лаба. 1 лаба. Лабораторная работа 1 Изучение свойств проводников. Определение удельного сопротивления проводника Цели работы
Скачать 0.51 Mb.
|
Методы и средства измерений емкости, угла диэлектрических потерь |
, | |
. | |
Рисунок 2.4 – Осциллограмма тока и напряжения в цепи с емкостной нагрузкой
2. Наиболее часто значения С и tgδ на частоте 50 Гц определяют при помощи мостов переменного тока. Предел измерения моста по емкости должен быть не менее емкости образца, а по tgδ превышать примерно в 2 раза tgδ образца. Принципиальная схема такого моста показана на рисунке 2.5,а.
Рисунок. 2.5 – Основные схемы мостов для измерения С и tgδ:
а – метод замещения; б – схема трансформаторного моста
Схема, приведённая на рисунке 2.5, а позволяет получить большую точность измерений. Испытуемый образец подключают к мосту параллельно с градуированным измерительным конденсатором С0. Производят уравновешивание моста и записывают С 0 и С 1. Затем отключают образец и вновь уравновешивают мост изменением С 0 и С и записывают значения С 0и С 1. Значения Сх и tgδ находят по формулам:
| |
. | |
Высокую точность измерений позволяют получить трансформаторные мосты переменного тока (рисунок 2.5, б), в которых уравновешивание выполняется изменением емкости и индуктивности. Изменением отношения L1/L2 устанавливают диапазон изменения, а точное уравновешивание осуществляется регулировкой С и R. Уравнения равновесия моста:
| |
| |
3. Для измерений на частоте 50 Гц применяют как прямые, так и косвенные измерения. Измерение емкости осуществляется при помощи приборов непосредственной оценки или приборов сравнения (мостов).
Измерения при помощи стрелочных приборов непосредственной оценки не применяются из-за невысокой точности и сложности расчетов, однако те же методы измерения с использованием цифровых приборов и ЭВМ позволяют получить удовлетворительные результаты.
Схема с использованием амперметра, вольтметра и ваттметра показана на рисунке 2.6, а. Ваттметр должен обладать высокой чувствительностью, поскольку значения мощности потерь незначительны. Искомые значения величин вычисляют по формулам:
| |
| |
| |
На рисунке 2.6, б приведена схема, использующая три вольтметра. Значения Сx и tgδ находят по формулам:
| (2.2) |
| (2.3) |
| (2.4) |
| (2.5) |
Обе схемы чувствительны к изменению частоты.
4. Рассматривая переходные процессы в цепи (рисунок 2.7), состоящей из последовательно соединенных участков с датчиком тока R, источником тока i и конденсатором емкостью C, протекающий через конденсатор ток будет равен изменению заряда в единицу времени:
| |
Так как
, | |
то
откуда | |
| (2.6) |
На схему (рисунок 2.7) подаётся переменное напряжение прямоугольной формы и рассматривается заряд конденсатора при постоянном токе.
Рисунок 2.6 – Косвенные методы измерения
Рисунок 2.7 – Схема электрическая соединений установки для измерения емкости конденсатора
Частота сигнала выбирается таким образом, чтобы осциллограмма тока (канал B) имела участок Δt, на котором значение тока Iустановилось и поддерживалось источником тока i на одном уровне.
Измерение приращения напряжения ΔU(ΔUс) производится по осциллограмме канала А в интервале вышеописанного прямолинейного участка Δt.
Подставляя полученные значения ΔU, Δtи значение источника токаIв формулу (2.6) получим ёмкость конденсатора С.
5. Диэлектрическая проницаемость материала образца может быть найдена как отношение ёмкости Сх при заданной конфигурации электродов и испытуемом материале в качестве диэлектрика к ёмкости С0 тех же электродов без образца (но с сохранением геометрических размеров) в вакууме.