ЛЭТИ ТМИЭТ Чохральский. 1_Зад_лаб_Чохр_8204. Лабораторная работа n 1 Легирование кристаллов при выращивании методом Чохральского

• Название: Лабораторная работа n 1 Легирование кристаллов при выращивании методом Чохральского
• Анкор: ЛЭТИ ТМИЭТ Чохральский
• Дата: 07.12.2021
• Размер: 99.05 Kb.
• Имя файла: 1_Зад_лаб_Чохр_8204.docx
• Тип: Лабораторная работа; #295527
• страница: 5 из 5

Лабораторная работа N1

«Легирование кристаллов при выращивании методом Чохральского»

Задание 13.

1. 
   Построить зависимость С_тв(g) для различных скоростей кристаллизации InP, легированного Si. Скорость вращения кристалла относительно тигля 30 об/мин. Скорость кристаллизации 0,5; 5; 10 мм/мин. Начальная концентрация примеси в расплаве 10¹⁵ см^-3. Построить график зависимости к_эфф как функции скорости кристаллизации при скорости вращения кристалла относительно тигля 30 об/мин. Для указанных скоростей кристаллизации записать в таблицу значения k_эфф
   

   Скорость кристаллизацииf,	f1	f2	f3
   kэфф

2. 
   Построить зависимость С_тв(g) для кристалла InP, легированного Si. Скорость кристаллизации 0,5 мм/мин. Скорость вращения кристалла относительно тигля составляет 20; 50; 120 об/мин. Начальная концентрация примеси в расплаве 10¹⁵ см^-3. Построить график зависимости толщины диффузионного слоя δ и к_эфф как функции скорости вращения кристалла относительно тигля (для к_эфф скорость кристаллизации составляет 0,5 мм/мин). Для указанных скоростей вращения кристалла относительно тигля записать в таблицу значения δ и k_эфф
   

, об/мин	1	2	3
kэфф
δ, см

____________________________________________________________________________________

3. 
   Построить зависимости С_тв = f(g) для кристалла КЭФ-5,6 при следующих параметрах технологического процесса: скорость кристаллизации 2 мм/мин; скорость вращения кристалла относительно тигля 40 об/мин.; диаметр тигля 16, 25, 32 см, диаметр кристалла 100 мм. Начальную концентрацию примеси в расплаве определить по указанному значению удельного сопротивления и условий технологического процесса.
   
4. 
   Для указанных в п.3 параметров технологического (F, f, ω) записать в таблицу значения k_эффk_и,k_об
   

   Dт, см	F, см2	k	kи	kоб
   Dт1
   Dт2
   Dт3

5. 
   Построить зависимости С_тв = f(g) для кристалла КЭФ-5,6, при следующих параметрах технологического процесса: скорость вращения кристалла относительно тигля 40 об/мин.; диаметр тигля 30 см; скорость кристаллизации 0,5; 6; 10 мм/мин, диаметр кристалла 100 мм. Начальную концентрацию примеси в расплаве взять из п.3. Построить графики зависимости к _эфф и к_об от скорости кристаллизации. Для указанных в п.5 параметров технологического (F, f, ω) записать в таблицу значения k_эффk_и,k_об
   

   f, мм/мин	k	kи	kоб
   f1
   f2
   f3

6. 
   Определить технологический режим выращивания кристалла КЭФ-5,6, в котором реализуется метод компенсационного испарения.
   
7. 
   Рассчитать значения равновесного коэффициента распределения фосфора в кремнии в рамках модели регулярных растворов, применяя для твердой фазы приближение регулярных растворов, а для жидкой фазы – квазирегулярных.
   

Отчет должен содержать схему установки для выращивания кристаллов методом Чохральского, формулы, использованные для расчетов, графики и таблицы, выводы.
Лабораторная работа N1

«Легирование кристаллов при выращивании методом Чохральского»

Задание 14.

1. 
   Построить зависимость С_тв(g) для различных скоростей кристаллизации InP, легированного Te. Скорость вращения кристалла относительно тигля 80 об/мин. Скорость кристаллизации 0,5; 5; 8 мм/мин. Начальная концентрация примеси в расплаве 10¹⁵ см^-3. Построить график зависимости к_эфф как функции скорости кристаллизации при скорости вращения кристалла относительно тигля 80 об/мин. Для указанных скоростей кристаллизации записать в таблицу значения k_эфф
   

   Скорость кристаллизацииf,	f1	f2	f3
   kэфф

2. 
   Построить зависимость С_тв(g) для кристалла InP, легированного Si. Скорость кристаллизации 0,5 мм/мин. Скорость вращения кристалла относительно тигля составляет 20; 50; 120 об/мин. Начальная концентрация примеси в расплаве 10¹⁵ см^-3. Построить график зависимости толщины диффузионного слоя δ и к_эфф как функции скорости вращения кристалла относительно тигля (для к_эфф скорость кристаллизации составляет 0,5 мм/мин). Для указанных скоростей вращения кристалла относительно тигля записать в таблицу значения δ и k_эфф
   

, об/мин	1	2	3
kэфф
δ, см

____________________________________________________________________________________

3. 
   Построить зависимости С_тв = f(g) для кристалла ГЭФ-6,4, при следующих параметрах технологического процесса: скорость кристаллизации 0,5 мм/мин; скорость вращения кристалла относительно тигля 40 об/мин.; диаметр кристалла 80 мм; диаметр тигля 16, 24, 32 см. Начальную концентрацию примеси в расплаве определить по указанному значению удельного сопротивления и условий технологического процесса.
   
4. 
   Для указанных в п.3 параметров технологического (F, f, ω) записать в таблицу значения k_эффk_и,k_об
   

   Dт, см	F, см2	k	kи	kоб
   Dт1
   Dт2
   Dт3

5. 
   Построить зависимости С_тв = f(g) для кристалла ГЭФ-6,4 при следующих параметрах технологического процесса: скорость вращения кристалла относительно тигля 70 об/мин.; диаметр кристалла 80 мм; диаметр тигля 32 см; скорость кристаллизации 0,5; 6; 10 мм/мин Начальную концентрацию примеси в расплаве взять из п.3. Построить графики зависимости к _эфф и к_об от скорости кристаллизации. Для указанных в п.5 параметров технологического (F, f, ω) записать в таблицу значения k_эффk_и,k_об
   

   f, мм/мин	k	kи	kоб
   f1
   f2
   f3

6. 
   Определить технологический режим выращивания кристалла ГЭФ-6,4, в котором реализуется метод компенсационного испарения.
   
7. 
   Рассчитать значения равновесного коэффициента распределения фосфора в германии в рамках модели регулярных растворов, применяя для твердой фазы приближение регулярных растворов, а для жидкой фазы – квазирегулярных.
   

Отчет должен содержать схему установки для выращивания кристаллов методом Чохральского, формулы, использованные для расчетов, графики и таблицы, выводы.
Лабораторная работа N1

«Легирование кристаллов при выращивании методом Чохральского»

Задание 15.

1. 
   Построить зависимость С_тв(g) для различных скоростей кристаллизации GaAs, легированного Al. Скорость вращения кристалла относительно тигля 60 об/мин. Скорость кристаллизации 0,5; 5; 10 мм/мин. Начальная концентрация примеси в расплаве 10¹⁵ см^-3. Построить график зависимости к_эфф как функции скорости кристаллизации при скорости вращения кристалла относительно тигля 60 об/мин. Для указанных скоростей кристаллизации записать в таблицу значения k_эфф
   

   Скорость кристаллизацииf,	f1	f2	f3
   kэфф

2. 
   Построить зависимость С_тв(g) для кристалла GaAs легированного Al. Скорость кристаллизации 0,5 мм/мин. Скорость вращения кристалла относительно тигля составляет 20; 50; 80 об/мин. Начальная концентрация примеси в расплаве 10¹⁵ см^-3. Построить график зависимости толщины диффузионного слоя δ и к_эфф как функции скорости вращения кристалла относительно тигля (для к_эфф скорость кристаллизации составляет 0,5 мм/мин). Для указанных скоростей вращения кристалла относительно тигля записать в таблицу значения δ и к_эфф
   

, об/мин	1	2	3
kэфф
δ, см

____________________________________________________________________________________

3. 
   Построить зависимости С_тв = f(g) для кристалла КЭС-0,5, при следующих параметрах технологического процесса: скорость кристаллизации 0,2 мм/мин; скорость вращения кристалла относительно тигля 30 об/мин.; диаметр тигля 20, 25, 32 см, диаметр кристалла 50 мм. Начальную концентрацию примеси в расплаве определить по указанному значению удельного сопротивления и условий технологического процесса.
   
4. 
   Для указанных в п.4 параметров технологического (F, f, ω) записать в таблицу значения k_эффk_и,k_об
   

   Dт, см	F, см2	k	kи	kоб
   Dт1
   Dт2
   Dт3

5. 
   Построить зависимости С_тв = f(g) для кристалла КЭС-0,5 при следующих параметрах технологического процесса: скорость вращения кристалла относительно тигля 30 об/мин.; диаметр тигля 32 см; скорость кристаллизации 0,2; 8; 14 мм/мин, диаметр кристалла 50 мм.. Начальную концентрацию примеси в расплаве взять из п.4. Построить графики зависимости к _эфф и к_об от скорости кристаллизации. Для указанных в п.6 параметров технологического (F, f, ω) записать в таблицу значения k_эффk_и,k_об
   

   f, мм/мин	k	kи	kоб
   f1
   f2
   f3

6. 
   Определить технологический режим выращивания кристалла КЭС-0,5, в котором реализуется метод компенсационного испарения.
   
7. 
   Рассчитать значения равновесного коэффициента распределения сурьмы в кремнии в рамках модели регулярных растворов, применяя для твердой фазы приближение регулярных растворов, а для жидкой фазы – квазирегулярных.
   

Отчет должен содержать схему установки для выращивания кристаллов методом Чохральского, формулы, использованные для расчетов, графики и таблицы, выводы.

.