Лаба по электрическим машинам. Лабораторная работа 3 электроника Зиев. Лабораторная работа 3 по промышленной электронике
Скачать 430.76 Kb.
|
Министерство науки и высшего образования РФ ФГБОУ ВО «Нижневартовский государственный университет» Факультет экологии и инжиниринга Кафедра энергетики Лабораторная работа №3 по промышленной электронике «Снятие статических характеристик полевого транзистора с p-n переходом»Исполнитель: студент группы: 9901 Зиев Салават Борисович Руководитель: Ходько Руслан Викторович Отметка (подпись) Нижневартовск, 2021 Лабораторная работа № 3Снятие статических характеристик полевого транзистора с p-n переходомЦель работы: исследовать влияние сопротивления нагрузки на стоко-затворную характеристику и коэффициент усиления напряжения. ЗаданиеПротестировать транзисторы типа n и типа р с помощью мультиметра, снять статиче- ские выходные характеристики и стоко-затворную характеристику. Исследовать влияние сопротивления нагрузки на стоко-затворную характеристику и коэффициент усиления на- пряжения. Порядок выполнения лабораторной работыПереключите мультиметр в режим тестирования диодов и измерьте падение напря- жения на p-n-переходах транзисторов по первым четырем схемам, приведенным в табл. 8. Примечание: врежиметестированиядиодовмультиметризмеряетпадениенапряжения на открытом p-n-переходе при определенном токе (примерно 1 мА),создаваемом самим прибором. В обратном направлении он показывает обрыв цепи(1встаршемразряде). Переключите мультиметр в режим измерения сопротивлений и измерьте сопротив- ление «сток–исток» при UЗИ = 0 по двум последним схемам табл. 8. Таблица8
Соберите цепь для снятия характеристик транзистора (рис. 19). Диод включен в схе- му для предотвращения подачи отрицательного напряжения на транзистор при сня- тии выходных характеристик, а между точками А и В включена перемычка, удалив которую, можно включить в цепь стока сопротивление нагрузки. Включите блок генераторов напряжений и мультиметры. Регулируя напряжение на затворе потенциометром, определите начальный ток стока и напряжение отсечки. Iнач = …………… мА; Uотс = В. +15 В -13...+13 В -15 В 4,7 кОм 1 кОм + мА Д226 А КП303 В + V UЗИ RН UСИ N 0 В Рис. 19 Изменяя напряжение на затворе потенциометром от нуля до напряжения отсечки, снимите стоко-затворную характеристику (табл. 9). Таблица9
Постройте график стоко-затворной характеристики (рис. 20) и определите крутизну: S ΔIC ΔUСИ мА ; мВ
8 7 6 5 4 3 2 1 0 В -4 -3 -2 -1 0 0 2 4 6 8 10 12 В Рис. 20 Для снятия выходных характеристик транзистора переключите питание на регули- руемый источник постоянного напряжения –13…+13 В, как показано на схеме пунк- тиром, установите напряжение на затворе равным нулю и переключите вольтметр для измерения напряжения UСИ. Регулируя напряжение питания от 0 до максимального значения (13…14 В), снимите зависимость IС(UСИ) при UЗИ = 0 (табл. 10). Таблица10
Переключите снова вольтметр для измерения напряжения UЗИ, установите потенцио- метром UЗИ = –1 В, переключите вольтметр обратно для измерения напряжения UСИ и снимите зависимость (UСИ) при UЗИ = –1 В. Аналогично снимите выходные характеристики при других значениях UЗИ. На рис. 20 постройте графики выходных характеристик. Для исследования влияния нагрузочного сопротивления на крутизну стоко-затворной характеристики и коэффициент усиления напряжения вновь переключите питание на нерегулируемый источник +15 В, удалите из схемы перемычку и включайте вместо нее различные сопротивления нагрузки, указанные в табл. 11. При каждом сопротивлении записывайте в таблицу значения IС и UСИ при двух значениях напряжения на затворе.
Содержание отчета:Цель работы. Схема (рис. 19). Таблицы 8—11. График стоко-затворной характеристики. Графики выходных характеристик полевого транзистора. Графики зависимости коэффициента усиления напряжения kU=f(RН) и крутизны затворно-стоковой характеристики S=f(RН). Ответы на контрольные вопросы. Выводы. Контрольные вопросы к защите лабораторной работы:Что такое сток, исток и затвор у полевого транзистора? Ответ:___зона'>Ответ:1.Исток - (источник носителей заряда, аналог эмиттера на биполярном). 2. Сток - (приемник носителей заряда от истока, аналог коллектора биполярного транзистора). 3. Затвор - (управляющий электрод, аналог сетки на лампах и базы на биполярных транзисторах). Каковы основные схемы включения полевых транзисторов? Ответ: Схема включения полевого транзистора с общим истоком является аналогом схемы с общим эмиттером для биполярного транзистора. Такое включение весьма распространено в силу возможности давать значительное усиление по мощности и по току, фаза напряжения цепи стока при этом переворачивается. П риведите условные графические обозначения полевых транзисторов. Ответ: Что такое зона насыщения и зона линейного изменения сопротивления? Ответ: зона насыщения — Часть статической характеристики объекта, соответствующая ограниченному с одной стороны диапазону изменения его входных координат, в котором значения выходных координат практически не изменяются. Линейное сопротивление – сопротивление, которое не зависит от величины, направления тока и величины напряжения. Оно имеет прямую пропорциональную зависимость между напряжением и током, выражающееся законом Ома. Почему коэффициент усиления по напряжению увеличивается при увеличении сопротивления нагрузки? Ответ:Вопервых, коэффициент усиления с увеличением сопротивления нагрузки увеличивается не безгранично, а только до определенного предела: ни при каких условиях коэффициент усиления не может стать больше коэффициента усиления лампы, а всегда остается меньше его. Во-вторых, если сопротивление нагрузки будет слишком большим, то анодное напряжение уменьшится настолько, что лампа перестанет усиливать. Как можно построить стоко-затворную характеристику по семейству внешних характеристик при RН = 0 и при RН ≠ 0? Ответ: Какие преимущества биполярных и полевых транзисторов сочетает в себе МОПБТ? Ответ: Поясните эффект Миллера. Ответ: увеличение эквивалентной ёмкости инвертирующего усилительного элемента, обусловленное обратной связью с выхода на вход данного элемента при его выключении. Эффект наиболее явно проявляется в усилителях напряжения, построенных на радиолампах, на биполярных и полевых транзисторах, микросхемах. |