Главная страница
Навигация по странице:

  • МОП-транзистор

  • 3.2.1. Входные и выходные характеристики МОП - транзистора с каналом n -типа (КП 305)

  • Курс лекций по электронике. Курс лекций Курс лекций 1 Введение 4 Полупроводниковые диоды 7


    Скачать 5.23 Mb.
    НазваниеКурс лекций Курс лекций 1 Введение 4 Полупроводниковые диоды 7
    АнкорКурс лекций по электронике.doc
    Дата16.05.2017
    Размер5.23 Mb.
    Формат файлаdoc
    Имя файлаКурс лекций по электронике.doc
    ТипКурс лекций
    #7720
    страница8 из 27
    1   ...   4   5   6   7   8   9   10   11   ...   27

    3.1.2. Схема ключа на полевом транзисторе с p-n переходом


    Схема и диаграммы показаны на рис. 47, 48.

    Состояние I  ключ разомкнут (транзистор не проводит). Cостояние II  ключ замкнут (транзистор проводит). Такой ключ может быть применен в генераторе пилообразного напряжения для периодического сброса напряжения на конденсаторе.




    3.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором



    Структура такого транзистора представлена на рис. 49. Если в этой структуре окисел заменить на p -слой, то мы возвратимся к транзистору с p-n переходом. Транзистор со структурой, показанной на рис.49, называется МОП-транзистор: М-металл, О-окисел, П-полупроводник. Английское название транзистора: MOSFET-Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor. Вывод П - это подложка, т.е. слой, на который наложен слой n -канала. Вывод подложки снабжают стрелкой, указывающей тип канала. Обычно подложку присоединяют к истоку. Причем иногда это делается внутри транзистора. Ее можно оставить и не присоединенной.

    Существуют МОП-транзисторы с встроенным каналом и с индуцированным каналом. Обозначение на схеме транзистора с встроенным каналом n-типа показано на рис. 50. Таким транзистором является КП 305X. Х- буква, характеризующая параметры. Обозначение транзистора с каналом p-типа, приведено на рис. 51.

    При работе с МОП-транзисторами необходимо соблюдать меры предосторожности. Изоляция затвора в МОП-транзисторе приводит к тому, что такой транзистор очень чувствителен к статическим зарядам, из-за которых может появиться большой потенциал на затворе и произойти пробой изоляции. Поэтому МОП-транзисторы поставляются с выводами, замкнутыми между собой временной перемычкой. Лучше не удалять эту перемычку, пока транзистор не впаян в схему. У некоторых МОП-транзисторов имеются встроенные защитные диоды и поэтому они не боятся статического электричества.
    3.2.1. Входные и выходные характеристики МОП - транзистора с каналом n -типа (КП 305)
    Характеристики показаны на рис. 52.



    Недостаток транзистора с такими характеристиками: Uзи=0, а прибор проводит, т.е. у рассмотренных ранее транзисторов при Uзи=0 существует ток стока. Иногда желательно, чтобы при Uзи=0, Iс=0. Этим свойством обладают полевые транзисторы с индуцированным (наведенным) каналом.

    3.2.2. МОП - транзисторы с индуцированным каналом



    Предыдущие МОП-транзисторы имели встроенный канал (p и n-типа). Эти транзисторы при Uзи=0 проводят. В полевом транзисторе с индуцированным каналом при Uзи=0 ток отсутствует.

    Структура транзистора с индуцированным каналом p -типа представлена на рис. 53. При подаче отрицательного напряжения на затвор его отрицательный потенциал отталкивает электроны в подложке n- типа от затвора, в результате чего вблизи поверхности с изолятором образуется канал p -типа. Изображение на схеме МОП-транзистора с индуцированным каналом p -типа показано на рис. 54. У такого транзистора канал показан в виде прерывистой линии, которая подчеркивает, что собственный проводящий канал между стоком и истоком отсутствует. Типы транзисторов с индуцированным каналом p-типа: КП 301, КП 304.

    Входные и выходные характеристики транзистора с каналом p-типа приведены на рис. 55. Транзистор начинает проводить ток при |Uзи|=|Uпор|. Здесь Uпор называется  пороговое напряжение.

    На рис. 56 показано изображение МОП - транзистор с индуцированным каналом n-типа. Входная характеристика приведена на рис. 57.


    3.2.3. Крутизна




    Как можно судить о качестве полевого транзистора? У биполярного транзистора важнейшим параметром является коэффициент усиления по току, который определяется отношением токов. В случае полевого транзистора ток стока Iс управляется напряжением Uзи между затвором и истоком. Таким образом, о способности транзистора усиливать можно судить по величине отношения Iс/Uзи, которое имеет размерность проводимости. Эта величина называется крутизной, обозначается буквой S и определяется как отношение
    S=dIс/dUзи.

    Если Iс измеряется в миллиамперах, а Uзи - в вольтах, то крутизна S указывается в мA/B или в миллисименсах (мСм).

    1   ...   4   5   6   7   8   9   10   11   ...   27


    написать администратору сайта