эл.магн.совм._. Индивидуальное задание 5 Расчет импульсной помехи6
![]()
|
![]() Индивидуальное задание 5 Расчет импульсной помехи6 Расчет экранирующего действия 9 Список использованной литературы12 ![]() Дан импульс трапециевидной формы, амплитудой Uм, действительностью ![]() Требуется: А) Аппроксимировать тремя отрезками прямых огибающую спектральной плотности распределения амплитуд; Б) Найти эффективную ширину П полосы частот импульса; В) Определить огибающую спектральной плотности распределения амплитуд по прохождении импульса через канал передачи, имеющий амплитудно-частотную характеристику А(f) ![]() Г)Найти амплитуду ![]() ![]() ![]() ![]() 2. Даны параметры плоского экрана: относительные электрическая ![]() ![]() ![]() Требуется: А) Рассчитать по методу полных сопротивлений коэффициенты затухания электромагнитного экрана в ближней зоне на расстоянии равном половине ее максимального диаметра, в дальней зоне; Б) Определить величины напряженностей электрического и магнитного полей внутри экрана для ближней и дальней зон. 3. Ответить на контрольный вопрос, данный в таблице 2. ![]() ![]()
Таблица 1 – Параметры импульсной помехи
Таблица 2 – Амплитудно-частотная характеристика канала передачи помех. ![]() ![]() Для трапециевидного импульса, который описывает большинство импульсных помех плотность распределения амплитуд определяется U(f)=2 ![]() выражением: При ![]() ![]() Для низкочастотного диапазона f ![]() ![]() ![]() U(f)= 2 ![]() оси абсцисс, так как синус приблизительно равен своему аргументу: Для среднечастотного диапазона (1/( ![]() U(f)= 2 ![]() ![]() ![]() ![]() u(f)дБ=20lg ![]() то есть спад амплитуды с частотой составляет 20дБ/декаду: В высокачастотном диапазоне f ![]() ![]() ![]() ![]() или U(f)= 2 ![]() ![]() ![]() u(f)дБ=20lg ![]() то есть 40дБ/декаду. Сначала вычислим fн и fв для среднечастотного диапазона: fн = ![]() ![]() fв = ![]() ![]() U(f)= 2 ![]() ![]() ![]() ![]() U(f)= ![]() Для высокочастотного диапазона: f = 0,1МГц f ![]() 2* ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() Площадь импульса: где, ![]() u(f)дБ = 20lg ![]() ![]() ![]() ![]() U = ![]() ![]() Плотность распределения амплитуд импульса: где, u( ![]() U= ![]() ![]() Крутизна фронта нарастания импульса: ![]() ![]() ![]() Задание №2. Рассчёт экранирующего действия. Общий коэффициент затухания электромагнитного экрана состоит из коэффициента затухания вследствие отражения на граничных плоскостях Р, коэффициента затухания из-за поглощения в стенке экрана П (переход энергии электромагнитного поля в тепло), корректирующего коэффициента В, учитывающего многократные волны отражения внутри экрана: ![]() Рассмотрим расчет каждого из компонентов в отдельности. Коэффициент затухання вследствие отражения. Этот коэффициент состоит из двух составляющих, они обусловлены двумя граничними плоскостями – снаружи и внутри экрана. При условии, что волновое сопротивление внешней области ZВШ значительно больше волнового сопротивления матереиала стенки экрана ZЭ большая часть энергии, приходящейся на граничную плоскость снаружи экрана отражается обратно к источнику. ![]() Отношение напряженностей электромагнитного поля падающей и прошедшей волн определяется формулой: Аналогичным образом это отношение определяется и на внутренней ![]() стенке экрана – на внутреннем пограничном слое. Суммарное влияние отражения можно получить из отношения: ![]() Введя обозначение k= ![]() Переходя к логарифмическим характерисикам получаем выражение для коэффициента затухания вследствие отражения: ![]() ![]() для его определения необходимо знать волновые сопротивления. Волновые сопротивления в пространстве источника помехи для дальней зоны: ![]() для ближней зоны в высокоомных полях: ![]() ![]() ![]() ![]() Выразим коэффициенты затухания вследствие отражения через параметры материала экрана и частоту: Дальняя зона: ![]() ![]() Электрическое поле в ближней зоне: ![]() ![]() Магнитное поле в ближней зоне: ![]() ![]() где r – расстояние от источника помехи, м; f – частота, МГц; ![]() ![]() ![]() Рассчитаем коэффициенты затухания вследствие отражения для дальней и ближней зон. Дальняя зона: ![]() ![]() ![]() Ближняя зона: (r=0,1 м) ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() Коррекция коэффициента затухания при многократном отражении ![]() ![]() волны в стенке экрана осуществляется на основании формулы: где ![]() ![]() ![]() Список использованной литературы 1. Шваб Адольф Электромагнитная совместимость: Пер. с нем. В.Д. Мазина и С.А. Спектора 2-е изд., перераб. и доп./ Под. ред. Кужекина. М.: Энергоатомиздат, 1998, 480 с. 2. Математические модели и методы обработки измерительных сигналов емкостных преобразователей на постоянном токе : монография / М. А. Мастепаненко, И. Н. Воротников, С. В. Аникуев, И. К. Шарипов. Ставрополь : АГРУС Ставропольского гос. аграрного ун-та, 2015. 232с. 3. Хабигер Э. Электромагнитная совместимость. Основы ее обеспечения в технике: Пер. с нем. / И.П. Кужекин, Под ред. В.К. Максимова. - М.: Энергоатомиздат, 1995.- 304 с.: ил. 4. Иванов В.А., Ильинский Л.Я., Фузик М.И. Электромагнитная совместимость радиоэлектронных средств. Киев: Техника, 1993. 5. Воротников И. Н., Мастепаненко М. А. Способы измерения электрической емкости по параметрам переходного процесса // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика. 2013. № 10. С. 60–65. 6. Воротников И. Н., Мастепаненко М. А. Исследование методов измерения электрической емкости на постоянном токе // Методы и средства повышения эффектив ности технологических процессов АПК : сб. науч. ст. по материалам Междунар. науч.-практ. конф. Ставрополь :АГРУС Ставропольского гос. аграрного ун-та. 2013. С. 66–68. ![]() |