Отчет по Термо-ЭДС. Измение концентрации носителей заряда в полупроводниках методом термоэдс
 Скачать 46.27 Kb.
|
1 2 Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР) Кафедра Физической Электроники (ФЭ) ИЗМЕНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ МЕТОДОМ ТЕРМО-ЭДС Лабораторная работа №4 по дисциплине «Физика полупроводников» Студент гр. 326 _________ М.Д. Маликов «___»_________2018 г. Проверил Ассистент кафедры ФЭ ________ В.В. Каранский «__»_______2018 г. Томск 2018 1 Введение Целью данной лабораторной работы является изучение зависимости термо-ЭДС полупроводников от температуры и методики определения концентрации основных носителей. 2 Основные расчетные формулы Интегральная термо-ЭДС:  , (2.1) где  – напряжение на полупроводнике; – разность температур.Зависимость концентрации от величины термо-ЭДС:  , (2.2)где  – величина термо-ЭДС;– заряд электрона; – постоянная Больцмана;  – эффективная плотность состояний в валентной зоне полупроводника: , (2.3)где  – эффективная масса дырок;– постоянная Больцмана; – температура горячего электрода; – постоянная Планка. Дырочная электропроводность:  , (2.4)где  – заряд электрона; – подвижность дырок;– концентрация дырок. 3 Расчетная часть По формуле (2.1) было рассчитано значение интегральной термо-ЭДС:  По формуле (2.3) была рассчитана эффективная плотность состояний в валентной зоне полупроводника: 1 2 |