ЛПР. лабораторные тси повт. Методические рекомендации по проведению практических занятий по дисциплине Технические средства информатизации
 Скачать 1.12 Mb.
|
|
Практическая работа №3 Определение основных характеристик оперативной памяти. Измерение быстродействия оперативной памяти с помощью тестовых программ. Структура отчёта по лабораторной работе. 1. Титульный лист. 2. Содержание. 3. Цель работы. 4. Задание. 5. Теоретическая часть. 6. Практическая часть. 7. Выводы. 8. Библиографический список. Цель работы. Работа содержит сведения по установке и модернизации модулей оперативной памяти. Целью работы является облегчение учащимся освоения основных принципов установки модулей памяти на системную плату компьютера. В результате учащиеся должны знать: основные модификации модулей памяти, их отличие друг от друга; основные характеристики (параметры) модулей памяти; правила установки модулей памяти на системную плату В результате учащиеся должны уметь: правильно устанавливать модуль памяти на системную плату. Задание. 1. Ознакомиться и получить навыки работы по установке и модернизации модулей оперативной памяти. 2. Ознакомиться и получить навыки измерение быстродействия оперативной памяти с помощью тестовых программ. Теоретическая часть 3.1 Общие сведения Оперативная память (рисунок 3.1) – это рабочая область для процессора компьютера. В ней во время работы хранятся программы и данные, которые сохраняются в ней только при включенном компьютере или до нажатия кнопки Reset. Поэтому перед выключением компьютера все данные, подвергнутые изменениям во время работы, необходимо сохранять на запоминающее устройство (например винчестер). При новом включении питания сохраненная информация вновь может быть загружена в память.  Рисунок 3.1 Модуль оперативной памяти Память, применяемая для временного хранения инструкций и данных в компьютерной системе, получила название RAM (Random Access Memory – память с произвольной выборкой), потому что обращение происходит в любой момент времени к произвольно выбранной ячейке. Память этого класса подразделяется на два типа – память с динамической (Dynamic RAM, DRAM) и статической (Static RAM, SDRAM) выборкой. В персональных компьютерах используется следующие типы памяти: DRAM – Динамическая память. Широко использовался в ПК семейства 386 и 486, а так же первых поколениях Pentium. На сегодняшний момент самый медленный тип памяти. EDO DRAM – Являлась основной для персональных компьютеров с процессором Pentium. Представляет собой память типа DRAM с расширенными возможностями вывода. Память этого типа работала на частоте шины не более 66 МГЦ. Время доступа к данным: от 50 до 70 нс. В настоящее время эти модули памяти используются для модернизации встроенной памяти на некоторых моделях внешних устройств (например, лазерных принтерах) SDRAM – В настоящее время они используются в современных компьютерах с процессорами Pentium II/III. Память этого типа значительно быстрее EDO – время доступа к данным от 6 до 9 нс. Пропускная способность от 256 до 1000 Мбайт/с. Эти модули работают на частоте системной шины 66, 100 и 133 МГц. DDR SDRAM – Улучшенная модификация памяти SDRAM. Время доступа к данным 5-6 нс. Пропускная способность – до 2,5 Гбайт. Поддерживаемая частота системной шины до 700 МГц. RDRAM – Тип памяти разработанный для персональных компьютеров с процессором Pentium 4. Поддерживает рабочую частоту шины до 800 МГЦ. Время доступа к данным составляет 4 нс. Скорость передачи данных до 6 Гбайт/с. В современных компьютерах вместо отдельных микросхем памяти используются модули памяти. SIMM (Single In Memory Module ), DIMM (Dual In Line Memory Module) и RIMM (Rambus In Line Memory Module), представляющие собой небольшие платы, которые устанавливаются в специальные разъемы на системной плате или плате памяти. Отдельные микросхемы так припаяны к плате модуля, что выпаять и заменить их практически невозможно. При появлении неисправности заменяется весь модуль. Модули SIMM изготавливаются 30 или 72-контактные. Первые из них меньше по размерам. 30-и контактные модули SIMM использовались в компьютерах с процессорами 386 и 486. 72-х контактные модули (рисунок 3.2) применялись с процессорами Pentium. В настоящее время данные модули практически не используются в современных компьютерных системах.  Рисунок 3.2 72-х контактный модуль памяти SIMM Поэтому в новых системах с процессорами Pentium II/III используются 168-контактные модули DIMM (рисунок 7.3). В настоящее время для памяти DIMM SDRAM действуют спецификации РС100 и РС133, где цифры обозначают частоту синхронизации, при которой гарантированы работоспособность.  Рисунок 3.3 168-и контактный модуль памяти DIMM с микросхемами SDRAM В системах с процессором Pentium IV широко используется модификация модуля DIMM – 184-х контактный модуль DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) со спецификацией РС2100 или РС2700, которые работают на частоте шины более 266МГц. Модули DDR SDRAM имеют такие же размеры, как и модули DIMM, однако с существующими разъемами DIMM они полностью не совместимы.  Рисунок 3.4 184-х контактный модуль памяти DDR SDRAM Новой разработкой памяти для компьютерных систем является технология Rambus DRAM, который используется при производстве модулей памяти RIMM (рисунок 3.5 ). Данные модули могут работать на частоте 800МГц.  Рисунок 3.5 184-х контактный модуль памяти RIMM 3.2 Спецификации и характеристики оперативной памяти 3.2.1 Спецификации оперативной памяти Стандарты на оперативную память устанавливаются ассоциацией JEDEC, которая устанавливает набор требований к модулям памяти для гарантированного обеспечения их работы в требуемых условиях. Регламентируется длина проводников в модуле памяти, ширина дорожек и расстояние между ними, электрические и другие параметры. В настоящее время для памяти SDRAM действуют спецификации РС100 и РС133, где цифры означают частоту синхронизации, при которой гарантирована работоспособность. Для модулей памяти DDR принято обозначать спецификацию по частоте передачи данных (например РС200 или РС333) или по пропускной способности – РС2100, РС 2700 (измеряется в Мбайт/с). 3.2.2 Характеристики оперативной памяти. Быстродействие памяти Быстродействие оперативной памяти и его эффективность выражается следующими характеристиками: временем доступа к данным и максимальная рабочая частота шины. Время доступа микросхем памяти колеблется от 4 до 200 нс. (1нс – это время, за которое свет преодолеет расстояние в 30 см.) При замене неисправного модуля или микросхемы памяти новый элемент должен быть такого же типа, а его время доступа должно быть меньше или равно времени доступа заменяемого модуля. Таким образом, заменяющий элемент может иметь и более высокое быстродействие. Регенерация данных Для исключения утраты данных периодически производятся циклы регенерации данных с определенной частотой. Контроль четности Ранее для всех модуле памяти применялся контроль четности с целью проверки достоверности информации. Для этого при записи байта вычисляется сумма по модулю 2 всех информационных битов и результат записывается как дополнительный контрольный разряд. При чтении бита снова вычисляется контрольный разряд и сравнивается с полученным ранее. Коррекция ошибок Выявление и коррекция ошибок (ECC – Error Checking and Correction) – это специальный алгоритм, который заменил контроль четности в современных модулях памяти. Каждый бит данных включается более чем в одну контрольную сумму, поэтому при возникновении в нем ошибки можно восстановить адрес и исправить сбойный бит. При сбое в двух и более битах ошибка лишь фиксируется, но не исправляется. 3.3 Маркировка оперативной памяти П  ри приобретении модуля памяти необходимо обращать внимание на его маркировку. Корпус микросхемы и модуль памяти всегда имеют специальные обозначения, включающие наименование и знак фирмы изготовителя, дату выпуска, специальный код (рисунок 3.6). Маркировка модулей памяти тесно связана с особенностями их технологии производства и тестирования. Все произведенные микросхемы делятся на три класса: А, В и С – в порядке понижения результатов. Класс А – готовые микросхемы, прошедшие полный цикл тестирования, которые гарантированно работают в соответствии с заявленными характеристиками и имеют существенный запас по параметрам. Они также и самые дорогие, поскольку гарантируют работу в любых условиях. Класс В – гарантировано отвечают заданным параметрам, но имеют меньший «запас прочности» Класс С – модули памяти с небольшими дефектами, на этапе тестирования которых были выявлены ошибки. Данные модули могут быстро и хорошо работать в «домашних» системах, но использовать их в системах, где требуется высокая надежность – не рекомендуется. Существует еще одна группа модулей памяти, чипы которой вообще не тестировались производителем на скорость и надежность. Это самые низкие по стоимости модули оперативной памяти. Зачастую на данных модулях на маркировке не указывается фирма производитель, либо маркировка отсутствует. Стабильность работы таких модулей памяти вызывает большие сомнения. 3.4 Установка модулей памяти При установке и удалении памяти возможны следующие проблемы: накопление электростатических зарядов; повреждение выводов микросхем; неправильная установка модулей; Чтобы предотвратить накопление электростатических зарядов при установке микросхем памяти, не надевайте одежду из синтетических тканей или обувь на кожаной подошве. Удалите все накопленные статистические заряды, прикоснувшись к корпусу системы до начала работы, или оденьте специальный браслет. Каждая микросхема (или модуль) памяти должна быть установлена соответствующим образом. На одном конце микросхемы имеется маркировка. Это может быть вырез, круглое углубление или и то и другое. Гнездо микросхемы может иметь соответствующую маркировку. Ориентация выреза указывает положение первого вывода микросхемы. 3.4.1 Установка модулей памяти SIMM Выключите питание компьютера и отсоедините сетевой шнур. Возьмите модуль SIMM за верхний край платы и под небольшим углом осторожно вставьте микросхему в гнездо. Убедитесь, что каждый вывод совпал с отверстием разъема, а затем надавливайте на микросхему двумя большими пальцами до тех пор, пока она полностью не войдет в разъем. Надавив на края модуля, установите его вертикально (рисунок 3.7). При этом срабатывает механизм фиксации модуля (рисунок 3.8).  Ориентация модуля SIMM определяется вырезом, расположенным только с одной стороны модуля. В гнезде есть выступ, который должен совпасть с вырезом на одной стороне SIMM. Благодаря выступу установить модуль SIMM «наоборот» можно только в случае повреждения гнезда 3.4.2 Установка модулей DIMM и RIMM Модули DIMM устанавливать легче, чем модули SIMM. Подобно микросхемам SIMM, микросхемы DIMM имеют по краям ключи-вырезы, которые смещены от центра так, чтобы микросхемы могли быть однозначно ориентированы. Выключите питание компьютера и отсоедините сетевой шнур. Установите модуль в гнездо в вертикальном положении. Надавите на верхнее ребро модуля памяти, так, чтобы он плотно вошел в гнездо и сомкнулись защелки, фиксирующие модуль в гнезде. Защелки DIMM находятся в прижатом состоянии, когда модуль вставлен в слот, и откинуты в стороны, когда модуль вынут (рисунок 3.9)  Рисунок 3.9 Установка модуля памяти DIMM Для того, чтобы извлечь модуль DIMM из слота, нужно отжать защелки наружу (и вниз), и модуль выталкивается из слота. Если модуль не проскальзывает легко в разъем и затем не фиксируется на своем месте, значит, он неправильно ориентировании не выровнен. Если к модулю приложить значительные усилия, можно сломать модуль или разъем. Если сломаны зажимы разъема, память не будет установлена на своем месте. В этом случае возможны сбои памяти. Практическая часть. Ход работы. Провести тестирование оперативной памяти с помощью Memtest86 3.5(или использовав другую утилиту) 2. Протокол работы №1. Определение основных характеристик оперативной памяти. 3. Протокол работы №2. Сравнительная характеристика оперативной памяти Протокол работы №1 Определение основных характеристик оперативной памяти
подсчитать максимально достижимую пропускную способность при обработке зависимых данных можно используя для этого следующую формулу:  здесь: C - пропускная способность (Мегабайт/c), N - разрядности памяти (бит), T - полное время доступа (нс.) Протокол работы №2 Сравнительная характеристика оперативной памяти
Практическая работа №4 Определение основных характеристик накопителей. Измерение их быстродействия с помощью тестовых программ. Форматирование магнитных дисков. Работа с программным обеспечением по обслуживанию жестких магнитных дисков. Запись информации на оптические носители. Структура отчёта по практической работе. 1. Титульный лист. 2. Содержание. 3. Цель работы. 4. Задание. 5. Теоретическая часть. 6. Практическая часть. 7. Выводы. 8. Библиографический список. Цель работы. Ознакомиться и получить навыки работы с программными и техническими средствами работы с магнитными дисками и оптическими накопителями информации. Задание. 1. Установить программное и техническое обеспечение для работы с оптическими накопителями информации. 2. Ознакомиться с инструкцией пользователя специализированных программных средств для записи информации на магнитные диски и оптические накопители. 3. Выполнить запись информации указанного объёма на всех доступных скоростях записи на дисках, выданных преподавателем. Сравнить расчётное и фактическое время записи. Сделать выводы на основании полученных результатов определения фактического времени записи информации. Объяснить полученные результаты. 4. После каждого сеанса записи провести трехкратное измерение времени чтения записанной информации с оптического накопителя. Определить фактическую скорость чтения информации и кратность скорости чтения. После измерения времени и определения скорости чтения производить очистку диска. Сделать выводы на основании полученных результатов определения фактической скорости чтения информации. Теоретическая часть. 1. Классификация и структура оптических накопителей. 2. Классификация и конструкция приводов для работы с оптическими накопителями информации. 3. Описание работы с программным средством для записи информации на оптические накопители информации. 4. Форматирование магнитных дисков. 4. Формула для расчёта времени записи. 5. Формулы для расчёта средних значений времени чтения, скорости чтения и кратности скорости чтения. Практическая часть. 1. Ход работы. 2. Протокол работы №1. Промежуточные выводы. 3. Протокол работы №2. Промежуточные выводы. 4. Графическое представление полученных результатов (по заданию преподавателя) и анализ полученных результатов. Протокол работы №1 Запись информации на оптический накопитель Объём записываемой информации: __________ байт (_____ Мб)
Протокол работы №2 Чтение информации с оптического накопителя Объём читаемой информации: __________ байт (_____ Мб)
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||