Тест 1 схемотехника. Коэффициент усиления по мощности
 Скачать 0.63 Mb.
|
|
Область безопасной работы транзистора определяет границы интервала надежной работы транзистора без захода в область одного из видов пробоя. Границы областей безопасной работы (ОБР) транзистора зависят от температуры его корпуса. С увеличением температуры корпуса транзистора границы ОБР, обусловленные тепловым пробоем, перемещаются влево. Границы ОБР, обусловленные лавинным или вторичным пробоем, практически от температуры не зависят. Различают статическую и импульсную ОБР. Статическая ОБР ограничивается участками: токового пробоя, теплового пробоя, вторичного пробоя и лавинного пробоя. При построении ОБР в логарифмическом масштабе все ее участки имеют вид прямых линий. Импульсная ОБР определяется максимальным импульсным током коллектора и максимальным импульсным напряжением пробоя Коэффициент усиления по мощности:  Импульсный усилитель — усилитель, предназначенный для усиления импульсов тока или напряжения с минимальными искажениями их формы. Входной сигнал изменяется настолько быстро, что переходные процессы в усилителе являются определяющими при нахождении формы сигнала на выходе. Основной характеристикой является импульсная передаточная характеристика усилителя. Импульсные усилители имеют очень большую полосу пропускания: верхняя граничная частота нескольких сотен килогерц — нескольких мегагерц, нижняя граничная частота обычно от нуля герц, но иногда от нескольких десятков герц  АЧХ усилителей: 1 — без коррекции; 2 — с коррекцией по низкой частоте; 3 — с коррекцией по высокой частоте Искажения импульса в усилителе: 1 — идеальный импульс; 2 — импульс после усилителя  Схема усилителя   1 – выбор рабочей точки 2 – перенос рабочей точки на прямую усиления Основное включение – включение с общим эмиттером Эта схема дает наибольшее усиление по напряжению и току. Повторитель тока – схема включения с общей базой Коэффициент усиления по току у нее всегда немного меньше единицы. Повторитель напряжения – схема включения с общим коллектором Коэффициент усиления по напряжению у нее всегда немного меньше единицы.  Эмиттерный повторитель. Характеризуется высоким коэффициентом усиления по току, коэффициент передачи по напряжению близок к единице. При этом входное сопротивление повторителя относительно велико, а выходное сопротивление — мало. Обладает широким диапазоном усиливаемых частот. В эмиттерном повторителе транзистор включён по схеме с общим коллектором (ОК). То есть, потенциал коллектора при работе каскада неизменен относительно «земли» и коллектор обычно подключается к источнику питания. Так как повышается сила тока, следовательно, и мощность, отдаваемая в нагрузку, тоже будет больше, так как P=IU. Последовательная ООС по напряжению уменьшает и стабилизирует коэффициент усиления по напряжению K, снижает как частотные (уменьшает М), так и нелинейные искажения (уменьшает КГ), повышает входное сопротивление и уменьшает выходное сопротивление усилителя. Последовательная ООС по току уменьшает и стабилизирует коэффициент усиления по напряжению K при постоянной нагрузке R, снижает искажения (уменьшает КГ и М), повышает входное и выходное сопротивления усилителя. Параллельная ООС по напряжению уменьшает и стабилизирует коэффициент усиления по напряжению К при постоянном сопротивлении источника сигнала RГ, снижает искажения (уменьшает КГ и М), уменьшает входное R и выходное сопротивления усилителя. Параллельная ООС по току уменьшает и стабилизирует коэффициент усиления по току K снижает искажения токовых сигналов (уменьшает коэффициенты частотных М и нелинейных КГ искажений), уменьшает входное и увеличивает выходное сопротивления усилителя.  Участок 1 соответствует активному режиму работы транзистора, когда эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный - в обратном. Для управления током базы мы увеличиваем напряжение Uбэ, что в соответствии со входными характеристиками приводит к увеличению тока базы. А это уже в соответствии с выходной характеристикой в активном режиме приводит к росту тока коллектора. На этом участке выходной характеристики ток коллектора все-таки незначительно зависит от напряжения Uкэ (возрастает с увеличением напряжения). Это связано с процессами, протекающими в биполярном транзисторе. Чем меньше толщина базы, тем меньше вероятность рекомбинации носителей в ней. А это, в свою очередь, приводит к тому, что коэффициент передачи тока β несколько увеличивается. Это и приводит к увеличению тока коллектора. Система H–параметров вводится как система, у которой независимыми являются Iвх и Uвых, а зависимыми Iвых и Uвх.    – входное сопротивление; – коэффициент обратной связи по напряжению; – коэффициент передачи по току; – выходная проводимость.Преимущество H–параметров состоит в удобстве их экспериментального определения в режимах близких к режимам работы транзисторов в практических схемах. В этом случае система h-параметров позволяет связать между собой амплитудные (действующие) значения переменных составляющих входных и выходных токов и напряжений. |