Главная страница
Навигация по странице:

  • 1.1 Рабочее задание

  • Задание 1.

  • Задание 2.

  • Задание 4.

  • Контрольные вопросы

  • лабораторная работа. Лабораторная работа№1-Исслед.полупров.диода. Лабораторная работа 1. Исследование характеристик свойств диода Цель работы


    Скачать 1.02 Mb.
    НазваниеЛабораторная работа 1. Исследование характеристик свойств диода Цель работы
    Анкорлабораторная работа
    Дата28.01.2021
    Размер1.02 Mb.
    Формат файлаdoc
    Имя файлаЛабораторная работа№1-Исслед.полупров.диода.doc
    ТипЛабораторная работа
    #172237

    Лабораторная работа №1. Исследование характеристик свойств диода

    Цель работы:

    - снятие и анализ вольтамперных характеристик (ВАХ) прямого и обратного включения полупроводникового диода;

    - исследование и анализ явления накопления неравновесных носителей в области базы.

    1.1 Рабочее задание

    1.1.1 Собрать схему для снятия характеристики прямого включения полупроводникового диода согласно рисунку 1.1.

    1.1.2 Снять и построить ВАХ прямого включения диода.

    1.1.3 Собрать схему для снятия характеристики обратного включения полупроводникового диода согласно рисунку 1.2.

    1.1.4 Снять и построить ВАХ обратного включения диода.
    Задание 1. Исследование характеристик диода(прямое включение)

    Собрать схему, показанную на рисунке 1.1.



    Рисунок 1.1 – Прямое подключение диода

    Повышая напряжение источника питания от нуля до максимального значения, записать значения тока Iд с интервалом 5 мА. Измерить значения напряжения U д на диоде. Данные занести в таблицу 1.1

    Таблица 1.1

    Uпит, В

    0

    1

    2

    3

    4

    5

    6

    7

    8

    9

    10

    11

    Iд, µА






































    Uд,В












































































    Задание 2. Исследование характеристик диода(обратное включение)

    Собрать схему, показанную на рисунке 1.2.



    Рисунок 1.2 – Обратное включение диода

    Повышая напряжение источника питания от нуля до максимального значения с интервалом 1 В, записать значения тока. Данные занести в таблицу 1.2. (аналогичная табл. 1.1). По полученным данным построить характеристику обратного включения полупроводникового диода.

    Таблица 1.2

    Uпит, В































    Iд, мА

    обр































    Uд, В

    обр.































    По данным из таблиц 1.1и 1.2 построить ВАХ диода.

    Задание 3.Исследование выпрямительных свойтсв диода

    Собрать схему, показанную на рисунке 1.3.



    Рисунок 1.3 – Схема для исследования однополупериодного выпрямителя и явления накопления неравновесных носителей в базе диода

    На вход Vin подаем синусоидальное напряжение от функционального генератора. Ток через диод будет протекать во время положительной полуволны входного напряжения, а на R3 при этом будет напряжение, пропорциональное току через диод и резистор. Входное напряжение и выходное напряжение (на резисторе R3) измерить и зарисовать с помощью 2-х канального осциллографа. Исследование проводить на частотах 1 кГц, 10 кГц и 100 кГц.



    при 1кГц

    При 10 кГц



    При 100 кГц

    Задание 4. Осциллограмма диода

    На вход Vin подать прямоугольное напряжение (меандр) тех же частот: 1 кГц, 10 кГц и 100 кГц с амплитудой 6В.



    При 1 кГц



    При 10 кГц



    При 100 кГц

    Контрольные вопросы:

    1. Что такое полупроводниковый диод?

    2. Принцип работы ПП диода?

    3. Из каких материалов изгатавливаются ПП диоды?

    4. ВАХ диода?


    написать администратору сайта