2 лр. Исследование работы полевого транзистора 1 Цель работы исследовать вольтамперные характеристики полевого транзистора

• Название: Исследование работы полевого транзистора 1 Цель работы исследовать вольтамперные характеристики полевого транзистора
• Дата: 27.06.2022
• Размер: 253.52 Kb.
• Имя файла: 2 лр.docx
• Тип: Исследование; #616487

Л абораторная работа №3

Исследование работы полевого транзистора

1 Цель работы: исследовать вольт-амперные характеристики полевого транзистора

2 Оснащение рабочего места:

- персональный компьютер;

- среда схемотехнического моделирования Multisim (Electronics Workbench);

- методические указания




Рисунок 1 - Схема для исследования полевого транзистора

Таблица 3.1 – Результаты измерений

UЗИ, В	0 В	0,4 В	0,8 В	1,2 В
Iс, мА
UСИ, В

Рисунок 3.2 - Стоковые характеристики полевого транзистора по схеме
с общим истоком

Основные параметры полевого транзистора:

1. Крутизна стоко-затворной характеристики: .

2. Внутреннее дифференциальное сопротивление:

3. Входное сопротивление: .

Вывод: в процессе выполнения работы я исследовал вольт-амперные характеристики полевого транзистора.

Ответы на контрольные вопросы:

1. 
   Полевой транзистор – полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.
   

Виды полевых транзисторов: обогощённого типа с n-каналом, обедненного типа с n-каналом с двумя затворами, с управляющим p-n переходом p-типа.

2. 
   с управляющим p-n-переходом:
   

 с изолированным затвором:

3 . Прибор для проверки основных параметров маломощных полевых транзисторов выполнен на основе недорогих цифровых мультиметров, возможно, даже с неисправными переключателями пределов измерения. Это минимизировало затраты труда по монтажу и изготовлению конструкции. Цифровые показания несколько облегчают сравнение транзисторов и подбор пар для дифференциальных каскадов. Крутизну транзисторов определяют простейшим расчетом.

4. 1 элемент – буква, обозначающая материал, на основе которого выполнен транзистор (Г – германий, К – кремний, А – арсенид галлия);2 элемент – буква Т (транзистор биполярный), буква П (транзистор полевой);3 элемент – порядковый номер разработки прибора, характеризующий его мощность рассеяния и частотные свойства;4 элемент – буква, характеризующая свойства транзистора внутри одного типа (допустимые ток и напряжение).В соответствие с табл. 6.3: КТ805А – транзистор биполярный кремниевый большой мощности, предназначенный для работы с частотой до 30 МГц; ГТ150Б – транзистор германиевый низкочастотный транзистор малой мощности.

5.В биполярных транзисторах происходит перенос как основных носителей заряда в полупроводнике, так и неосновных; в полевых — только основных. Управление током прибора в биполярных транзисторах осуществляется за счет заряда неосновных носителей, накапливаемых в базовой области; в полевых — за счет действия электрического поля на поток носителей заряда, движущихся в полупроводниковом канале, причем поле направлено перпендикулярно этому потоку.

6.Входное сопротивление.Оно определяется сопротивлением обратно смещенного p-n перехода и обычно достигает единиц и десятков МОм (что выгодно отличает полевые транзисторы от биполярных «родственников»).