микроэлектроника полупроводниковые диод. лаб 1 микро Абызбай Аскен. Исследование параметров полупроводникового диода и построение его вольтамперной характеристики
Скачать 1.03 Mb.
|
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РЕСПУБЛИКИ КАЗАХСТАН УНИВЕРСИТЕТ САТПАЕВ Институт Автоматики и Информационных технологии Кафедра Программная инженерия ЛAБОРАТОРНАЯ РАБОТА №1 Тема: Исследование параметров полупроводникового диода и построение его вольтамперной характеристики
Преподаватель: Ұзақ М.Қ. Выполнил: Абызбай Асхат Специальность: 6B06301 Информационная безопасность ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВЦель работы: Исследование параметров полупроводникового диода и построение его вольтамперной характеристики Эксперимент 1 – Измерение напряжения и тока через диод Напряжение при прямой полярности (Uпр): 0,693 В Ток при прямой полярности(Iпр): 4,307 мА Напряжение при обратной полярности(Uоб): 4,995 В Ток при обратной полярности(Iоб): 4,995 мА Рассчитанные токи: Ток при прямой полярности: Iпр= (E - Uпр)/R, Iпр = (5 – 0,693)/1000 = 4,307 * 10-3 = 4,307 мА Ток при обратной полярности: Iоб= (E – Uоб)/R, Iоб= (5 – 4,995)/1000 = 0,005 * 10-3 = 5 мкА Эксперимент 2 – Измерение статического сопротивления диода Сопротивление диода при прямом смещении Rпр = 69,29 МОм Сопротивление диода при обратном смещении Rоб = 499,5 Мом Эксперимент 3 – Снятие вольтамперной характеристики диода Вычислите и запишите токи и напряжения.
Построение графиков ВАХ. График Iпр (Uпр) График Iоб (Uоб) Эксперимент 4 – Получение ВАХ на экране осциллографа Вывод: В этой работе я познакомился с диодом, с вольт- амперной характеристикой диода. Научился измерять напряжение и ток через диод, сопротивление в режиме омметра. |