Курсовой проект по дисциплине Устройства приема и обработки сигналов по теме Приемник многоканальной линии связи непрерывных сигналов с амплитудной модуляцией
![]()
|
Потери в проводнике и диэлектрике определяем по формуле:![]() ![]() Qc-потери в проводнике, Qd- потери в диэлектрике ![]() Учитывая потери на излучение, добротность резонатора: ![]() ![]() Потери рассеяния: ![]() ![]() Коэффициент усиления входной цепи: ![]() ![]() ![]() ![]() 9) Эскиз фильтра показан на рис. 4. ![]() Рис. 4. Эскиз гребенчатого фильтра. 2. Расчет усилителя радиочастоты (УРЧ).Исходные данные: средняя частота настройки приемника ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() 1. Выбираем для усилителя схему с общим эмиттером на биполярном транзисторе КТ372А в типовом режиме ![]() ![]() Из таблицы П 1.3[1] находим S – параметры транзистора (на частоте ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() Проверяем выполнение условия (3.3) [1]: ![]() ![]() Так как ![]() ![]() S = |S|(cos(φ) + jsin(φ)) S11 = 0.14(cos(149˚) + jsin(-149˚)) = - 0.031 – j0.136 S12 = 0.093(cos(59˚) + jsin(59˚)) = -0.072 + j0.059 S21 = 3.29(cos(76˚) + jsin(76˚)) = 2.712+ j1.862 S22 = 0.623(cos(-30˚) + jsin(-30˚)) = 0.096 – j0.616 Рассчитаем транзисторный усилитель в режиме экстремального усиления. Коэффициент усиления транзисторного усилителя по мощности находим по формуле (3.10): ![]() 2. Коэффициенты отражения на входе и выходе (3.14) и (3.15) [1]: ![]() ![]() где ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() Находим входное и выходное сопротивления АЭ (3.12) и (3.13) [1]: ![]() ![]() 3. Рассчитаем цепи согласования входного сопротивления транзистора с подводящей микрополосковой линией с волновым сопротивлением ![]() ![]() ![]() Выберем двухшлейфовое согласование. Пересчитаем по формуле (3.35) [1] входное сопротивление транзистора во входную проводимость ![]() Активную составляющую входного сопротивления (проводимости) транзистора ![]() ![]() длина шлейфа ![]() где ![]() ![]() волновое сопротивление (3.27) [1]: ![]() Из формулы (3.22) [1] находим ширину полоски ![]() ![]() Реактивную составляющую входного сопротивления (проводимости) транзистора емкостного характера компенсируем параллельным короткозамкнутым шлейфом, входное сопротивление которого должно носить индуктивный характер (см. рис.5). ![]() Рис. 5 Зависимость входного сопротивления ![]() Длину шлейфа найдем по формуле (3.31) [1]: ![]() где ![]() ![]() Ширина полоски шлейфа равна ![]() ![]() Рассчитаем цепи согласования выходного сопротивления транзистора с микрополосковой линией с волновым сопротивлением ![]() ![]() ![]() По формуле (3.36)[1] пересчитаем выходное сопротивление транзистора в выходную проводимость ![]() Активную составляющую выходного сопротивления (проводимости) транзистора ![]() ![]() длина шлейфа ![]() волновое сопротивление (3.27) [1]: ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() Задаемся волновым сопротивлением шлейфа ![]() Длину шлейфа находим по формуле (3.32) [1]: ![]() Ширина полоски шлейфа равна ![]() ![]() 4. Выбираем схему питания и смещения транзистора по постоянному току. Считаем, что транзистор находится в типовом режиме работы по постоянному току (таблица П 1.1): ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() Задаемся током базового делителя ![]() ![]() ![]() Находим величины сопротивлений резисторов усилителя. ![]() ![]() где ток базы ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() Постоянные напряжения питания и смещения подаем на транзистор через высокочастотные дроссели в качестве которых используем четвертьволновые отрезки МПЛ ![]() ![]() 3. Преобразователь частоты Рассчитаем балансный смеситель на квадратном мосте (рис.6). Исходные данные: средняя несущая частота сигнала ![]() ![]() ![]() Выбираем подложку из поликора ( ![]() ![]() ![]() ![]() Для проводников применяем золото ![]() ![]() ![]() Выбираем смесительные диоды с барьером Шотки типа АА111Б. По таблице 4.1[1] находим ![]() ![]() ![]() Расчет начинаем с проектирования СВЧ моста. Определяем волновое сопротивление для основной линии: ![]() ![]() для шлейфов: ![]() ![]() Ширина полоски основной линии ![]() ![]() ![]() ![]() Эффективная диэлектрическая проницаемость для основной линии и для шлейфов: ![]() ![]() Длину четвертьволновых отрезков основной линии ![]() ![]() ![]() ![]() где ![]() ![]() Рассчитаем потери моста, для чего вычислим потери проводимости и диэлектрические потери в основной линии и шлейфах моста. Толщина скин-слоя в проводниках: ![]() ![]() Поверхностное сопротивление проводника: ![]() ![]() Погонные потери проводимости находим по формуле (4.7) [1] для основной линии и шлейфов соответственно: ![]() ![]() ![]() ![]() Потери проводимости отрезка основной линии и шлейфа соответственно: ![]() ![]() Погонные диэлектрические потери ![]() ![]() ![]() Диэлектрические потери в основной линии и шлейфе: ![]() ![]() Полные потери основной линии и шлейфа находит по формуле (4.6) [1]: ![]() ![]() Потери моста ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() Выходное сопротивление БС определяем по формуле (4.19): ![]() Потери преобразования БС равны (4.20): ![]() Коэффициент шума БС рассчитываем по формуле (4.22): ![]() ![]() где ![]() ![]() Необходимая мощность гетеродина равна (4.23): ![]() Частота гетеродина: ![]() После расчетов можно приступить к разработке топологической схемы БС (рис. 6). ![]() Рис. 6. Топологическая схема балансного диодного смесителя на квадратном мосте. В схему БС необходимо добавить короткозамкнутый шлейф, длиной ![]() ![]() 4. Расчёт усилителя промежуточной частоты (УПЧ) |