Отчет по Термо-ЭДС. Измение концентрации носителей заряда в полупроводниках методом термоэдс
Скачать 46.27 Kb.
|
1 2 По формуле (2.2) была рассчитана концентрация дырок: По формуле (2.4) была рассчитана дырочная электропроводность: В таблице 3.1 представлены экспериментальные и расчетные данные. Таблица 3.1 – экспериментальные и расчетные данные
Продолжение таблицы 3.1
На основе полученных данных были построены следующие температурные зависимости. На рисунке 3.1 представлен график температурной зависимости напряжения. Рисунок 3.1 – зависимость напряжения от температуры На рисунке 3.2 представлен график температурной зависимости интегральной термо-ЭДС. Рисунок 3.2 – зависимость интегральной термо-ЭДС от температуры На рисунке 3.3 представлен график температурной зависимости концентрации дырок. Рисунок 3.3 – зависимость концентрации дырок от температуры На рисунке 3.4 представлен график температурной зависимости дырочной электропроводности. Рисунок 3.4 – зависимость дырочной электропроводности от температуры Заключение В результате проделанной лабораторной работы был установлен тип проводимости образца – p тип. При росте температуры интегральная термо-ЭДС уменьшается. 1 2 |