Тажмағанбетов Арман 1-лабка циф схем. Мамандыы ВТипо 184А цифр. Схем таырыбы
 Скачать 1.13 Mb.
|
|
Қазақстан Республикасы Білім және Ғылым Министрлігі Әл - Фараби атындағы Қазақ Ұлттық Университеті  Факультеті: «Ақпараттық технологиялар» Мамандығы: «ВТиПО 18-4А» ЦИФР.СХЕМ Тақырыбы: 1-зертханалық жұмыс. Орындаған: Тажмағанбетов Арман Тексерген: Әбдіғани А.А. Алматы 2020ж 1-зертханалық жұмыс 1.1-зертханалық жұмыс     1.2-зертханалық жұмыс     1.3-зертханалық жұмыс   Тест 1) 3 2) Типы пробоев p-n-перехода. Вольтамперная характеристика стабилитрона Диод при обратном включении обладает большим сопротивлением и практически не пропускает ток только при малых значениях напряжений. При увеличении обратного напряжения в диоде происходит пробой и обратный ток резко увеличивается Если мощность, выделяемая на переходе, поддерживается на допустимом уровне, то p-n-переход сохраняет работоспособность и после пробоя. Такой пробой называется обратимым. Обратимые пробои характерны для полупроводников с большой шириной запрещенной зоны (кремний, арсенид галия). Различают три основных типа пробоев: лавинный, туннельный и тепловой Лавинный пробой Лавинный пробой связан с образованием лавины носителей зарядов под действием сильного электрического поля. В результате ударной ионизации заряды приобретают энергию, достаточную для образования новых электронно-дырочных пар. Напряженность электрического поля при этом должна достигать (8-12)*104 В/см. Такая напряженность возникает при обратном напряжении более6 - 7 В. Количество носителей, уходящих с перехода при пробое, оказывается больше количества носителей поступающих в переход, что приводит к резкому возрастанию обратного тока. Сужение перехода ниже некоторого предела исключает возможность возникновения лавинного пробоя, так как носители заряда не успевают приобрести на такой ширине перехода энергию, достаточную для ионизации нейтральных атомов. Туннельный пробой Туннельным пробоем электронно-дырочного перехода называют электрический пробой перехода, вызванный квантово механическим туннелированием носителей заряда сквозь запрещенную зону полупроводника без изменения их энергии. При увеличении напряженности электрического поля до 7*105 В/см в p-n-переходах с высокой концентрацией примесей наступает туннельный пробой. Ширина перехода становится малой (порядка 0,01 мкм). Высокое значение напряженности электрического поля, воздействуя на атомы кристаллической решетки, повышает энергию валентных электронов. Происходит туннельное «просачивание» активных валентных электронов сквозь «тонкий» энергетический барьер из валентной зоны p-области в зону проводимости n-области и обратный ток сильно возрастает.Рассмотренные механизмы пробоя (лавинный и туннельный) наблюдаются как у кремниевых, так и у германиевых p-n переходов. Тепловой пробой Тепловой пробой является необратимым и происходит с разрушением p-n перехода. Он возникает вследствие разогрева объема материала проходящим через него током при недостаточном теплоотводе. В режиме постоянного тока мощность, подводимая к p-n переходу (мощность рассеяния), выражается соотношением P расс=UобрIобр. Эта мощность идет на разогрев перехода, увеличивает термогенерацию электронов и дырок в обратно включенном p-n переходе. Это вызывает дальнейшее возрастание обратного тока. 3) 2 4) 3 5) 1 6) 3 7) 4 8) 5 9) 3 |