Главная страница

Отчет по Термо-ЭДС. Измение концентрации носителей заряда в полупроводниках методом термоэдс


Скачать 46.27 Kb.
НазваниеИзмение концентрации носителей заряда в полупроводниках методом термоэдс
АнкорОтчет по Термо-ЭДС
Дата12.01.2020
Размер46.27 Kb.
Формат файлаdocx
Имя файлаОтчет по Термо-ЭДС.docx
ТипЛабораторная работа
#103733
страница2 из 2
1   2


По формуле (2.2) была рассчитана концентрация дырок:



По формуле (2.4) была рассчитана дырочная электропроводность:


В таблице 3.1 представлены экспериментальные и расчетные данные.

Таблица 3.1 – экспериментальные и расчетные данные

T1, К

T2, К

ΔT, К

ΔU, мВ

α, мВ/К

P, м-3

NV, м-3

σp, Ом‧м-1

294

298

4

2,2

0,55

2,39‧1021

1,04‧1025

23,15

294

301

7

3

0,429

9,93‧1021

1,06‧1025

95,09

294

304

10

4

0,4

1,40‧1022

1,07‧1025

133,1

294

307

13

4,7

0,362

2,22‧1022

1,09‧1025

208,91

294

310

16

5,3

0,331

3,21‧1022

1,10‧1025

298,26

294

313

19

6

0,316

3,89‧1022

1,12‧1025

358,54

294

316

22

6,5

0,295

5,00‧1022

1,14‧1025

456,04

294

319

25

7,2

0,288

5,53‧1022

1,15‧1025

499,56

294

322

28

7,8

0,279

6,25‧1022

1,17‧1025

559,88

294

325

31

8,4

0,271

6,93‧1022

1,19‧1025

614,32

294

328

34

8,8

0,259

8,09‧1022

1,20‧1025

710,46

Продолжение таблицы 3.1

T1, К

T2, К

ΔT, К

ΔU, мВ

α, мВ/К

P, м-3

NV, м-3

σp, Ом‧м-1

294

331

37

9,3

0,251

8,94‧1022

1,22‧1025

778,29

295

334

39

9,7

0,249

9,34‧1022

1,24‧1025

806,05

296

337

41

10,2

0,249

9,46‧1022

1,25‧1025

809,08

297

340

43

10,5

0,244

1,01‧1023

1,27‧1025

857,13

300

343

43

10,8

0,251

9,45‧1022

1,29‧1025

794,01


На основе полученных данных были построены следующие температурные зависимости.
На рисунке 3.1 представлен график температурной зависимости напряжения.



Рисунок 3.1 – зависимость напряжения от температуры


На рисунке 3.2 представлен график температурной зависимости интегральной термо-ЭДС.



Рисунок 3.2 – зависимость интегральной термо-ЭДС от температуры
На рисунке 3.3 представлен график температурной зависимости концентрации дырок.



Рисунок 3.3 – зависимость концентрации дырок от температуры

На рисунке 3.4 представлен график температурной зависимости дырочной электропроводности.


Рисунок 3.4 – зависимость дырочной электропроводности от температуры
Заключение

В результате проделанной лабораторной работы был установлен тип проводимости образца – p тип. При росте температуры интегральная термо-ЭДС уменьшается.
1   2


написать администратору сайта