Главная страница
Навигация по странице:

  • «Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе»

  • Цель работы

  • Описание схемы исследуемого усилителя

  • Исходные данные

  • Результаты расчета

  •  Графики амплитудно-частотных характеристик.

  • Осциллограммы выходного импульсного сигнала, данные измерений переходных искажений.

  • вф. лр1. Лабораторная работа 1 Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе


    Скачать 0.61 Mb.
    НазваниеЛабораторная работа 1 Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе
    Дата20.02.2023
    Размер0.61 Mb.
    Формат файлаdoc
    Имя файлалр1.doc
    ТипЛабораторная работа
    #947886


    Федеральное агентство связи

    Сибирский Государственный Университет Телекоммуникаций и Информатики

    Межрегиональный центр переподготовки специалистов

    Лабораторная работа №1


    «Исследование резисторного каскада предварительного усиления

    на биполярном транзисторе»

    Дисциплина: «Схемотехника телекоммуникационных устройств»



    Выполнил: Матвеев В.В.

    Группа: ЗБТ-91

    Вариант: 7

    Новосибирск, 2020 г

    Отчет по лабораторной работе № 1


    «Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе»
    Цель работы:

    Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики).
    Описание схемы исследуемого усилителя:

    Принципиальная схема резисторного каскада приведена на рисунке 1.

    Т ранзистор VT1 включен по схеме с общим эмиттером. Необходимый режим работы и стабилизации тока обеспечивается резисторами R2, R3, R5. При этом делитель напряжения R2,R3 создает требуемое напряжение смещения, а R5 предназначен для эмиттерной стабилизации постоянного коллекторного тока транзистора VT1. Через сопротивление R4 подается постоянное питающее напряжение от источника питания на коллектор VT1, кроме того, благодаря R4 усиленный сигнал поступает в нагрузку. Конденсаторы С1 и С2 разделяют по постоянному току входную и выходную цепи усилителя. Конденсатор С5 служит для устранения отрицательной обратной связи по переменному току за счет R5. Малая емкость в цепи эмиттера С4 создает частотно-зависимую отрицательную обратную связь, применяемую для коррекции частотной характеристики на верхних частотах. Резистор R1 эквивалентен внутреннему сопротивлению источника сигнала, а R6 служит нагрузкой для усилителя. Наконец, конденсатор С3 имитирует емкость нагрузки.



    Рис. 1. Принципиальная схема лабораторной установки в формате Electronicsworkbench

    Исходные данные:

    Транзистор типа KT 3102А с параметрами: , , , ,напряжение источника питания ,ток покоя транзистора .

    Результаты расчета:

    1. Коэффициент усиления по напряжению, сквозной коэффициент усиления каскада.

    Эквивалентное сопротивление нагрузки по переменному току равно параллельному соединению сопротивлений R4 и R6:



    Входное сопротивление транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером:

    ,

    где rэ – активное сопротивление эмиттерного перехода, зависящее от режима работы транзистора

    Для малошумящих транзисторов rэ определяется по эмпирической формуле:



    Тогда

    Коэффициент усиления по напряжению в области средних частот определяется по следующей формуле:



    Сквозной коэффициент усиления по напряжению равен произведению коэффициента передачи входной цепи и коэффициента усиления каскада и определяется по формулам:

    , где

    Коэффициент передачи входной цепи:



    Входное сопротивление каскада , представляет собой параллельное соединение входного сопротивления транзистора и сопротивлений делителя в цепи базы




    Следовательно,






    1. Коэффициент частотных искажений каскада на частоте 40 Гц, обусловленной влиянием емкости в цепи эмиттера и разделительных конденсаторов и ).

    Определить общий коэффициент частотных искажений, вносимых этими элементами. При этом учесть, что выходное сопротивление транзистора значительно больше сопротивления в цепи коллектора R4.

    Коэффициент частотных искажений, вносимых разделительными емкостями:









    Для большой емкости в цепи эмиттера (при сравнительно небольших частотных искажениях, вызываемых цепочкой RэСэ) коэффициент частотных искажений можно рассчитать по приближенному выражению:



    где КTдинамический коэффициент усиления по току, который в приближенных расчетах можно брать равным статическому коэффициенту усиления по току h21э.





    При этом общий коэффициент частотных искажений усилительного каскада определяется как



    1. Коэффициент частотных искажений на частоте 100 кГц, обусловленной динамической емкостью транзистора и емкостью нагрузки . Определить общий коэффициент частотных искажений, вносимых этими элементами.



    Где



    Частотные искажения, вносимые емкостью нагрузки С3:





    Общий коэффициент частотных искажений:



    1. Время установления переднего фронта прямоугольного импульса малой длительности . При этом считать, что переходные искажения в области малых времен определяется выходной цепью каскада:



    где – эквивалентное сопротивление выходной цепи каскада, рассчитанное для диапазона верхних частот.

    5. Спад плоской вершины прямоугольного импульса большой длительности . Общий спад плоской вершины прямоугольного импульса вследствие влияния разделительных емкостей равен:





    Общий спад плоской вершины прямоугольного импульса вследствие влияния разделительных емкостей равен:



     Графики амплитудно-частотных характеристик.

    а) без коррекции и без обратной связи по переменному току (С5 включен):

    • при номинальных значениях С2 и С3 (соответственно 2,7мкФ и 500пФ);








    • при уменьшении С2 и увеличении С3 (соответственно 75 нФ и 900пФ);







    б) для схемы с частотно-независимой обратной связью (С5 и С4 выключены)

    • при номинальных значениях С2 и С3 (соответственно 2,7мкФ и 500пФ);







    в) с эмиттерной высокочастотной коррекцией (С4 включен, С5 выключен)

    • при номинальных значениях С2 и С3 (соответственно 2,7мкФ и 500пФ).









    Осциллограммы выходного импульсного сигнала, данные измерений переходных искажений.
    Исследовать переходные характеристики каскада в области малых времен . Измерения производятся с помощью осциллографа при подаче прямоугольных импульсов с частотой и амплитудой на вход исследуемого усилителя.
    а) без коррекции и без обратной связи по переменному току (С5 включен)

    • при номинальных значениях элементов;





    • при увеличении емкости нагрузки (С3 = 900 пФ)




    б) с эмиттерной высокочастотной коррекцией (С5 выключен, С4 включен)

    • при номинальном значении емкости нагрузки (С3 =500пФ);




    Исследовать переходную характеристику каскада для области больших времен , для чего подать с выхода генератора на вход схемы прямоугольные импульсы с частотой .
    а) без коррекции (С5 включен) – при номинальных значениях элементов;



    Спад плоской вершины – 1,12 В

    б) без коррекции, при уменьшении С2 в 1,5 – 2 раза;



    Спад плоской вершины – 1,34 В

    в) с частотно-независимой обратной связью (C4 и С5 выключены) - при номинальных значениях элементов схемы.



    Спад плоской вершины – 29,24 В

    Вывод

    В ходе лабораторной работы мы провели исследование влияния параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели, рассчитали коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики.

    Наибольший коэффициент передачи по напряжению на средней частоте наблюдается в случае схемы без коррекции и обратной связи по переменному току, наименьший коэффициент передачи – в случае применения схемы с частотно-независимой обратной связью.

    В области малых времен наименьшее время установления импульса наблюдается в схеме с эмиттерной высокочастотной коррекцией. При увеличении емкости нагрузки время установления импульса увеличивается.

    В результате исследования переходной характеристики каскада для области больших времен было установлено, что в схемах с частотно-независимой обратной связью происходит наименьший спад плоской вершины. При уменьшении значения разделительной ёмкости С2, спад плоской вершины увеличивается.




    написать администратору сайта