Реферат- Введение в наноэлектронику. Введение в наноэлектронику. Методы зондовой нанотехнологии. 1 Физические основы зондовой нанотехнологии

• Название: Методы зондовой нанотехнологии. 1 Физические основы зондовой нанотехнологии
• Анкор: Реферат- Введение в наноэлектронику
• Дата: 18.11.2022
• Размер: 3.55 Mb.
• Имя файла: Введение в наноэлектронику.rtf
• Тип: Документы; #796308
• страница: 2 из 15

.2 Контактное формирование нанорельефа

Контактное формирование нанорельефа представляет собой технологический процесс формирования заданного микрорельефа поверхности. Оно основано на воздействии зонда (СТМ или АСМ) на поверхность подложки при их механическом воздействии.

Для выравнивания поверхности подложки разработана методика использования адсорбата газа, находящегося на поверхностях зонда и подложки. При пластической деформации подложки в процессе касания зонда происходит выдавливание адсорбата из области соприкосновения. Время выдавливания оценивается величиной порядка 0,5 мс. Время выдавливания адсорбата увеличивается при наличии пленок окислов на поверхности электродов.

Гладкие подложки удается получить путем сканирования при вертикальной модуляции зонда на частоте порядка 1 кГц.

1.3 Бесконтактное формирование нанорельефа

Бесконтактное формирование нанорельефа представляет собой технологический процесс создания на поверхности металлических подложек заданных наноструктур, например, бугорков на поверхности.

Одним из путей деформации подложки является воздействие зонда СТМ путем создания механического напряжения за счет электростатического поля. Данное механического напряжение находится по формуле (4).

Другой способ заключается в локальном тепловыделении при прохождении больших плотностей тока через поверхность подложки.

.4 Локальная глубинная модификация поверхности

Локальная глубинная модификация поверхности представляет собой технологический процесс создания элементов наноэлектроники в полупроводнике под поверхностью оксидного слоя путем локального изменения физико-химическим свойств материала.

Технологическая схема локальной глубинной модификации представлена на рисунке 1.


Рисунок 1 - Локальная глубинная модификация

Здесь к поверхности полупроводниковой подложки 2, защищенной окисным слоем 1 толщиной , подводится зонд 3 с радиусом закругления . Электрическое поле напряжения проникает в подложку на глубину . Под поверхностью на глубине формируется область пластической модификации радиусом .

Максимальная глубина залегания определяется по формуле (5), при этом соответствующее пороговое напряжение рассчитывается по формуле (6).
;

,
где - максимальная глубина залегания деформации, м;

- диэлектрическая проницаемость полупроводника;

- пороговое напряжение, В;

- концентрация равномерно распределенных ионизированных примесей, ;

- предел пластичности, Па;

- диэлектрическая проницаемость пленки.