Главная страница
Навигация по странице:

  • Ответ

  • Ответ: зона

  • изменяются

  • Ответ: Поясните эффект Миллера.Ответ

  • Лаба по электрическим машинам. Лабораторная работа 3 электроника Зиев. Лабораторная работа 3 по промышленной электронике


    Скачать 430.76 Kb.
    НазваниеЛабораторная работа 3 по промышленной электронике
    АнкорЛаба по электрическим машинам
    Дата26.02.2021
    Размер430.76 Kb.
    Формат файлаdocx
    Имя файлаЛабораторная работа 3 электроника Зиев.docx
    ТипЛабораторная работа
    #179810

    Министерство науки и высшего образования РФ

    ФГБОУ ВО «Нижневартовский государственный университет» Факультет экологии и инжиниринга

    Кафедра энергетики

    Лабораторная работа №3 по промышленной электронике

    «Снятие статических характеристик полевого транзистора с p-n переходом»




    Исполнитель:

    студент группы: 9901

    Зиев Салават Борисович
    Руководитель:

    Ходько Руслан Викторович

    Отметка
    (подпись)

    Нижневартовск, 2021

    Лабораторная работа 3

    Снятие статических характеристик полевого транзистора с p-n переходом



    Цель работы: исследовать влияние сопротивления нагрузки на стоко-затворную характеристику и коэффициент усиления напряжения.

    Задание



    Протестировать транзисторы типа n и типа р с помощью мультиметра, снять статиче- ские выходные характеристики и стоко-затворную характеристику. Исследовать влияние сопротивления нагрузки на стоко-затворную характеристику и коэффициент усиления на- пряжения.

    Порядок выполнения лабораторной работы





    • Переключите мультиметр в режим тестирования диодов и измерьте падение напря- жения на p-n-переходах транзисторов по первым четырем схемам, приведенным в табл. 8.

    Примечание: врежиметестированиядиодовмультиметризмеряетпадениенапряжения на открытом p-n-переходе при определенном токе (примерно 1 мА),создаваемом самим прибором. В обратном направлении он показывает обрыв цепи(1встаршемразряде).

    • Переключите мультиметр в режим измерения сопротивлений и измерьте сопротив- ление «сток–исток» при UЗИ = 0 по двум последним схемам табл. 8.



    Таблица8



    Схемы изме- рений

    V



    COM

    COM



    V

    COM



    V

    V



    COM

    COM V

    COM V

    ΔU, мВ













    RИС=Ом

    RИС=Ом




    • Соберите цепь для снятия характеристик транзистора (рис. 19). Диод включен в схе- му для предотвращения подачи отрицательного напряжения на транзистор при сня- тии выходных характеристик, а между точками А и В включена перемычка, удалив которую, можно включить в цепь стока сопротивление нагрузки.

    • Включите блок генераторов напряжений и мультиметры. Регулируя напряжение на затворе потенциометром, определите начальный ток стока и напряжение отсечки.


    Iнач = …………… мА; Uотс = В.



    +15 В
    -13...+13 В
    -15 В
    4,7 кОм

    1 кОм

    + мА


    Д226

    А


    КП303 В

    +

    V UЗИ

    RН UСИ


    N

    0 В
    Рис. 19


    • Изменяя напряжение на затворе потенциометром от нуля до напряжения отсечки, снимите стоко-затворную характеристику (табл. 9).


    Таблица9


    UЗИ, В

    0

    –1

    –1,5

    –2

    –2,5

    –3

    –3,5

    –4

    –4,5

    IC, мА































    • Постройте график стоко-затворной характеристики (рис. 20) и определите крутизну:

    S ΔIC ΔUСИ

     мА ;

    мВ




























































































































    UЗИ
















    8
    7
    6
    5
    4
    3
    2
    1
    0
    В -4 -3 -2

    -1 0

    0 2 4 6 8 10 12 В


    Рис. 20


    • Для снятия выходных характеристик транзистора переключите питание на регули- руемый источник постоянного напряжения –13…+13 В, как показано на схеме пунк- тиром, установите напряжение на затворе равным нулю и переключите вольтметр для измерения напряжения UСИ.

    • Регулируя напряжение питания от 0 до максимального значения (13…14 В), снимите зависимость IС(UСИ) при UЗИ = 0 (табл. 10).


    Таблица10


    Uси, В

    0

    0,5

    1

    1,5

    2

    3

    4

    6

    8

    12


    IС

    мА

    при UЗИ = 0 В































    при UЗИ = –1 В































    при UЗИ = –2 В































    при UЗИ = –3 В


































    • Переключите снова вольтметр для измерения напряжения UЗИ, установите потенцио- метром UЗИ = –1 В, переключите вольтметр обратно для измерения напряжения UСИ и снимите зависимость (UСИ) при UЗИ = –1 В.

    • Аналогично снимите выходные характеристики при других значениях UЗИ.

    • На рис. 20 постройте графики выходных характеристик.




      • Для исследования влияния нагрузочного сопротивления на крутизну стоко-затворной характеристики и коэффициент усиления напряжения вновь переключите питание на нерегулируемый источник +15 В, удалите из схемы перемычку и включайте вместо нее различные сопротивления нагрузки, указанные в табл. 11.

      • При каждом сопротивлении записывайте в таблицу значения IС и UСИ при двух значениях напряжения на затворе.





























    kU

    10

























    S
    5































    8

























    4































    6

























    3































    4

























    2


























































    1

























    RН




    0

    2

    4










    8

    кОм













    Рис. 21















      • Вычислите по этим значениям коэффициенты усиления напряжения и крутизну затвор- но-стоковой характеристики. На рис. 21 постройте графики и проанализируйте их.



    RН, кОм

    1

    2,2

    4,7

    10

    UЗИ, В

    –1

    –1,5

    –1,5

    –2

    –2

    –2,5

    –2,5

    –3

    UСИ, В

























    IС, мА

























    UЗИ, В













    UСИ, В













    IС, мА













    kU=UСИ/UЗИ













    S= IС/UЗИ, В












    Таблица 11

    Содержание отчета:


    1. Цель работы.

    2. Схема (рис. 19).

    3. Таблицы 8—11.

    4. График стоко-затворной характеристики.

    5. Графики выходных характеристик полевого транзистора.

    6. Графики зависимости коэффициента усиления напряжения kU=f(RН) и крутизны затворно-стоковой характеристики S=f(RН).

    7. Ответы на контрольные вопросы.

    8. Выводы.



    Контрольные вопросы к защите лабораторной работы:


    1. Что такое сток, исток и затвор у полевого транзистора?
      Ответ:___зона'>Ответ:1.Исток - (источник носителей заряда, аналог эмиттера на биполярном).
      2. Сток - (приемник носителей заряда от истока, аналог коллектора биполярного транзистора).
      3. Затвор - (управляющий электрод, аналог сетки на лампах и базы на биполярных транзисторах).

    2. Каковы основные схемы включения полевых транзисторов?
      Ответ: Схема включения полевого транзистора с общим истоком является аналогом схемы с общим эмиттером для биполярного транзистора. Такое включение весьма распространено в силу возможности давать значительное усиление по мощности и по току, фаза напряжения цепи стока при этом переворачивается.

    3. П риведите условные графические обозначения полевых транзисторов.
      Ответ:




    4. Что такое зона насыщения и зона линейного изменения сопротивления?
      Ответ: зона насыщения — Часть статической характеристики объекта, соответствующая ограниченному с одной стороны диапазону изменения его входных координат, в котором значения выходных координат практически не изменяются.
      Линейное сопротивление – сопротивление, которое не зависит от величины, направления тока и величины напряжения. Оно имеет прямую пропорциональную зависимость между напряжением и током, выражающееся законом Ома.

    5. Почему коэффициент усиления по напряжению увеличивается при увеличении сопротивления нагрузки?
      Ответ:Вопервых, коэффициент усиления с увеличением сопротивления нагрузки увеличивается не безгранично, а только до определенного предела: ни при каких условиях коэффициент усиления не может стать больше коэффициента усиления лампы, а всегда остается меньше его. Во-вторых, если сопротивление нагрузки будет слишком большим, то анодное напряжение уменьшится настолько, что лампа перестанет усиливать.

    6. Как можно построить стоко-затворную характеристику по семейству внешних характеристик при RН = 0 и при RН ≠ 0?
      Ответ:

    7. Какие преимущества биполярных и полевых транзисторов сочетает в себе МОПБТ?
      Ответ:

    8. Поясните эффект Миллера.
      Ответ: увеличение эквивалентной ёмкости инвертирующего усилительного элемента, обусловленное обратной связью с выхода на вход данного элемента при его выключении. Эффект наиболее явно проявляется в усилителях напряжения, построенных на радиолампах, на биполярных и полевых транзисторах, микросхемах.



    написать администратору сайта