Исследование характеристик и параметров биполярного транзистора
 Скачать 2.27 Mb.
|
|
Исследование характеристик и параметров биполярного транзистора Введение Цель работы: первичное знакомство с пакетом Electronics Workbench, в процессе которого студентам следует научиться строить схемы на экране монитора, подключать измерительные приборы, изменять параметры элементов и запускать схему в работу. Исследование характеристик и параметров биполярного транзистора подразумевает снятие статических характеристик транзистора и вычисление с их помощью параметров транзистора. Эти характеристики и параметры потребуются в дальнейших лабораторных работах. 1. Результаты работы и их анализ .1 Нами был выбран полевой транзистор «2N3947» Снимем входную  и проходную  статические характеристики выбранного биполярного транзистора. Для этого целесообразно использовать отдельные источники питания для коллектора и базы (еще удобнее для питания базовой цепи пользоваться источником тока - см. рис. 2.1) Рис. 2.1 - Схема снятия статистических характеристик Характеристики снимем при фиксированном напряжении на коллекторе 5 В. Целесообразные значения тока коллектора 0,5  15 мА. С учетом этого выбираются значения тока источника в цепи базы.Результаты измерений занесем в таблицу 2.1: Таблица 2.1 - Статистические характеристики транзистора
Построим характеристики  и для дальнейшего использования. Рис. 2.2 - Входная статическая характеристика  Рис. 2.3 - Проходная статическая характеристика Выберем положение рабочей точки по входной характеристике и обеспечим ее в схеме питания фиксированным током базы: Iб0 = 60 мкА; Iк0 = 10.7 мА; Uб0 = 0.765 мВ Для того чтобы напряжение на коллекторе осталось примерно тем же, следует обеспечить соответствующее увеличение напряжения питания по формулам (2.1) и (2.2)  (2.1) (2.2) Рисунок 2.4 - Схема питания фиксированным током базы Получим: E= 15.7 В; Uк0= 5 В; Rк = 1000 Ом; Ik0= 0.0107 А; Rб= 248.83 Ом Перейдем к схеме коллекторной стабилизации (рис.8, б) и обеспечим тот же режим работы транзистора.  . (2.3) Рисунок 2.5 - Схема коллекторной стабилизации По формуле (2.3) получим: Iб0= 0,00006 А; Uб0= 0,765 В Поставим в цепь эмиттера сопротивление (рисунок 2.6) и, задавшись током делителя, равным десятикратному току базы, обеспечим тот же самый режим работы в схеме эмиттерной стабилизации. При этом увеличим напряжение питания на величину, соответствующую падению напряжения на сопротивлении в цепи эмиттера  В. (2.4) (2.5) (2.6) Рисунок 2.6 - Схема эмиттерной стабилизации По формулам (2.4 - 2.6) получим: Uэ= 10.76 А; Rэ= 1000 Ом; Iк0= 10.7 мА; Iб0= 60 мкА; Iдел= 0.6 мА; Rб1 =19 кОм; Rб2 = 22.62 кОм; Найдем дополнительные характеристики транзистора 2N3947 Zвх и S из формул (2.7) и (2.8).  (2.7) (2.8)биполярный транзистор статистический Таблица 2.1 - Характеристики транзистора
- |