Главная страница
Навигация по странице:

  • Цель работы: Изучение особенностей структуры металл – диэлектрик – полупроводник (МДП) и возможностей её применения в электронике.Обозначения и расчётный формулы

  • Ход лабораторной работы: Вариант №3

  • Таблица с расчетами

    		•

    ИССЛЕДОВАНИЕ МДП-СТРУКТУРЫ Электроника. Лабораторная работа 4 исследование мдпструктуры Проверилa Каравашкина В. Н. Москва 2023 г. Цель работы


    Скачать 197.36 Kb.
    НазваниеЛабораторная работа 4 исследование мдпструктуры Проверилa Каравашкина В. Н. Москва 2023 г. Цель работы
    АнкорИССЛЕДОВАНИЕ МДП-СТРУКТУРЫ Электроника
    Дата09.04.2023
    Размер197.36 Kb.
    Формат файлаdocx
    Имя файлаlab4brigada3.docx
    ТипЛабораторная работа
    #1047695

    Министерство цифрового развития, связи и массовых
    коммуникаций Российской Федерации
    ордена Трудового Красного Знамени федеральное государственное
    бюджетное образовательное учреждение высшего образования

    “Московский технический университет связи и информатики”

    Кафедра электроники

    Лабораторная работа №4

    «ИССЛЕДОВАНИЕ МДП-СТРУКТУРЫ»

    Выполнил:

    Проверилa:

    Каравашкина В.Н.

    Москва
    2023 г.

    Цель работы:

    Изучение особенностей структуры металл – диэлектрик – полупроводник (МДП) и возможностей её применения в электронике.

    Обозначения и расчётный формулы:














    Ход лабораторной работы:

    Вариант №3:

    Толщина диэлектрика, мкм
    Концентрация акцепторной примеси N, см-3
    Ширина канала W, мкм
    Длина канала L, мкм

    0,03
    1016
    0,4
    1,25

    Таблица с расчетами:

    Исходные данные
    Измененный параметр
    Пороговое напряжение, В
    Удельная крутизна, А/В2
    Удельная емкость, Ф/мкм2
    Емкость затвор-канал, Ф

    Из табл. 1
    -
    0,9924
    2,0248

    *10-5
    1,1505

    *10-16
    5,7525

    *10-17

    При самостоятельно изменённом параметре с целью уменьшения порогового напряжения
    N=1015см-3
    0,7241
    2,0248

    *10-5
    1,1505

    *10-16
    5,7525

    *10-17

    При самостоятельно изменённом параметре с целью увеличения удельной крутизны
    W=0,8 мкм
    0,9924
    4,0497

    *10-5
    1,1505

    *10-16
    5,7525

    *10-17

    При самостоятельно изменённом параметре с целью уменьшения ёмкости затвор-канал
    L = 1 мкм
    0,9924
    2,5311

    *10-5
    1,1505

    *10-16
    4,602

    *10-17

    Вывод: Уменьшение концентрации акцепторной примеси N или уменьшение толщины диэлектрика d приводит к уменьшению порогового напряжения U0. Увеличение ширины канала W или уменьшение длины канала L или уменьшение толщины диэлектрика d приводит к увеличению удельной крутизны В и емкости затвор-канал Сзк. Однако, при уменьшении ширины канала W или уменьшении длины канала L также происходит уменьшение ёмкости затвор-канал Сзк.

    написать администратору сайта