курсовая. Шишлаков Курсовой ПРИМЕР. Курсовая работа защищена с оценкой руководитель шишлаков В. Ф. Пояснительная записка
 Скачать 0.75 Mb.
|
|
2.2.2 Расчёт конструкции теплоотвода на каждый из транзисторов Для сравнения проведём расчёт конструкции радиатора на каждый из двух параллельно включенных транзисторов. В этом случае мощность, рассеиваемая одним транзистором, будет  , а площадь основания теплоотвода  . Тогда размеры основания примем  ,  , а его толщина  .Тепловой коэффициент проектируемого радиатора:  Для проведения дальнейших расчётов находим радиус эквивалентной окружности для транзисторов марки КТ816А (КТ817А):  Затем определяем коэффициенты:   где  - радиус эквивалентной окружности транзистораПо полученным значениям  и из таблицы определяем критерий  Далее определяем значение коэффициента теплоотдачи поверхности радиатора  После определения находим значение коэффициента  : По известным  и  из графиков определяем величину  .Далее определяем величину перегрева радиатора  в области монтажа транзистора Полученные в предыдущих пунктах расчёта значения величин и  позволяют рассчитать среднеповерхностный перегрев радиатора и максимальную температуру теплоотвода  Используя значение  и таблицу, определяем коэффициент  Затем вычисляем коэффициенты  и  (для неокрашенного радиатора:   ;  ):  Далее определяется суммарный коэффициент    а затем эффективный коэффициент теплоотдачи ребристой поверхности радиатора По найденному значению  определим площадь ребристой поверхности радиатора Определим число рёбер  , приняв  и  : В заключение расчёта конструкции радиатора определим высоту рёбер   Сравнивая полученные результаты, можно определить объём теплоотвода. В случае общего для двух транзисторов радиатора габаритный объём составляет а для двух отдельных радиаторов  Таким образом, с точки зрения габаритного объёма, в данном случае целесообразно применять отдельные теплоотводы для каждого из параллельно включаемых транзисторов. Однако может оказаться, что изготовление общего теплоотвода для размещения нескольких транзисторов более технологично. 2.3. Расчёт величин сопротивлений уравнительных резисторов Проведём расчёт величин уравнительных резисторов для схемы, изображённой на рис. 2.3, в которой в параллель включены два транзистора КТ816А (КТ817А), обеспечиваю-щие  . Примем допустимую разницу температур коллекторов транзисторов  ;  ;   Вычислим допустимую величину отношения токов параллельно соединённых транзисторов  Входное сопротивление транзистора КТ816А (КТ817А) при    Примем величину  , поскольку данные о максимальном значении коэффициента усиления в справочнике отсутствуют. Определяем максимальное значение крутизны переходной характеристики транзистора по постоянному току  а затем значение  .Округлим полученное значение в соответствии с рядом номинальных величин (ряд E24)  . Мощность резистора составляет Полученное значение не превышает 2 Вт. Выбираем резистор МЛТ, мощностью 2 Вт. Масса резистора 3,5 г, Ø 8,6 мм, длина 18,5 мм, объём  1,07 см³, номиналом в 1,6 Ом.2.4. Расчёт термостабилизирующих резисторов выходного каскада Проведём расчёт термостабилизирующего резистора выходного каскада, показанного на рис. 2.3 Для определения  построим зависимости  и  для следую-щих исходных данных: транзисторы  и  марки КТ816А (КТ817А);           Определяем температурный потенциал  где  - коэффициент запаса; - температура перехода транзистора. ,Зависимость от тока коллектора транзистора в закрытом состоянии    где аргумент функции изменяется в пределах:  Коэффициент полезного действия каскада как функция   ,а затем, подставляя исходные данные, получаем функциональные зависимости и Таблица 2.2 Зависимости и
          Коэффициента полезного действия           Результаты расчётов сведены в табл. 2.2 и представлены в виде графиков на рис. 2.4. Также на рис. 2.4 показано ограничение по предельно допустимому значению , которое может быть включено в цепь базы транзистора соответствующего типа (из паспортных данных транзистора). Как видно из рис. 2.4, функция имеет экстремум (0,79791) при  , который находится левее  . Следовательно, данное значение является оптимальным.  3. РАСЧЁТ ПРЕДВАРИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ УСИЛЕНИЯ 3.1 Выбор транзисторов предварительных каскадов усиления Мощный каскад рассчитан, при этом:     ;  В параллель включены два транзистора марки КТ816А (КТ817А), входное сопротивление которых  Тогда ток нагрузки каскада предварительного усиления  а входное сопротивление  Максимальное значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора:  Значение  получено в предыдущих расчётах. Тогда, исходя из условий выбираем комплиментарную пару транзисторов, например КТ502Б и КТ503Б, параметры которых приведены в табл. 3.1. Таблица 3.1 Паспортные данные транзистора
   | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
