Главная страница
Навигация по странице:

  • Институт информационных технологий Специальность Программируемые мобильные системыКОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА №2

  • ОРЭ кр20. Контрольная работа 2 По курсу Основы радиоэлектронике Вариант 13 Студентзаочник 2 курса группы 883871 фио мартынюк Павел


    Скачать 0.85 Mb.
    НазваниеКонтрольная работа 2 По курсу Основы радиоэлектронике Вариант 13 Студентзаочник 2 курса группы 883871 фио мартынюк Павел
    Дата24.06.2020
    Размер0.85 Mb.
    Формат файлаdocx
    Имя файлаОРЭ кр20.docx
    ТипКонтрольная работа
    #132416

    Министерство образования республики Беларусь

    Учреждение образования

    «БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

    ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ»

    Институт информационных технологий

    Специальность Программируемые мобильные системы
    КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА №2
    По курсу Основы радиоэлектронике
    Вариант № 13

    Студент-заочник 2 курса

    группы № 883871

    ФИО Мартынюк Павел

    Петрович

    Адрес г. Жодино

    ул. Рокоссовского 14-12

    Тел. +375(25)5251749


    Минск, 2020

    Задача 1,а. На вход резонансного усилителя подается АМ-колебание вида При этом частота несущего колебания fн совпадает с резонансной частотой контура fk.

    Определить необходимую полосу пропускания контура, его добротность и сопротивление потерь в контуре, при которых АМ-колебание будет проходить через усилитель без искажений.

    Рассчитать и построить спектр АМ-колебания на выходе усилителя.
    Исходные данные:

    Um=3 B; fк=400 кГц; FM=12 кГц; m=70%; L=800 мкГн; С=- пФ; k=-0.02;

    Как изменится спектр сигнала на выходе усилителя, если абсолютная расстройка ? Построить (качественно) спектр выходного сигнала и его векторную диаграмму для указанной в задании расстройки.
    Решение:

    Из условия, что резонансная частота контура определяется значением fн определяем необходимую емкость контура:



    Определяем ширину спектра сигнала:

    Определяем добротность контура:

    Определяем сопротивление потерь в контуре:

    Рассчитываем и строим спектр и векторную диаграмму выходного сигнала:

    Несущая амплитуда:

    Боковые амплитуды:

    Рис. 1.1. Спектр AМ сигнала



    Рис 1.2. Векторная диаграмма АМ сигнала

    Рассмотрим изменение сигнала при заданной расстройке Δ=8 кГц

    Рассчитываем величину относительной расстройки:

    Тогда, при заданной расстройке величина выходного сигнала на резонансной частоте:



    Для этого значения строим спектр AМ сигнала.



    Рис 1.3. Спектр AМ сигнала при расстройке



    Рис 1.4. Векторная диаграмма АМ сигнала при заданной расстройке

    Задача 2.

    Автогенератор с контуром в цепи коллектора и индуктивной связью генерирует колебания с частотой f0 = 1 МГц. Добротность контура Q = 50, взаимная индуктивность М = 5 мкГн.

    Характеристика транзистора аппроксимируется полиномом третьей степени . Выбрать величину смещения на базе транзистора для мягкого и жесткого режимов работы автогенератора и оценить амплитуды стационарных колебаний для этих режимов.

    Решение:

    Воспользуемся тригонометрическими формулами:



    Путем подстановки этих выражений в исходную характеристику транзистора, получаем выражение тока с разложением на гармонические составляющие:



    В соответствии с условием задачи,

    Соответственно, средняя крутизна вольт амперной характеристики транзистора определяется выражением:

    По заданным параметрам определяем числовое значение средней крутизны:



    По заданному выражению i(U) и полученному S(U) строим соответствующие графики.



    Рис 2.1. Характеристики i(U); S(U)

    По построенной характеристике S(U) делаем вывод, что автогенератор работает в жестком режиме. При этом, уравнение SСР= S(U) имеет два решения. Т.к более устойчивым является большее значение UmБЭ , то по графику находим соответствующее решение для найденного SСР=0.6 мА/В. UmБЭ =3.5 В – величина смещения на базе транзистора.
    Задаем значение индуктивности таким образом, чтобы значение коэффициента обратной связи



    Рис. 2.2. Представление схемы генератора с контуром в цепи коллектора в виде обобщенной схемы
    Соответственно, величина амплитуды напряжения на коллекторе

    Задача 3. Начертить спроектированную на транзисторах КТ315Б схему симметричного мультивибратора, произвести расчет всех элементов схемы, определить амплитуду и время нарастания выходного напряжения, построить в масштабе временные диаграммы, иллюстрирующие работу рассчитанного устройства, если напряжение источника питания в каждом варианте ЕК=10 В. Для ждущего режима определить параметры запускающего импульса. Исходные данные:

    Режим работу – Ждущий режим

    Частота запуска fЗАП.=0.7 кГц; длительность импульса τ=2 мс.


    Рис. 3.1. Схема ждущего мультивибратора

    1. Выписываем справочные параметры транзистора КТ315Б.

    - граничная частота транзистора в схеме с общей базой.

    - максимальное допустимое напряжение между базой и коллектором

    - минимальное значение коэффициента усиления по току.

    - импульсный ток коллектора.

    2. Рассчитаем сопротивление резистора в цепи коллектора транзистора VT2.



    Где Iк2.нас – ток насыщения коллектора транзистора VT2 при указанной в исходных данных температуре окружающей среды

    Iк.нас ≤ Iки

    Принимаем, что температура окружающей среды равна 20оС

    Тогда: Iк.нас = Iки=100 мА.
    Кзап - коэффициент запаса. Обычно, в целях экономичности работы схемы принимают Кзап = 6 - 8.
    Амплитуда выходного напряжения:

    Принимаем


    Принимаем

    3. Рассчитаем сопротивление резистора Rэ .

    Rэ = U1 ∙Rк2 ∙h21э / (h21э + Кнас)( Uип - U1 )
    Где U1 - падение напряжения на резисторе Rэ в режиме ожидания. Обычно выбирают U1 = (0.2 ..0.3) ∙Uип=(0.2 ..0.3) ∙10=2.5 B

    Кнас - коэффициент насыщения транзистора в схеме ждущего мультивибратора. Для ждущего мультивибратора рекомендуется выбирать Кнас в пределах 1.2 – 1.4



    4. Рассчитаем сопротивление резистора коллекторной цепи транзистора VT1. Rк1 = (2 ..3)∙Rк2 =(2 ..3)∙620=(1240..1860)=1500 Ом.

    5. Рассчитаем сопротивления резисторов входного делителя.
    R1 = h21э ∙(Rк1 - Rк2) / Кнас=30∙(1500-620)/1.3=20307 Ом=20 кОм.
    R2 = h21э ∙R1 ∙Rэ / (h21э ∙Rк1 - Кнас ∙R1)=30∙20∙103∙200/(30∙1500-1.3∙20∙103)=

    =6315 Ом=6.2 кОм

    6. Рассчитаем сопротивление резистора и емкость конденсатора времязадающей цепи.

    R = h21э ∙ Rк2 / Кнас=30∙620/1.3=14307 Ом=15 кОм

    C = tи / 0.7∙R=2∙10-3/0.7∙15∙103=1,9∙10-7 Ф=0.2 мкФ.

    7. Проверим длительности tф и tс.

    τα = 0.16/ fh21б=0.16/250∙106=6.4∙10-10 c

    tф = tс = 3∙τα =3∙ 6.4∙10-10=6.4∙10-10=19.2∙10-10 c< τ

    Полученные значения не превышают заданных, следовательно, рассчитанные значения емкостей оставляем.

    8. Рассчитаем время восстановления, то есть время заряда емкости С после окончания обратного переключения.

    tв = 4∙ Rк1 ∙С = 4∙1500 ∙0.2∙10-6= 0.001 c=1 мс

    tп = Т - tв=2∙τ- tв=2∙2-1=3 мс

    Если tв значительно меньше tп , то схема будет возвращаться в исходное состояние задолго до прихода следующего управляющего импульса.

    9. Рассчитаем емкость разделительного конденсатора

    Ср = Т / 6∙ (R1 + Rи)

    Где Rи - сопротивление источника входного сигнала (принять Rи = 1 кОм)

    Ср = Т / 6∙ (R1 + Rи)=2∙2∙10-3/6∙(20000+1000)=3∙10-7 Ф=0.1 мкФ


    Рис. 3.2 Временные диаграммы ждущего мультивибратора

    Задача №4. На вход схемы амплитудного модулятора, вольт-амперная характеристика нелинейного элемента которого задана уравнением подается напряжение несущей частоты fн и звуковой частоты FM c амплитудами Um и UM соответственно.

    Определить коэффициент модуляции напряжения на контуре, добротность и параметры, при которых обеспечится прохождение АМ-колебания без искажений. Исходные данные приведены в табл. 7.5.

    Изобразить принципиальную электрическую схему базового модулятора и показать амплитудно-частотные спектры входного и выходного напряжений.

    Задача 4

    Исходные данные:

    f0=3МГц

    FM=5КГц

    L=350мкГн

    Um=6В

    UM=2В



    Решение:

    В соответствии с заданием обозначаем а1=8, а2=0.25 и находим в общем виде выражение для выходного тока:



    где:

    w0= 1.9*10^7 рад\с

    М=31415,9265 рад\с

    Упростим второе слагаемое:





    Сгруппируем слагаемые, находящиеся возле несущей:



    Из этой формулы определяем значение коэффициента модуляции:

    m=0.125

    Определим необходимое значение добротности::

    Q=300

    Параметры, при которых обеспечится прохождение АМ-колебания без искажений. При заданном значении емкости С определяем величину необходимой индуктивности.:

    С=1\3,61*10^-14*350^-6=1.2635*10^-17 Ф=0,00001пФ

    Изобразим принципиальную электрическую схему базового модулятора



    Рис.1 Принципиальная электрическая схема базового модулятора.

    Для построения амплитудно-частотного спектра входного и выходного сигналов рассчитываем амплитуды выходного сигнала на основной и боковой частотах:



    im=3мА



    Рис.2 Спектрограмма выходного сигналов.
    Задача №5. На вход полупроводникового диодного детектора с характеристикой подано амплитудно-модулированное колебание



    где Um, ω0 - амплитуда и угловая частота несущего колебания соответственно, Ω - угловая частота модулирующего колебания, m - коэффициент модуляции. Параметры сигнала и схемы приведены в табл. 7.6. Выбрать значение емкости С, включенной параллельно сопротивлению R нагрузки детектора, для осуществления фильтрации высокочастотных составляющих.

    Рассчитать коэффициенты передачи детектора по постоянному и переменному токам, коэффициент нелинейных искажений продетектированного низкочастотного напряжения и коэффициент усиления детектора.

    Исходные данные:

    Um=3В

    m=0.5

    fн=4МГц

    FM=4кГц

    a0=5мА

    a1=8мА\В

    a2=0,1мА/В2

    R=2кОм

    Решение:

    1. Определяем вид сигнала на выходе детектора в соответствии с заданной характеристикой.



    распишем слагаемое при коэффициенте a1:





    распишем слагаемое при коэффициенте a2:











    где:

    w0= 2.5132*10^ 7

    =25132.7412

    По проведенным расчетам записываем коэффициенты при различных гармонических составляющих:

    +

    i0= 5*10^-3+0.1*10^-3*9(1\2+0.0625)=5.0625*10^-4=0.5мА



    I= 0.45мА



    i2=56.25мкА



    i= 12мА



    i=24мА



    i=12мА



    i=450мкА



    i2=506.25мкА



    i2=450мкА



    i2=28.1мкА



    i2=28.1мкА
    Значение емкости С, включенной параллельно сопротивлению R нагрузки детектора, для осуществления фильтрации высокочастотных составляющих.





    С=19,8943пФ




    С=19,8943нФ

    Выбираем С равным:



    С=1,9894нФ

    Из ряда Е6 стандартных емкостей, соответствующего допустимому отклонению ±20 %, выбираем:



    С=2нФ

    По заданному уравнению строим нелинейную характеристику диода:



    Рис.1 Нелинейная характеристика диода.

    Выбираем значение тока на середине линейного участка.



    Коэффициент передачи детектора по постоянному току:



    Коэффициент передачи детектора по переменному току:



    Коэффициент нелинейных искажений продетектированного низкочастотного напряжения:



    Определяем крутизну характеристики диода:



    Подставим численные данные:



    Коэффициент усиления детектора определяем как:


    Литература
    1.  Путилин В. Н, Бельский А.Я. Основы радиоэлектроники / Учебно-методическое пособие. – Минск, БГУИР, 2017. – 282 с.

    2.  Нефедов, В. И. Основы радиоэлектроники и связи / В. И. Нефедов, А.С. Cигов. – М.: Высш. шк., 2009. – 735 с.

    3. Баскаков, С. И. Радиотехнические цепи и сигналы / С. И. Баскаков. – М.: Высш. шк., 2000. – 462 с.

    4. Першин, В. Т. Основы радиоэлектроники / В. Т. Першин. – Минск: Выш. шк., 2006. – 399 с.

    5. Ткаченко, Ф. А. Электронные приборы и устройства: учебник для студ. вузов / Ф. А. Ткаченко. – Минск; М. : Новое знание : ИНФРА-М, 2011. – 682 с.

    6. Дробот, С. В. Электронные приборы и устройства. Практикум: учеб. пособие / С. В. Дробот, В. А. Мельников, В. Н. Путилин. – Мн: БГУИР, 2009. –256 с.

    7. Электронные приборы. Лабораторный практикум: учеб. -метод. пособие. В 2 ч. / А. Я. Бельский [и др.]. – Минск: БГУИР: Ч.2, 2007. – 99 с.


    написать администратору сайта