, заключающееся в том, что в однородном неравномерно нагретом проводнике с постоянным током, дополнительно к теплоте, выделяемой в соответствии с законом Джоуля — Ленца, в объёме проводника будет выделяться или поглощаться дополнительная теплота Томсона в зависимости от направления тока [1] (рис. 3).
Количество теплоты Томсона пропорционально силе тока, времени и перепаду температур, зависит от направления тока. Эффект открыт В. Томсоном в 1856 г.
Объяснение эффекта в первом приближении заключается в следующем. В условиях, когда вдоль проводника, по которому протекает ток, существует градиент температуры, причём направление тока соответствует движению электронов от горячего конца к холодному, при переходе из более горячего сечения в более холодное, электроны передают избыточную энергию окружающим атомам (выделяется теплота), а при обратном направлении тока, проходя из более холодного участка в более горячий, пополняют свою энергию за счёт окружающих атомов (теплота поглощается).
Рис. 3. Схема возникновения эффекта Томсона[11]
В полупроводниках важным является то, что концентрация носителей в них сильно зависит от температуры. Если полупроводник нагрет неравномерно, то концентрация носителей заряда в нем будет больше там, где выше температура, поэтому градиент температуры приводит к градиенту концентрации, вследствие чего возникает диффузионный поток носителей заряда. Это приводит к нарушению электронейтральности. Разделение зарядов порождает электрическое поле, препятствующее разделению. Таким образом, если в полупроводнике имеется градиент температуры, то в нем имеется объёмное электрическое поле E'.
Предположим теперь, что через такой образец пропускается электрический ток под действием внешнего электрического поля E. Если ток идет против внутреннего поля E', то внешнее поле должно совершать дополнительную работу при перемещении зарядов относительно поля E', что приведет к выделению тепла, дополнительного к ленц-джоулевым потерям. Если ток (или внешнее поле E) направлен по E', то E' само совершает работу по перемещению зарядов для создания тока. В этом случае внешний источник тратит энергию для поддержания тока меньшую, чем в том случае, когда внутреннего поля E' нет. Работа поля E' может совершаться только за счет тепловой энергии самого проводника, поэтому он охлаждается. Явление выделения или поглощения тепла в проводнике, обусловленное градиентом температуры, при прохождении тока носит название эффекта Томсона [1]. Таким образом, вещество нагревается, когда поля E и E' противоположно направлены, и охлаждается, когда их направления совпадают.
В общем случае, количество тепла, выделяемое в объёме dV, определяется соотношением:
, (5)где τ — коэффициент Томсона.
Свойства и применение термоэлектрических материалов на основе твётдых растворов халькогенидов висмута – сурьмы.
Области применения термоэлектрических материалов.
Материалы на основе твёрдых растворов халькогенидов висмута, теллура и сурьмы широко применяются для изготовления термоэлектрических преобразователей энергии для прямого преобразования тепловой энергии в электрическую.
Термоэлектрические модули используются для производства электроэнергии путем прямого преобразования тепла в электричество. При нагревании термоэлектрического модуля, подключенного к электрической цепи, вырабатывается электроэнергия. Таким свойством обладают термоэлектрические генераторные модули (ТГМ).
В настоящее время термоэлектрические модули активно используются в таких высокотехнологичных областях, как телекоммуникации, космос, высокоточное оружие, медицина и др. Построение современных лазерных, оптических, радиоэлектронных систем немыслимо без применения охлаждающих и термостатируемых систем на базе термоэлектрических модулей. Также термоэлектрические модули активно применяются в бытовой технике: портативных холодильниках, морозильных камерах, в охладителях для питьевой воды и напитках, компактных кондиционерах и т.п.
Основные области применения термоэлектрических модулей и систем на их основе:
Микро- и оптоэлектроника - миниатюрные охладители различных электронных, лазерных и фотоприемных устройств;
Медицина - мобильные охладительные контейнеры, медицинские инструменты и оборудование;
Научное и лабораторное оборудование;
Потребительские изделия - переносные холодильники, охладители питьевой воды и другие устройства;
Устройства климатизации - термоэлектрические кондиционеры различного назначения, устройства стабилизации температуры блоков электронной аппаратуры и т.д.
Широкие перспективы имеет применение ТЭМ в генерировании электроэнергии.
Термоэлектрический генератор позволяет непосредственно получать электричество из любого источника тепла. Преимуществом термоэлектрического генератора является бесшумность в отсутствии вращающихся, трущихся и других изнашиваемых частей.
Преимущества использования термоэлектрических модулей.
Охлаждающие устройства на основе термоэлектрических модулей (элементы Пельтье) выполняют те же функции, что и традиционные компрессионные или абсорбционные агрегаты холодильников, работающие на основе хладагентов.
Обычный способ охлаждения аппаратуры и устройств с помощью радиаторов состоит в общем случае в приёме на себя радиатором выделяющегося охлаждаемым объектом тепла, распределением принятого тепла по своему внутреннему объёму радиатора и рассеивание тепла с оребрённой поверхности. Вне зависимости от конструкции радиатора его температура всегда будет ниже температуры охлаждаемого объекта в соответствии с законом термодинамики. Для интенсификации теплового обмена, возможности получения температуры охлаждаемого объекта ниже температуры окружающей среды служат термоэлектрические модули (элементы Пельтье), выполняющие функцию тепловых насосов.
Использование термоэлектрических модулей имеет ряд преимуществ:
Отсутствие движущихся и изнашивающихся частей;
Экологическая чистота;
Отсутствие рабочих жидкостей и газов;
Бесшумность работы;
Малый размер и вес;
Возможность плавного и точного регулирования холодопроизводительности и температурного режима;
Устойчивость к механическим воздействиям;
Возможность работы в любом пространственном положении;
Легкость перехода из режима охлаждения в режим нагрева.
Указанные преимущества делают термоэлектрические модули очень популярными, что подтверждается постоянным ростом спроса на них во всем мире и возникновением новых областей их использования.
Термоэлектрическая эффективность и пути её повышения.
Получение и преобразование энергии — одно из важнейших направлений деятельности современной цивилизации, лежащее в самой основе её существования. Поскольку наиболее удобная и универсальная форма энергии для практических применений — электрическая, то особое значение имеет разработка наиболее эффективных методов её получения, и поиск таких методов никогда не останавливался. Весьма остро встал вопрос о повышении эффективности преобразования тепловой энергии в электрическую из-за ощущающейся в настоящее время нехватки ископаемых видов топлива и выброса тепловыми электростанциями огромного количества газов, вызывающих парниковый эффект и глобальное изменение климата.
Большое внимание было обращено в этой связи на твердотельные термоэлектрические преобразователи. Последние имеют ряд преимуществ перед традиционными электрическими генераторами: простота конструкции, отсутствие движущихся частей, бесшумность работы, высокая надёжность, возможность миниатюризации без потери эффективности. Они используются и в экологически чистых холодильных агрегатах, поскольку преобразование энергии с их помощью возможно в обоих направлениях. Однако сегодня обеспечиваемая термоэлектрическими устройствами эффективность преобразования ниже, чем у электрических генераторов или холодильников обычной конструкции, и поэтому они не получили широкого распространения в промышленности. В то же время имеется ряд областей применения, где их достоинства перевешивают их недостатки. Они используются как источники электричества на космических аппаратах и в наручных часах, применяются в портативных холодильных агрегатах в быту, в электронном, медицинском и научном оборудовании, в частности для охлаждения инфракрасных приёмников и оптоэлектронных устройств, и даже для кондиционирования сидений в автомобилях высшего класса. Однако для по-настоящему широких промышленных применений термоэлектрических преобразователей энергии необходимо существенное повышение их эффективности.
Основной характеристикой термоэлектрического материала, определяющей функциональную пригодность и эффективность изготавливаемых на его основе преобразователей энергии, является его добротность (термоэлектрическая эффективность), имеющая размерность обратной температуры, которая зависит только от физических свойств материала преобразователя:
Z=2/æ, (6)
где - коэффициент термоэдс; - электропроводность; æ – теплопроводность.
Для определения добротности материала чаще пользуются безразмерной формулой:
ZТ=2Т/æ, (7)
где Т – рабочая температура.
При повышении термоэлектрической эффективности энергетические характеристики устройств улучшаются. Величины α, σ и æ в свою очередь зависят от основных физических параметров вещества, таких, как теплопроводность решетки ϰр, подвижность μ, и эффективная масса m* носителей заряда.
В литературе сформулированы в общем виде принципы оптимизации термоэлектрических материалов:
1. Увеличение электропроводности (увеличение подвижности носителей тока) материала;
2. Увеличение коэффициента Зеебека (увеличение плотности состояний вблизи уровня Ферми) в материале;
3. Уменьшение теплопроводности материала за счет рассеяния фононов на границах зерен.
Максимальной величине Z соответствует определенная концентрация носителей заряда, которая достигается введением легирующих примесей или же смещением состава материала относительно стехиометрического. Таким образом, получение высокоэффективных термоэлектрических материалов на основе Bi2Te3 связано с исследованием их физико-химических свойств и определением легирующего действия примесей, с изучением явлений переноса, зонной структуры и влияния технологических условий на структуру и свойства. Согласно приведённой формуле (6) высококачественный термоэлектрический материал должен одновременно иметь высокую электропроводность, большую термоЭДС и низкую теплопроводность. ТермоЭДС и проводимость определяются только электронными свойствами материала, теплопроводность, напротив, есть сумма электронного вклада æэ и теплопроводности кристаллической решетки æр. Теплопроводность кристаллической решетки – способность ионов, находящихся во взаимодействии между собой, принимать тепловую энергию и передавать ее. Теплопроводность электронного газа – наоборот, если нет взаимодействия с решеткой, то, сколько электронный газ получил энергии, столько он ее и перенес. При очень сильном взаимодействии с решеткой электрон получает энергию, но фактически не переносит ее. Согласно закону Видемана – Франца электропроводность σ прямо пропорциональна электронной теплопроводности æэ. Увеличение проводимости сопровождается не только ростом электронной теплопроводности, но и обычно падением термоЭДС, так что оптимизировать величину ZT оказывается не просто. В природе нет таких материалов, которые имели бы одновременно большие значения термоЭДС и малые значения теплового сопротивления. Противоречие заключается в том, что высокую электропроводность обеспечивают электроны за счет слабого взаимодействия с кристаллической решеткой, но и доля теплоты, которую переносят электроны, очень значительна. Поэтому существует задача создания материала с высокой термоэлектрической добротностью, т.е. с оптимальными коэффициентами термоЭДС, теплопроводности и электропроводности.
В последние десятилетия достигнуты высокие значения термоэлектрической эффективности Z=3,2·10-3К-1 на материале, полученном методом вертикальной зонной плавки за счет, использования анизотропии кристаллической решетки (для электропроводности σ р-типа она достигает 2÷3, а для σ n-типа - 4÷6) . При этом надо отметить, что в общей массе термоэлектрические параметры материала n-типа всегда уступают таковым для материала р-типа проводимости. Однако, материал, полученный зонной плавкой, имеет очень низкие механические свойства из-за раскалывания кристаллов по плоскостям спайности, между которыми преобладают ван-дер-ваальсовские силы связи, что ведёт к большим потерям материала при механической обработке. Поэтому весьма привлекательным и перспективным остается метод горячей экструзии, который позволяет получать стержни термоэлектрического материала нужной конфигурации и с достаточно высокими величинами термоэлектрической эффективности Z ≥2,8·10-3К-1 для n-типа проводимости и Z ≥ (3,0÷3,2)·10-3К-1 для р-типа проводимости (что соответствует мировому уровню). Экструдированный материал по механическим свойствам в 2-3 раза превышает материал после зонной плавки.
В настоящее время широкую популярность получило изготовление и изучение объёмных наноструктурированных термоэлектрических материалов. Наноструктуры – это структуры, характерные физические размеры которых равны нанометрам, т. е. 10-9 – 10-7м. Когда физические размеры тела в одном или нескольких измерениях уменьшаются до нанометров, факторы, определяющие электронное строение, изменяются благодаря возникающим квантовым эффектам. Увеличение термоэлектрической эффективности в наноструктурированных термоэлектриках в основном связано с уменьшением решёточной теплопроводности в результате возрастания рассеяния фононов на границах нанозёрен и структурных дефектах внутри зёрен.
Выбор оптимальной концентрации носителей тока.
Один из самых простых с технологической точки зрения метод улучшения термоэлектрических свойств полупроводникового материала – выбор оптимального уровня легирования, т. е. такого, который обеспечивает максимальное значение термоэлектрической добротности. Существование оптимального уровня концентрации электронов связано с тем, что при увеличении электронной концентрации проводимость обычно растёт, а термоЭДС падает. Это падение можно понять, если вспомнить механизм возникновения термоЭДС.
Если в образце с электронной проводимостью существует перепад температуры, то электроны на горячем конце имеют более высокие энергии и скорости, чем на холодном, и более интенсивно диффундируют к холодному концу, чем двигающиеся им на встречу электроны с холодного конца, имеющие меньшие энергии и скорости. В результате возникает поток электронов с горячего конца на холодный, и на холодном конце образуется отрицательный заряд, а на горячем остается нескомпенсированный положительный. Таким образом возникает объемная термоЭДС.
Ясно, что если материал содержит носители заряда разных знаков, то их вклады в термоЭДС будут вычитаться, потому что и электроны, и дырки идут с горячего конца образца на холодный, однако приносят с собой заряды противоположного знака. По этой причине хороший материал для термоэлектрических применений должен иметь монополярную проводимость.
Вернёмся теперь к зависимости термоЭДС от концентрации носителей заряда. При увеличении концентрации газ носителей заряда становится вырожденным, когда уровень Ферми (электрохимический потенциал) попадает в зону проводимости, а энергия Ферми, т. е. расстояние от уровня Ферми до дна этой зоны, превосходит величину k (где k – константа Больцмана). Энергия и скорость частиц определяются при этом величиной энергии Ферми и почти не зависят от температуры, поэтому электронные потоки с холодного и горячего концов образца различаются незначительно и термоЭДС оказывается мала.
Значительно больших значений термоЭДС и термоэлектрической добротности можно ожидать в случае полупроводников и полуметаллов в условиях, когда концентрация не слишком мала, но сильное вырождение отсутствует.
Наибольшее значение (σ
α2) в материале n-типа получается, когда уровень Ферми электронов лежит вблизи края зоны проводимости. В этом случае сильного вырождения ещё нет, а асимметрия плотности состояний и вкладов носителей заряда электронного и дырочного типа значительна. Кроме того, при таком положении уровня Ферми оказывается очень мала концентрация дырок, уменьшающих термоЭДС в материале с электронной проводимостью. Зависимость электропроводности, термоЭДС и теплопроводности от концентрации электронов и дырок представлена на рис. 4.
Рис. 4 Зависимость параметров α, σ и æ от концентрации носителей [1].
Выводы
Сегодня термоэлектрический материал, полученный методами направленной кристаллизации и горячей экструзии, имеет добротность на уровне ZT1, что серьёзно тормозит широкое использование их для изготовления высокоэффективных термоэлектрических преобразователей энергии. В настоящее время большое внимание технологов привлекают наноструктурированные термоэлектрические материалы, полученные методами порошковой металлургии, использующие современное технологическое оборудование, включая высокоэнергетические шаровые мельницы, аттриторы, перчаточные боксы для работы с высоко дисперсными порошками, имеющими защитную атмосферу (Ar, N2) с низким содержанием остаточного кислорода и влаги, и метод искрового плазменного спекания (метод SPS) для компактирования наноразмерных порошков, а также разнообразные методы измерения термоэлектрических свойств материала.
В настоящей работе поставлена задача: исследование и разработка метода получения наноструктурированных композитов на основе твёрдых растворов висмута - сурьмы с полиэдрическими углеродсилоксановыми частицами типа «ядро-оболочка».
Список использованной литературы
Иорданошвили Е.К. Полупроводниковые термоэлектрические материалы. 1963
Иоффе А.Ф. Полупроводниковые термоэлементы. – М.: Изд. АН СССР, 1960.
Smith M.J., Кnight R.J., Spenсer C.W. // J. Appl. Phys.– 1962.– V. 33.– P. 186–187.
Ridley B.K. // Phys.- 1982.- V. 6.- P. 15-22.
Poudel B., Hao O., Ma Y. e.a. // Sience.- 2008.- V. 320.- P. 634-652.
Lan Y., Minnisch A.J., Chen G. e.a. // Adv. Funct. Mater.- 2010.- V. 20.- P. 337-339
Булат Л.П., Драбкин И.А., Каратаев В.В. и др. // ФТТ.- 2010.- № 9.- С. 1712-1726.
Bulat L.P., Bublik V.T., Drabkin I.A. e.a. // Journal of Electronic Materials.- 2010.- V. 39.- P. 1650-1653.
US 2010/0108115 A1 от 6 мая 2010г. Авторы: K.Lee at al (SAMSUNG ELECTRONICS Co., LTD. Ю.КОРЕЯ)
Вайнер А.Я. Термоэлектрические охладители. – М.; Радио и связь, 1993.
Гольцман Б.М., Кудинов В.А., Смирнов И.А. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Te3. – М.: Наука, 1972.
Драбкин И.А. Способы получения термоэлектрических материалов на основе теллурида висмута, их сравнительная характеристика // Термоэлектрическое охлаждение: Текст лекций.- СПб., 2002.- С. 72-84.
Андреева А.Н. Термоэлектрические свойства полупроводников. – М.: Изд. АН СССР, 1963.
Harman T.C. // J. Appl. Phys.- 1958.- V. 29.- P. 1373-1382.
А.Н. Баратов А.Я, Корольченко, Г.Н. Кравчук и др. Пожаровзрывоопасность веществ и материалов и средства их тушения. Кн.1. М.: Химия, 1990; 496 с.
А.Л. Бандман, Г.А.Гудзовский, Л.С. Дубейковская и др.//.Вредные химические вещества. Неорганические соединения элементов I-IV группы: Справ.изд.:Химия, 1988. –512 с.
Безопасность производства и труда на химических предприятиях / И.А. Роздин, Е.И. Хабарова, О.Н. Вареник. М.:Химия, КолосС, 2005. 254 с.: ил. (Учебники и учеб. пособия для студентов высш. учеб. заведений).
Беспамятнов Г.П., Кротов Ю.A. // Предельно допустимые концентрации химических веществ в окружающей среде .Л.:Химия, 1985, 528с.
Федров Л.А., Экономические и организационные вопросы в дипломных работах, учебное пособие, МИСиС, 2008.