ЛЭТИ ТМИЭТ Чохральский. 1_Зад_лаб_Чохр_8204. Лабораторная работа n 1 Легирование кристаллов при выращивании методом Чохральского

• Название: Лабораторная работа n 1 Легирование кристаллов при выращивании методом Чохральского
• Анкор: ЛЭТИ ТМИЭТ Чохральский
• Дата: 07.12.2021
• Размер: 99.05 Kb.
• Имя файла: 1_Зад_лаб_Чохр_8204.docx
• Тип: Лабораторная работа; #295527
• страница: 2 из 5

Лабораторная работа N1

«Легирование кристаллов при выращивании методом Чохральского»

Задание 4.

1. 
   Построить зависимость С_тв(g) для различных скоростей кристаллизации Ge, легированного B. Скорость вращения кристалла относительно тигля 60 об/мин. Скорость кристаллизации 0,5; 5; 10; мм/мин. Начальная концентрация примеси в расплаве 10¹⁵ см^-3. Построить график зависимости к_эфф как функции скорости кристаллизации при скорости вращения кристалла относительно тигля 60 об/мин. Для указанных скоростей кристаллизации записать в таблицу значения k_эфф
   

   Скорость кристаллизацииf,	f1	f2	f3
   kэфф

2. 
   Построить зависимость С_тв(g) для кристалла Ge, легированного B. Скорость кристаллизации 5 мм/мин. Скорость вращения кристалла относительно тигля составляет 20; 60; 120 об/мин. Начальная концентрация примеси в расплаве 10¹⁵ см^-3. Построить график зависимости толщины диффузионного слоя δ и к_эфф как функции скорости вращения кристалла относительно тигля (для к_эфф скорость кристаллизации составляет 5 мм/мин). Для указанных скоростей вращения кристалла относительно тигля записать в таблицу значения δ и k_эфф
   

, об/мин	1	2	3
kэфф
δ, см

____________________________________________________________________________________

3. 
   Построить зависимости С_тв = f(g) для кристалла КЭФ-12,0, при следующих параметрах технологического процесса: скорость кристаллизации 0.5 мм/мин; скорость вращения кристалла относительно тигля 80 об/мин.; диаметр тигля 20, 25, 35 см, диаметр кристалла 100 мм. Начальную концентрацию примеси в расплаве определить по указанному значению удельного сопротивления и условий технологического процесса.
   
4. 
   Для указанных в п.3 параметров технологического (F, f, ω) записать в таблицу значения k_эффk_и,k_об
   

   Dт, см	F, см2	k	kи	kоб
   Dт1
   Dт2
   Dт3

5. 
   Построить зависимости С_тв = f(g) для кристалла КЭФ-12,0, при следующих параметрах технологического процесса: скорость вращения кристалла относительно тигля 80 об/мин.; диаметр тигля 25 см; диаметр кристалла 100 мм. Скорость кристаллизации 0,5; 6; 10 мм/мин. Начальную концентрацию примеси в расплаве взять из п.3. Построить графики зависимости к _эфф и к_об от скорости кристаллизации. Для указанных в п.5 параметров технологического (F, f, ω) записать в таблицу значения к_эфф, к_и, к_об
   

   f, мм/мин	k	kи	kоб
   f1
   f2
   f3

6. 
   Определить технологический режим выращивания кристалла КЭФ-12,0, в котором реализуется метод компенсационного испарения.
   
7. 
   Рассчитать значения равновесного коэффициента распределения фосфора в кремнии в рамках модели регулярных растворов, применяя для твердой фазы приближение регулярных растворов, а для жидкой фазы – квазирегулярных.
   

Отчет должен содержать схему установки для выращивания кристаллов методом Чохральского, формулы, использованные для расчетов, графики и таблицы, выводы.
Лабораторная работа N1

«Легирование кристаллов при выращивании методом Чохральского»

Задание 5.

1. 
   Построить зависимость С_тв(g) для различных скоростей кристаллизации Ge, легированного In. Скорость вращения кристалла относительно тигля 30 об/мин. Скорость кристаллизации 0,5; 5; 10 мм/мин. Начальная концентрация примеси в расплаве 10¹⁵ см^-3. Построить график зависимости к_эфф как функции скорости кристаллизации при скорости вращения кристалла относительно тигля 30 об/мин. Для указанных скоростей кристаллизации записать в таблицу значения к_эфф
   

   Скорость кристаллизацииf,	f1	f2	f3
   кэфф

2. 
   Построить зависимость С_тв(g) для кристалла Ge, легированного In . Скорость кристаллизации 2 мм/мин. Скорость вращения кристалла относительно тигля составляет 30; 80; 120 об/мин. Начальная концентрация примеси в расплаве 10¹⁵ см^-3. Построить график зависимости толщины диффузионного слоя δ и к_эфф как функции скорости вращения кристалла относительно тигля (для к_эфф скорость кристаллизации составляет 2 мм/мин). Для указанных скоростей вращения кристалла относительно тигля записать в таблицу значения δ и k_эфф
   

, об/мин	1	2	3
kэфф
δ, см

____________________________________________________________________________________

3. 
   Построить зависимости С_тв = f(g) для кристалла КЭФ-0,1 при следующих параметрах технологического процесса: скорость кристаллизации 1,0 мм/мин; скорость вращения кристалла относительно тигля 60 об/мин.; диаметр тигля 15, 24, 30 см, диаметр кристалла 80 мм.. Начальную концентрацию примеси в расплаве определить по указанному значению удельного сопротивления и условий технологического процесса.
   
4. 
   Для указанных в п.4 параметров технологического (F, f, ω) записать в таблицу значения k_эффk_и,k_об
   

   Dт, см	F, см2	k	kи	kоб
   Dт1
   Dт2
   Dт3

5. 
   Построить зависимости С_тв = f(g) для кристалла КЭФ-0,1, при следующих параметрах технологического процесса: скорость вращения кристалла относительно тигля 60 об/мин.; диаметр тигля 15 см; диаметр кристалла 80 мм. Скорость кристаллизации 1,0; 6; 10 мм/мин.Начальную концентрацию примеси в расплаве взять из п.4. Построить графики зависимости к _эфф и к_об от скорости кристаллизации. Для указанных в п.6 параметров технологического (F, f, ω) записать в таблицу значения k_эффk_и,k_об
   

   f, мм/мин	k	kи	kоб
   f1
   f2
   f3

6. 
   Определить технологический режим выращивания кристалла КЭФ-0,1, в котором реализуется метод компенсационного испарения.
   
7. 
   Рассчитать значения равновесного коэффициента индия в германии в рамках модели регулярных растворов, применяя для твердой фазы приближение регулярных растворов, а для жидкой фазы – квазирегулярных.
   

Отчет должен содержать схему установки для выращивания кристаллов методом Чохральского, формулы, использованные для расчетов, графики и таблицы, выводы.

.
Лабораторная работа N1

«Легирование кристаллов при выращивании методом Чохральского»

Задание 6.

1. 
   Построить зависимость С_тв(g) для различных скоростей кристаллизации Ge, легированного Al. Скорость вращения кристалла относительно тигля 40 об/мин. Скорость кристаллизации 0,5; 5; 10 мм/мин. Начальная концентрация примеси в расплаве 10¹⁵ см^-3. Построить график зависимости к_эфф как функции скорости кристаллизации при скорости вращения кристалла относительно тигля 40 об/мин. Для указанных скоростей кристаллизации записать в таблицу значения k_эфф
   

   Скорость кристаллизацииf,	f1	f2	f3
   kэфф

2. 
   Построить зависимость С_тв(g) для кристалла Ge, легированного Al. Скорость кристаллизации 5 мм/мин. Скорость вращения кристалла относительно тигля составляет 20; 60; 120 об/мин. Начальная концентрация примеси в расплаве 10¹⁵ см^-3. Построить график зависимости толщины диффузионного слоя δ и к_эфф как функции скорости вращения кристалла относительно тигля (для к_эфф скорость кристаллизации составляет 5 мм/мин). Для указанных скоростей вращения кристалла относительно тигля записать в таблицу значения δ и k_эфф
   

, об/мин	1	2	3
kэфф
δ, см

____________________________________________________________________________________

3. 
   Построить зависимость С_тв = f(g) для кристалла ГЭФ-10,2 при следующих параметрах технологического процесса: скорость кристаллизации 0,5 мм/мин; скорость вращения кристалла относительно тигля 50 об/мин.; диаметр кристалла 4 см; диаметр тигля 12, 20, 25 см. Начальную концентрацию примеси в расплаве определить по указанному значению удельного сопротивления и условий технологического процесса.
   
4. 
   Для указанных в п.4 параметров технологического (F, f, ω) записать в таблицу значения k_эффk_и,k_об
   

   Dт, см	F, см2	k	kи	kоб
   Dт1
   Dт2
   Dт3

5. 
   Построить зависимости С_тв = f(g) для кристалла ГЭФ-10,2 при следующих параметрах технологического процесса: скорость вращения кристалла относительно тигля 50 об/мин.; диаметр кристалла 4 см; диаметр тигля 20 см; скорость кристаллизации 0,5; 6; 10 мм/мин.. Начальную концентрацию примеси в расплаве взять из п.4. Построить графики зависимости к _эфф и к_об от скорости кристаллизации. Для указанных в п.6 параметров технологического (F, f, ω) записать в таблицу значения k_эффk_и,k_об
   

   f, мм/мин	k	kи	kоб
   f1
   f2
   f3

6. 
   Определить технологический режим выращивания кристалла ГЭФ-10,2, в котором реализуется метод компенсационного испарения.
   
7. 
   Рассчитать значения равновесного коэффициента распределения алюминия в германии в рамках модели регулярных растворов, применяя для твердой фазы приближение регулярных растворов, а для жидкой фазы – квазирегулярных.
   

Отчет должен содержать схему установки для выращивания кристаллов методом Чохральского, формулы, использованные для расчетов, графики и таблицы, выводы.