Задачи по схемотехнике. Методические указания для лабораторного практикума Новосибирск 2014 удк 681.(076)

• Название: Методические указания для лабораторного практикума Новосибирск 2014 удк 681.(076)
• Анкор: Задачи по схемотехнике
• Дата: 30.03.2023
• Размер: 6.82 Mb.
• Имя файла: Ð¡Ñ ÐµÐ¼Ð¾Ñ‚ÐµÑ Ð½Ð¸ÐºÐ°.doc
• Тип: Методические указания; #1025371
• страница: 11 из 14

Рисунок П2.2 – Амплитудно-частотная характеристика
Если снимается не одна частотная характеристика, то для удобства сравнения характеристики обязательно совмещаются на средней частоте. Для этого все частотные характеристики нормируются, то есть на каждой частоте рассчитывается относительный коэффициент усиления (см. формулы (1) и (2) на странице 4). Заметим, что отношение коэффициентов усиления можно заменить отношением напряжений, поскольку входное напряжение (или ЭДС источника сигнала) на всех частотах поддерживается постоянным.

Далее все нормированные частотные характеристики строятся на одном графике, что позволяет сравнивать частотные свойства различных вариантов схем.

Пример нормированных АЧХ показан на рисунке П2.3. На рисунках П2.2 и П2.3 граничные частоты (f_н, f_в) определены по характеристике при допустимых коэффициентах частотных искажений М_н = М_в = 3 дБ (или в разах ).


Y(Y^*)



АЧХ 1

1


АЧХ 2




0,707




f_в2

f_н2

0f_н1f_срf_в1lg f

Рисунок П2.3 – Нормированные амплитудно-частотные характеристики

П3. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ УСИЛИТЕЛЯ ПО

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫМ ДАННЫМ

Усилитель удобно рассматривать как активный четырехполюсник, изображенный на рисунке П3.1, к которому со стороны входных зажимов подключен источник сигнала, имеющий ЭДС U_исти внутреннее сопротивление Z_ист,со стороны выходных зажимов подключена нагрузка Z_н.



Рисунок П3.1 - Усилитель как активный четырехполюсник
Свойства усилителя описываются переменными напряжениями и токами, возникающими на его зажимах. Динамические параметры Z_вх и Z_вых позволяют входную и выходную цепь усилителя рассматривать независимо.

По-определению параметры усилителя описываются следующими выражениями.

Коэффициент усиления по напряжению

(П3.1)

Коэффициент усиления по току

(П3.2)

Коэффициент усиления по мощности

, (П3.3)

где – мощность, выделяемая в нагрузке, – мощность, подводимая к входной цепи усилителя.

Сквозной коэффициент усиления по напряжению

, (П3.4)

где – коэффициент передачи входной цепи.

Следует отметить, что на средних частотах комплексный характер сопротивления можно не учитывать.

Входное сопротивление усилителя

_. (П3.5)

Согласно следствию теоремы об эквивалентном генераторе, выходное сопротивление усилителя R_вых равно сопротивлению между вы­ходными зажимами усилителя при отключенной нагрузке

при U_ист = 0. (П3.6)

Коэффициенты усиления можно выразить в логарифмических величинах – децибелах:

К, дБ = 20lgК,

К_Т, дБ = 20lg К_Т

К^* (К_Е), дБ = 20lg К^* (К_Е),

К_М, дБ = 10lg К_М. (П3.7)

При экспериментальном определении параметров усилителя, в соответствии со схемой измерений, приведенной на рисунке 4.2, на средней частоте измеряют напряжения U_вх,U_ист иU_выхпри разных нагрузках.

При известном R_ист сопротивление R_вх определяют по формуле:

. (П3.8)

Коэффициент усиления по току

. (П3.9)

Для измерения выходного сопротивления применяют метод двух нагрузок. Уравнение Кирхгофа для выходной цепи усилителя имеет вид

.

Записав систему уравнений для разных нагрузочных сопротивлений, производя замену и решая совместно эти урав­нения для R_н1 и R_н2, получаем расчетную формулу

. (П3.10)

П4. ОПИСАНИЕ ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ К140УД1Б.

Линейная ИМС К140УД1Б имеет следующие паспортные данные.

Назначение - операционный усилитель.

Напряжение источников питания Е_в = ± 12,6 В.

Потребляемый ток – не более 8,0 мА.

Коэффициент усиления от 1300 до 12000.

Входной ток – не более 12 мкА.

Разность входных токов – не более 3 мкА.

Напряжение смещения нуля ± 10 мВ.

Микросхема изготовляется по планарно-эпитаксиальной технологии на основе кристалла кремния со «скрытым слоем» в коллекторе. На кристалле кремния площадью 2мм² создают 9 n-p-n транзисторов (структур) и 12 резисторов. Микросхема заключена в металлический корпус, имеющий 12 выводов.

Назначение выводов:

1 - питание – Е₀,

2,3,12 - контрольные,

4 - общий для входной и выходной цепи,

5 - выход,

7 - питание Е₀,

9 - вход инвертирующий,

10 - вход неинвертирующий.

Принципиальная схема КЕ40УД1Б приведена на рисунке П.4.1.

Первый каскад выполнен на транзисторах VТ1 и VТ2 по дифференциальной схеме, вход и выход которой симметричны. Величина тока покоя первого каскада задается генератором стабильного тока (ГСТ), который выполнен на транзисторе VТЗ, термостабилизированный транзистором VТ6, включенным диодом.

Второй каскад выполнен на транзисторах VТ4 и VТ5 также по дифференциальной схеме с несимметричным выходом. Для улучшения симметричности усилителя по входам 1 и 2 в нем применена ООС по синфазной составляющей с эмиттеров второго каскада на базу токозадающего транзистора VТЗ.

Выходная часть схемы состоит из двух каскадов, которые выполнены на транзисторах VТ7 и VТ9, включенных по схеме с общим коллектором. Транзистор VТ8 является динамической нагрузкой в эмиттерной цепи транзистор VТ7, что позволяет получить от каскада большее усиление и облегчить задание режима покоя в этом каскаде.

Контрольные точки 2, 3, 12 могут быть использованы для подключения цепей, корректирующих частотно-фазовую характеристику усилителя с целью предотвращения самовозбуждения.



Рисунок П.4.1 – Принципиальная схема усилителя на ИМС К140УД1Б

П5 ПОСТРОЕНИЕ ВЫХОДНЫХ ДИНАМИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
П5.1. Построение динамической характеристики (нагрузочной прямой) для постоянного тока

Рассмотрим построение нагрузочной прямой постоянного тока на примере транзисторного каскада с ЭС режима работы (рис. П5.1).

Постоянная составляющая коллекторного тока транзистора протекает от плюса к минусу источника питания через сопротивле­ние R_к, участок коллектор-эмиттер транзистора и сопротивлениеR_э. Обычно внутреннее сопротивление источника коллекторного пи­тания мало по сравнению с сопротивлением питаемой цепи и им можно пренебречь.




Рисунок П5.1 – Схема резисторного каскада с эмиттерной стабилизацией (пунктиром показаны пути протекания постоянных токов)
Уравнение Кирхгофа для цепи прохождения тока i_к0 (при i_к >> i_б)

Е_п = u_кэ0 + i_э0R_э + i_к0R_к u_кэ0 + i_к0(R_к +R_э) (П5.1)

является уравнением нагрузочной прямой.

Сопротивление R_Н= = (R_к + R_э)является сопротивлением нагрузки для транзистора по постоянно­му току.

Для построения нагрузочной прямой постоянного тока (выходной динамической характеристики) на се­мействе выходных статических характеристик усилительного элемента (рисунок П5.3) для выбранного способа включения находят две точки, удовлетворяющие уравнению (П5.1)

а)i_к = 0; u_к = Е_п;

б) u_к = 0; (П5.2)
Проведенная через две точки прямая 1, является нагрузочной прямой постоянного тока. Отношение отрезка Е_п к отрезку i_к, равно сопротивлению нагрузки постоянному току.

Точка покоя всегда располагается на нагрузочной прямой для постоянного тока. Ее положение на прямой определяется значением тока смещения i_б0. Координаты точки покоя определяют режим работы, то есть ток i_к0 и напряжение u_кэ0.
П5.2. Построение динамической характеристики (нагрузочной прямой) для переменного тока

Выходная динамическая характеристика по переменному току строится для диапазона средних частот, на которых влиянием реактивных элементов схемы можно пренебречь. Сопротивления емкостей С_р и С_э, как и внутреннее сопротивление источника питания близко к нулю.

Источником выходного переменного тока в схеме является усилительный элемент (выходная цепь транзистора). Ток проходит от коллектора к эмиттеру по двум параллельным ветвям, встречая в одной ветви сопротивление R_к, а в другой – R_н(рисунок П5.2).


Рисунок П5.2 – Схема резисторного каскада с эмиттерной стабилизацией (пунктиром показаны пути протекания выходного переменного тока)
Следовательно, сопротивление нагрузки транзистора переменному току в резисторном каскаде равно:

(П5.3)

В резисторном каскаде R_н < R_н=. Нагрузочная прямая для переменного тока проходит через точку покоя. Ее наклон определяется величиной R_н. Для построения нагрузочной прямой для переменного то­ка дополнительно находят точку с координатами: u_к = u_кэ0 + i_к0R_н; i_к = 0.

Найденное значение u_к откладывают на оси напряжений. Динамическая характеристика проходит через эту точку и точку покоя.




Рисунок П5.3 – Построение нагрузочных прямых.
На рисунке П5.4 показаны выходные статические характеристики биполярного транзистора ГТ108А, необходимые для построения нагрузочных прямых.


i_к, мА

u_кэ, В


Рисунок П5.4 – Семейство выходных статических характеристик транзистора ГТ108А.
П6 СХЕМЫ ПИТАНИЯ И СТАБИЛИЗАЦИИ РЕЖИМА ТРАНЗИСТОРА
Транзисторам свойственна сильная зависимость параметров от ряда дестабилизирующих факторов, к которым относятся:

1. 
   Изменение температуры коллекторного "p - n" перехода БТ вследствие изменений температуры окружающей среды Т_окр.ср, а также из-за возможного «саморазогрева» БТ вследствие протекания постоянных токов и рассеивания на коллекторе мощности Р_к. При возрастании тока коллектора возрастает температура "p - n" перехода, приводит к изменению характеристик транзистора, что увеличивает ток коллектора и т. д.;
   
2. 
   Старение БТ и других элементов схемы;
   
3. 
   Замена БТ (и других элементов), при которой проявляется значительный технологический разброс пара­метров. В частности, транзисторы имеют разброс статического коэффициента усиления по току h_21э достигающий значений раз;
   
4. 
   Изменения напряжения источников питания.
   

Одним из основных факторов, приводящих к нестабильности режима работы транзистора, является зависимость от температуры ряда параметров транзистора и, в первую очередь, обратного (неуправляемого) тока коллектора I_кб0. У германиевых маломощных транзисторов ток I_кб0 при комнатной температуре может достигать 10 – 15 мкА. В зависимости от изменения температуры он растет по показательной кривой и увеличивается примерно в 2 раза при повышении температуры на каждые 10C:

, (П6.1)

где I_{кб0(Тп спр)} – значение наибольшего обратного тока, указанное в справочнике для температуры перехода Т_{п спр};

Т_{п мах} – наибольшая рабочая температура коллекторного перехода:

Т_{п мах} =Т_окр.ср +R_пс Р_к , где R_пс [С/Вт] – тепловое сопротивление «переход-среда», показывающее, на сколько нагреется "p - n" переход при увеличении рассеиваемой мощности на 1Вт, другими словами характеризует эффективность отвода тепла от "p - n" перехода в окружающую среду.

У кремниевых маломощных транзисторов ток I_кб0 значительно меньше, чем у германиевых. Он составляет при комнатной температуре 0,05 – 5 мкА. Но его зависимость от температуры значительно сильнее: он увеличивается примерно в 3 раза при повышении температуры на каждые 10C:

. (П6.2)

Влияние разброса параметров учитывают при проектировании аппаратуры, чтобы любой транзистор данного типа был способен работать в схеме без дополнительной регулировки режима. Обычно ограничиваются учетом разброса коэффициента усиления по току h_21э. Разброс параметра h_21э у современных транзисторов обычно составляет 5 – 10 раз. Расчет стабилизации режима работы обычно проводится для наихудших условий (I_{кб0 макс} и h_{21э макс}). В данной работе учет разброса h_21э не учитывается. Поэтому в расчетах следует полагать:

(П6.3)

Увеличение h_21э и I_кб0 при повышении температуры вызывает увеличение тока коллектора i_к0. Точка покоя при этом перемещается вверх по нагрузочной прямой постоянного тока, в результате чего снижается напряжение в точке покоя u_кэ0.

В резисторном каскаде допускают перемещение точки покоя до:

u_{кэ0 мин}  u_{т вых} + (12)В, иначе наблюдается резкое снижение коэффициента усиления, и возникают нелинейные искажения.

Рассмотрим количественное соотношение для исследуемых схем. В схеме рисунка П.5.1ток базы i_б0 протекает через эмиттерный переход и сопротивление R_б и определяется выражением:

(П6.4)

т
Е_п
о есть он не зависит от параметров и характеристик транзистора. Поэтому схему рисунка П6.1называют схемой с фиксированным током базы (ФТБ).



Рисунок П6.1 – Принципиальная схема каскада с ФТБ
Обратный ток коллекторного перехода I_кб0, проходит через эмиттерный переход и усиливается в h_21э раз. Максимальное значение постоянного коллекторного тока в схеме с ФТБ определяет­ся выражением:

(П6.5)

Приращение коллекторного тока в схеме с ФТБ с учетом (П.5.4) равно:

(П6.6)

На рисунке П6.2 показаны характеристики прямой передачи транзистора при комнатной и повышенной температуре. В схеме с ФТБ но­вое значение коллекторного тока в точке покоя (точка 2) будет значительно больше, чем в исходной точке 1. Схема с ФТБ облада­ет самой худшей стабильностью из всех известных схем, так что даже при относительно небольших повышениях температуры точка покоя может попадать в область насыщения транзистора. При этом работа усилителя нарушается, и возникают нелинейные искажения.

Принцип стабилизации состоит в том, что при увеличении тока i_к0в схеме должно автоматически уменьшаться напряжение смещения U_бэ0 (и, следовательно, уменьшаться ток i_б0), а это приведет к меньшему изменению величиныi_к0 (точка 3 на рисунке П6.2).



Рисунок П6.2 – Характеристики прямой передачи транзистора при нормальной и повышенной температуре
Работа схем ста­билизации основана на использовании различных видов обратной связи по постоянному току.

Л учшими показателями, по сравнению с ФТБ обладает схема коллекторной стабилизации (КС), приведенная на рисунке П6.3. В этой схеме R_к подключено непосредственно к коллектору транзистора, что приводит к созданию ООС по постоянному току. На сопротивлении R_к возникает напряжение, пропорциональное току i_к0. При появлении приращения тока i_к0 возникает падение напряжения u_Rк, что приводит к уменьшению напряжения смещения u_бэ0 и тока базы i_б0. В результате начальное приращение тока i_к0 в значительной мере компенсируется.

Рисунок П6.3 – Принципиальная схема каскада с коллекторной стабилизацией
Приращение коллекторного тока в схеме с КС равно

(П6.7)

где i_{к0 ФТБ} определяется формулой (П6.5); F^*_пар= –глубина ООС по постоянному току в схеме с КС.

Данная обратная связь будет параллельной по выходу (по напряжению) и параллельной по входу:

(П6.8)

Величина R_б в данной схеме равна:

(П6.9)

На схеме лабораторной установки (рисунок 5.1) для схемы с коллекторной стабилизацией R_б = R_б1 + R_б2. Входное сопротивление усилительного элемента R_вх.УЭ для маломощных транзисторов составляет (1…3) кОм.

Коллекторная стабилизация более проста и экономична, но имеет худшую стабилизацию по сравнению с эмиттерной стабилизацией и удовлетворительно действует лишь при большом падении питающего напряжения на сопротив­лении R_к (0,5Е_п и выше).

Н аиболее распространённой является схема эмиттерной стаби­лизации, показанная на рисунке П6.4. В этой схеме для создания ООС по постоянно­му току в цепь эмиттера включено сопротивление R_э, через которое проходит ток i_к0.

Рисунок П6.4 – Принципиальная схема каскада с эмиттерной

стабилизацией
Пусть, например, дестабилизирующие факторы (повышение температуры или замена транзистора и др.) вызвали приращение тока (рисунок П6.2). На сопротивлении R_э воз­никнет приращение напряжения u_{Rэ =} i_к0R_э, которое является напряжением ООС. Это приращение действует во входной цепи транзистора, уменьшая ток базы. С увеличением R_э возрастает напряжение ООС и ее глубина. Напряжение ООС подается на вход транзистора через сопротивления делителя цепи базы (рисунок П6.5).




Рисунок П6.5 – Действие сигнала обратной связи на входную цепь транзистора в схеме с ЭС при медленных изменениях выходного тока
Чем меньше сопротивления делителя R_б1 и R_б2, тем большая часть сигнала ОС передается на вход транзистора, то есть больше глубина ОСС и лучше стабилизация.

Однако выбирать очень малыми сопротивления R_б1 и R_б2 нельзя, так как эти сопротивления шунтируют вход усилительного элемента, что уменьшает управляющий транзистором сигнал (между базой и эмиттером) и, следовательно, усиление.

Изменение тока коллектора в схеме с ЭС можно рассчитать по формуле:

(П6.10)

где i_{к0 ФТБ} определяется формулой (П6.5); F^*_посл= – глубина ООС по постоянному току в схеме с ЭС.

В соответствии с классификацией, данная обратная связь будет последовательной по выходу (по току) и последовательной по входу:
(П6.11)

где

Чтобы ООС не уменьшала усиление схемы по переменному току, параллельно R_э устанавливают конденсатор С_э достаточно большой емкости. Эта емкость шунтируют по переменному току R_э. При этом остается ООС только по постоянному току, наличие которой и обеспечивает стабилизацию режима. Однако следует учитывать, что емкость С_э вызывает появление дополнительных частотных искажений на низких частотах.

П7 ПОСТРОЕНИЕ ВРЕМЕННЫХ ДИАГРАММ ТОКОВ И НАПРЯЖЕНИЙ ДЛЯ КАСКАДА НА ТРАНЗИСТОРЕ
Временные диаграммы токов и напряжений в цепях исследуемых каскадов позволяют углубить представление е процессах, проис­ходящих в усилителе. Построение временных диаграмм токов и напряжений базируется на предварительном изучении свойств транзистора, вида входных и выходных характеристик, а также путей прохождения постоянных и переменных токов. При составлении диаграмм предполагается, что общий провод заземлен и имеет нуле­вой потенциал, а все конденсаторы, имеющие в схеме, имеют по переменному току сопротивление, близкое к нулю. Построение временных диаграмм производится в следующей последовательности:

1. Изображается диаграмма одного полупериода напряжения на вхо­де каскада.

2. Строятся диаграммы соответствующего полупериода напряжения и тока на входном электроде транзистора.

3. Строятся диаграммы соответствующей полупериода напряжения и тока в заданной точке схемы.

При построении диаграмм токов и потенциалов по пунктам 2 ÷ 3 сначала изображается постоянная составляющая тока (по абсолютной величине) и напряжения (с учетом знака) в данной точке, а затем учитывается сигнал, вызывающий отклонение от постоянной состав­ляющей.

Р ассмотрим конкретный пример. Пусть требуется построить временные диаграммы токов и напряжений в точках «2» и «3» в схеме (рисунок П7.1).

Рисунок П7.1 – Схема резисторного каскада с эмиттерной стабилизацией
На вход воздействует синусоидальное напряжение (рисунок П7.2а). На схеме (рисунок П7.1) изображен транзистор типа p-n-p, для которого питание переходов обеспечивается при отрицательном Е₀. Токи i_б0 и i_к0 текут от плюса к минусу.



Рисунок П7.2 – Временные диаграммы каскада на биполярном транзисторе, изображенного на схеме П.6.1.
Потенциал в точ­ке «1» равен: U_б = U_бэ0 + (i_к0 + i_б0)R_э. При указанной полярности источника питания он будет отрицательным. Переменное напряжение от источника сигнала через разделительный конденсатор поступает на вход транзистора. При положительной полуволне входного сигнала отрицательный потенциал в точке «1» (на базе транзистора) будет уменьшаться (рисунок П7.2б), тогда будет снижаться и напряжение на переходе база-эмиттер, а следовательно, с учетом свойств входной характеристики транзистора i_б = f(U_бэ0), ток базы будет также уменьшаться.

При отрицательной полуволне входного сигнала, наоборот – увеличивается смещение на транзисторе, и ток базы будет возрастать. Поэтому временная диаграмма тока в точке «1» имеет вид (рисунок П7.2в).

В точках «2» и «3» ток коллектора i_к будет также уменьшаться, поскольку он прямо пропорционален току базы. Вид временных диаграмм токов в точках «2» и «3» аналогичен диаграмме тока i_б и отличается лишь масштабом (рисунок П7.2г,е).

Так как R_э шунтируется емкостью, имеющий по переменному току сопротивление, близкое к нулю, то переменное напряжение на этом участке цепи не выделяется и переменный потенциал в точке «2» отсутствует (рисунок П7.2в). Потенциал в точке «3» включает в себя напряжение на транзисторе, поэтому, воспользовавшись законом Кирхгофа, определим потенциал на коллекторе (точка 3) из выражения U_к = Е_п – i_кR_к. Так как Е_п = const, а ток коллектора уменьшается (рисунок П7.2г), то потенциал в точке 3 будет увеличиваться. Таким образом, временная диаграмма потенциала в точке 3 имеет вид (рисунок П7.2д).

На рисунке П7.2а-д (справа) показаны временные диаграммы для транзистора типа n-p-n.

Аналогично можно построить временные диаграммы для других схем включения и питания транзистора.

П8 РАСЧЕТ ТРАНСФОРМАТОРНОГО КАСКАДА
Схема трансформаторного каскада на биполярном транзисторе с эмиттерной стабилизацией режима (рисунок П8.1) может быть использо­вана как в предварительных, так и в выходных каскадах усиления.

Выходные каскады усиления рассчитываются на получение макси­мальной мощности неискаженного выходного сигнала. Для получения максимальной выходной мощности необходимо стремиться к макси­мальному использованию усилительного элемента по току и напряжению.

Чтобы в однотактном транзисторном каскаде усиления мощ­ности получить амплитуду переменного напряжения на коллекторной нагрузке близкой постоянному напряжению между коллектором и эмиттером. U_к0 , а амплитуду переменного коллекторного тока близкой постоянному току коллектора i_к0 и, следовательно, по­лучать от транзистора максимально возможную мощность неискажен­ного сигнала, необходимо выбрать оптимальное сопротивление наг­рузки переменному току

R_{к опт} = . (П8.1)

Соответствующая этому сопротивлению нагрузочная прямая пока­зана на рисунке П8.2.

В транзисторном каскаде нагрузкой для переменного коллектор­ного тока является входное сопротивление трансформатора, нагру­женного на R_н:

R_к= R_вх.тр. = . (П8.2)

Очевидно, изменяя коэффициент трансформации n, можно получить R_вх.тр. = R_копт, то есть преобразовать заданное значение нагрузки R_н в оптимальное. Для этого коэффициент трансформации должен быть выбран из условия:

, (П8.3) где _тр – коэффициент полезного действия трансформатора.

Следует иметь в виду, что при выполнении условия получения от транзистора максимальной мощности, коэффициент усиления по мощности в этом случае не будет максимальным.

Нелинейные искажения в трансформаторном каскаде могут быть обусловлены как усилительным элементом, так и трансформатором. Нелинейные искажения в трансформаторе возникают за счет нелинейной зависимости индукции в сердечнике от тока намагничивания.

Нелинейные искажения, обусловленные транзистором, возника­ют при больших токах из-за уменьшения динамического коэффициен­та усиления транзистора по току; при малых токах – из-за нелинейности входной динамической характеристики. Величина нелиней­ных искажении зависит от выходного (внутреннего) сопротивления источника сигнала R_ист . Для схемы с ОЭ нелинейные искажения будут минимальны, когда сопротивление источника сравнимо по вели­чине с входным сопротивлением транзистора.

Для уменьшения нелинейных искажений приходится несколько не­доиспользовать транзистор по току и напряжению. При небольших допустимых искажениях можно считать амплитуду переменного кол­лекторного тока и напряжения равными: U_mк ≈ 0,9 u_к0; I_mк ≈ 0,9i_к0. При этом для расчета максимальной выходной мощности, отдава­емой транзистором, можно воспользоваться выражением:

. (П8.4)

Мощность в нагрузке P_н из-за потерь в трансформаторе будет меньше мощности, отдаваемой транзистором:

P_н = Р_ _тр (П8.5)

Потребляемая коллекторной цепью мощность P₀ равна произведению Е₀ на i_к0:

P₀ = E₀i_к0. (П8.6)