ОРЭ кр20. Контрольная работа 2 По курсу Основы радиоэлектронике Вариант 13 Студентзаочник 2 курса группы 883871 фио мартынюк Павел
Скачать 0.85 Mb.
|
Министерство образования республики Беларусь Учреждение образования «БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ» Институт информационных технологий Специальность Программируемые мобильные системы КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА №2 По курсу Основы радиоэлектронике Вариант № 13 Студент-заочник 2 курса группы № 883871 ФИО Мартынюк Павел Петрович Адрес г. Жодино ул. Рокоссовского 14-12 Тел. +375(25)5251749 Минск, 2020 Задача 1,а. На вход резонансного усилителя подается АМ-колебание вида При этом частота несущего колебания fн совпадает с резонансной частотой контура fk. Определить необходимую полосу пропускания контура, его добротность и сопротивление потерь в контуре, при которых АМ-колебание будет проходить через усилитель без искажений. Рассчитать и построить спектр АМ-колебания на выходе усилителя. Исходные данные: Um=3 B; fк=400 кГц; FM=12 кГц; m=70%; L=800 мкГн; С=- пФ; k=-0.02; Как изменится спектр сигнала на выходе усилителя, если абсолютная расстройка ? Построить (качественно) спектр выходного сигнала и его векторную диаграмму для указанной в задании расстройки. Решение: Из условия, что резонансная частота контура определяется значением fн определяем необходимую емкость контура: Определяем ширину спектра сигнала: Определяем добротность контура: Определяем сопротивление потерь в контуре: Рассчитываем и строим спектр и векторную диаграмму выходного сигнала: Несущая амплитуда: Боковые амплитуды: Рис. 1.1. Спектр AМ сигнала Рис 1.2. Векторная диаграмма АМ сигнала Рассмотрим изменение сигнала при заданной расстройке Δ=8 кГц Рассчитываем величину относительной расстройки: Тогда, при заданной расстройке величина выходного сигнала на резонансной частоте: Для этого значения строим спектр AМ сигнала. Рис 1.3. Спектр AМ сигнала при расстройке Рис 1.4. Векторная диаграмма АМ сигнала при заданной расстройке Задача 2. Автогенератор с контуром в цепи коллектора и индуктивной связью генерирует колебания с частотой f0 = 1 МГц. Добротность контура Q = 50, взаимная индуктивность М = 5 мкГн. Характеристика транзистора аппроксимируется полиномом третьей степени . Выбрать величину смещения на базе транзистора для мягкого и жесткого режимов работы автогенератора и оценить амплитуды стационарных колебаний для этих режимов. Решение: Воспользуемся тригонометрическими формулами: Путем подстановки этих выражений в исходную характеристику транзистора, получаем выражение тока с разложением на гармонические составляющие: В соответствии с условием задачи, Соответственно, средняя крутизна вольт амперной характеристики транзистора определяется выражением: По заданным параметрам определяем числовое значение средней крутизны: По заданному выражению i(U) и полученному S(U) строим соответствующие графики. Рис 2.1. Характеристики i(U); S(U) По построенной характеристике S(U) делаем вывод, что автогенератор работает в жестком режиме. При этом, уравнение SСР= S(U) имеет два решения. Т.к более устойчивым является большее значение UmБЭ , то по графику находим соответствующее решение для найденного SСР=0.6 мА/В. UmБЭ =3.5 В – величина смещения на базе транзистора. Задаем значение индуктивности таким образом, чтобы значение коэффициента обратной связи Рис. 2.2. Представление схемы генератора с контуром в цепи коллектора в виде обобщенной схемы Соответственно, величина амплитуды напряжения на коллекторе Задача 3. Начертить спроектированную на транзисторах КТ315Б схему симметричного мультивибратора, произвести расчет всех элементов схемы, определить амплитуду и время нарастания выходного напряжения, построить в масштабе временные диаграммы, иллюстрирующие работу рассчитанного устройства, если напряжение источника питания в каждом варианте ЕК=10 В. Для ждущего режима определить параметры запускающего импульса. Исходные данные: Режим работу – Ждущий режим Частота запуска fЗАП.=0.7 кГц; длительность импульса τ=2 мс. Рис. 3.1. Схема ждущего мультивибратора 1. Выписываем справочные параметры транзистора КТ315Б. - граничная частота транзистора в схеме с общей базой. - максимальное допустимое напряжение между базой и коллектором - минимальное значение коэффициента усиления по току. - импульсный ток коллектора. 2. Рассчитаем сопротивление резистора в цепи коллектора транзистора VT2. Где Iк2.нас – ток насыщения коллектора транзистора VT2 при указанной в исходных данных температуре окружающей среды Iк.нас ≤ Iки Принимаем, что температура окружающей среды равна 20оС Тогда: Iк.нас = Iки=100 мА. Кзап - коэффициент запаса. Обычно, в целях экономичности работы схемы принимают Кзап = 6 - 8. Амплитуда выходного напряжения: Принимаем Принимаем 3. Рассчитаем сопротивление резистора Rэ . Rэ = U1 ∙Rк2 ∙h21э / (h21э + Кнас)( Uип - U1 ) Где U1 - падение напряжения на резисторе Rэ в режиме ожидания. Обычно выбирают U1 = (0.2 ..0.3) ∙Uип=(0.2 ..0.3) ∙10=2.5 B Кнас - коэффициент насыщения транзистора в схеме ждущего мультивибратора. Для ждущего мультивибратора рекомендуется выбирать Кнас в пределах 1.2 – 1.4 4. Рассчитаем сопротивление резистора коллекторной цепи транзистора VT1. Rк1 = (2 ..3)∙Rк2 =(2 ..3)∙620=(1240..1860)=1500 Ом. 5. Рассчитаем сопротивления резисторов входного делителя. R1 = h21э ∙(Rк1 - Rк2) / Кнас=30∙(1500-620)/1.3=20307 Ом=20 кОм. R2 = h21э ∙R1 ∙Rэ / (h21э ∙Rк1 - Кнас ∙R1)=30∙20∙103∙200/(30∙1500-1.3∙20∙103)= =6315 Ом=6.2 кОм 6. Рассчитаем сопротивление резистора и емкость конденсатора времязадающей цепи. R = h21э ∙ Rк2 / Кнас=30∙620/1.3=14307 Ом=15 кОм C = tи / 0.7∙R=2∙10-3/0.7∙15∙103=1,9∙10-7 Ф=0.2 мкФ. 7. Проверим длительности tф и tс. τα = 0.16/ fh21б=0.16/250∙106=6.4∙10-10 c tф = tс = 3∙τα =3∙ 6.4∙10-10=6.4∙10-10=19.2∙10-10 c< τ Полученные значения не превышают заданных, следовательно, рассчитанные значения емкостей оставляем. 8. Рассчитаем время восстановления, то есть время заряда емкости С после окончания обратного переключения. tв = 4∙ Rк1 ∙С = 4∙1500 ∙0.2∙10-6= 0.001 c=1 мс tп = Т - tв=2∙τ- tв=2∙2-1=3 мс Если tв значительно меньше tп , то схема будет возвращаться в исходное состояние задолго до прихода следующего управляющего импульса. 9. Рассчитаем емкость разделительного конденсатора Ср = Т / 6∙ (R1 + Rи) Где Rи - сопротивление источника входного сигнала (принять Rи = 1 кОм) Ср = Т / 6∙ (R1 + Rи)=2∙2∙10-3/6∙(20000+1000)=3∙10-7 Ф=0.1 мкФ Рис. 3.2 Временные диаграммы ждущего мультивибратора Задача №4. На вход схемы амплитудного модулятора, вольт-амперная характеристика нелинейного элемента которого задана уравнением подается напряжение несущей частоты fн и звуковой частоты FM c амплитудами Um и UM соответственно. Определить коэффициент модуляции напряжения на контуре, добротность и параметры, при которых обеспечится прохождение АМ-колебания без искажений. Исходные данные приведены в табл. 7.5. Изобразить принципиальную электрическую схему базового модулятора и показать амплитудно-частотные спектры входного и выходного напряжений. Задача 4 Исходные данные: f0=3МГц FM=5КГц L=350мкГн Um=6В UM=2В Решение: В соответствии с заданием обозначаем а1=8, а2=0.25 и находим в общем виде выражение для выходного тока: где: w0= 1.9*10^7 рад\с М=31415,9265 рад\с Упростим второе слагаемое: Сгруппируем слагаемые, находящиеся возле несущей: Из этой формулы определяем значение коэффициента модуляции: m=0.125 Определим необходимое значение добротности:: Q=300 Параметры, при которых обеспечится прохождение АМ-колебания без искажений. При заданном значении емкости С определяем величину необходимой индуктивности.: С=1\3,61*10^-14*350^-6=1.2635*10^-17 Ф=0,00001пФ Изобразим принципиальную электрическую схему базового модулятора Рис.1 Принципиальная электрическая схема базового модулятора. Для построения амплитудно-частотного спектра входного и выходного сигналов рассчитываем амплитуды выходного сигнала на основной и боковой частотах: im=3мА Рис.2 Спектрограмма выходного сигналов. Задача №5. На вход полупроводникового диодного детектора с характеристикой подано амплитудно-модулированное колебание где Um, ω0 - амплитуда и угловая частота несущего колебания соответственно, Ω - угловая частота модулирующего колебания, m - коэффициент модуляции. Параметры сигнала и схемы приведены в табл. 7.6. Выбрать значение емкости С, включенной параллельно сопротивлению R нагрузки детектора, для осуществления фильтрации высокочастотных составляющих. Рассчитать коэффициенты передачи детектора по постоянному и переменному токам, коэффициент нелинейных искажений продетектированного низкочастотного напряжения и коэффициент усиления детектора. Исходные данные: Um=3В m=0.5 fн=4МГц FM=4кГц a0=5мА a1=8мА\В a2=0,1мА/В2 R=2кОм Решение: 1. Определяем вид сигнала на выходе детектора в соответствии с заданной характеристикой. распишем слагаемое при коэффициенте a1: распишем слагаемое при коэффициенте a2: где: w0= 2.5132*10^ 7 =25132.7412 По проведенным расчетам записываем коэффициенты при различных гармонических составляющих: + i0= 5*10^-3+0.1*10^-3*9(1\2+0.0625)=5.0625*10^-4=0.5мА I= 0.45мА i2=56.25мкА i= 12мА i=24мА i=12мА i=450мкА i2=506.25мкА i2=450мкА i2=28.1мкА i2=28.1мкА Значение емкости С, включенной параллельно сопротивлению R нагрузки детектора, для осуществления фильтрации высокочастотных составляющих. С=19,8943пФ С=19,8943нФ Выбираем С равным: С=1,9894нФ Из ряда Е6 стандартных емкостей, соответствующего допустимому отклонению ±20 %, выбираем: С=2нФ По заданному уравнению строим нелинейную характеристику диода: Рис.1 Нелинейная характеристика диода. Выбираем значение тока на середине линейного участка. Коэффициент передачи детектора по постоянному току: Коэффициент передачи детектора по переменному току: Коэффициент нелинейных искажений продетектированного низкочастотного напряжения: Определяем крутизну характеристики диода: Подставим численные данные: Коэффициент усиления детектора определяем как: Литература 1. Путилин В. Н, Бельский А.Я. Основы радиоэлектроники / Учебно-методическое пособие. – Минск, БГУИР, 2017. – 282 с. 2. Нефедов, В. И. Основы радиоэлектроники и связи / В. И. Нефедов, А.С. Cигов. – М.: Высш. шк., 2009. – 735 с. 3. Баскаков, С. И. Радиотехнические цепи и сигналы / С. И. Баскаков. – М.: Высш. шк., 2000. – 462 с. 4. Першин, В. Т. Основы радиоэлектроники / В. Т. Першин. – Минск: Выш. шк., 2006. – 399 с. 5. Ткаченко, Ф. А. Электронные приборы и устройства: учебник для студ. вузов / Ф. А. Ткаченко. – Минск; М. : Новое знание : ИНФРА-М, 2011. – 682 с. 6. Дробот, С. В. Электронные приборы и устройства. Практикум: учеб. пособие / С. В. Дробот, В. А. Мельников, В. Н. Путилин. – Мн: БГУИР, 2009. –256 с. 7. Электронные приборы. Лабораторный практикум: учеб. -метод. пособие. В 2 ч. / А. Я. Бельский [и др.]. – Минск: БГУИР: Ч.2, 2007. – 99 с. |