Главная страница
Навигация по странице:

  • Список рекомендуемой литературы

  • Схемотехника аналоговых

  • Методичка. Методические указания к курсовому проектированию для студентов iiiiv курсов рэф


    Скачать 1.13 Mb.
    НазваниеМетодические указания к курсовому проектированию для студентов iiiiv курсов рэф
    АнкорМетодичка
    Дата13.05.2023
    Размер1.13 Mb.
    Формат файлаdoc
    Имя файлаМетодичка.doc
    ТипМетодические указания
    #1126240
    страница6 из 6
    1   2   3   4   5   6


    Определив из (10.1) и (10.2) требуемый коэффициент усиления и допустимое время установления ,задаемся ориентировочно числом предварительных каскадов (табл. 12).
    Таблица 12

    Kпр

    Десятки

    Сотни

    Тысячи

    Десятки тысяч

    N


    1...2

    2...3

    3...4

    > 4


    Определяем коэффициент усиления одного каскада предварительного усилителя

    (10.3)

    и требуемое для его реализации активное сопротивление нагрузки переменному току

    , (10.4)

    где g21проводимость прямой передачи транзистора в предварительных каскадах.

    Находим импульсную добротность некорректированного каскада ОЭ, которую мы можем реализовать на данном транзисторе и при данной нагрузке

    , (10.5)

    где – выходная, а – входная емкость транзистора.

    Если выполняется условие

    , (10.6)

    то это означает, что транзистор в предварительных каскадах, их схемное решение и число каскадов выбраны верно. Если же условие (10.6) не выполняется, то можно увеличить число каскадов N, тем самым снизив требования к добротности Ди, либо применить эмиттерную коррекцию, которая позволит увеличить добротности Дипримерно, на 30 %, т.е. выражение (10.6) примет вид

    . (10.7)

    Применение эмиттерной коррекции имеет смысл, если она позволяет уменьшить число каскадов хотя бы на один.

    Пример. Определить (ориентировочно) число каскадов предварительного усиления на транзисторе, имеющем следующие параметры: g21= 18 мСм, = 1,67 мкс, rБ = 20 Ом и СК = 4 пФ. Каскады предполагаются идентичными. Предварительный усилитель должен обеспечить и .

    Из табл. 10.2 выбираем N = 3, тогда один каскад будет давать усиление:



    Находим активное сопротивление нагрузки переменному току:



    Определяем добротность каскада ОЭ без коррекции, которую можно реализовать (Дир):

    ,





    Определяем добротность каскада, которая нам требуется, т.е. рассчитываем правую часть выражения (10.6):



    Поскольку , это означает, что трехкаскадный предварительный усилитель на выбранном транзисторе позволяет обеспечить требуемые от него параметры (коэффициент усиления не менее 330 и время установления не более 0.5 мкс).

    Так как неравенство (10.6) выполняется с большим запасом, то следует проверить возможность реализации этого предварительного усилителя на двух каскадах.

    При , , ,



    Находим реализуемую добротность:



    Определяем требуемую добротность:



    Так как условие не выполняется, то реализация предварительного усилителя с заданными параметрами с помощью двух некорректированных каскадов невозможна.

    Если же в этих каскадах применить эмиттерную коррекцию, то, воспользовавшись (10.7), получим 6.5 > 5.12, т.е. за счет применения коррекции нам удалось сократить число каскадов на один. Это вариант и принимаем за исходный при дальнейшем расчете.

    Приведенная методика определения числа каскадов является приближенной. В частности, предполагается, что все каскады нагружены на одинаковую емкость – входную емкость каскада с ОЭ, которая изменяется с изменением его коэффициента усиления. Однако для предвыходного каскада это не так. Во-первых, она по величине может быть значительно больше, во-вторых, эта емкость не зависит от числа предварительных каскадов, т.е. от их коэффициентов усиления. Кроме того, могут возникнуть трудности с реализацией требуемой величины сопротивления R2 (10.4) для получения заданного коэффициента усиления. Поэтому выводы о правильности ориентировочного выбора числа каскадов можно будет сделать после того как мы произведем расчет предвыходного каскада. Желательно, чтобы время установления всех каскадов (выходного, предвыходного, предварительных и вход­ного) заметно не отличалось друг от друга. Поэтому, возможно, при расчете предварительных каскадов придется произвести перераспределение их коэффициентов усиления, т.е. при неизменном общем коэффициенте усиления на предвыходной положить меньший коэффициент, чем на другие каскады. Может быть, придется пересмотреть расчет выходного каскада, чтобы уменьшить его коэффициент усиления (для уменьшения входной динамической емкости) либо его время установления или уменьшить оба параметра одновременно.

    Список рекомендуемой литературы


    1. Варшавер В. А. Расчет и проектирование импульсных усилителей. Учеб. пособие для вузов. – 2-е изд., доп. – М.: Высш. шк., 1975.

    2. Проектирование усилительных устройств на транзисторах / Под ред. Г. В. Войшвилло. – М.: Связь, 1972.

    3. Дуркин В. В. Аналоговые электронные устройства: Конспект лекций. – Новосибирск: Изд-во НГТУ. – Ч. 1, 1997.

    4. Дуркин В. В. Аналоговые электронные устройства: Конспект лекций. – Новосибирск: Изд-во НГТУ. – Ч. 2, 2001.

    5. Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники / Пер. с англ. – М., 1998.

    6. Остапенко Г. С. Усилительные устройства: Учеб. пособие для вузов. – М., 1986.

    7. Единая система конструкторской документации. Основные положения. – М.: Изд-во стандартов, 1985 (или более поздние издания).

    8. Разевиг В. Д. Система схемотехнического моделирования
      Micro Cap 6.0. – М.: Солон, 2001.

    9. Анализ электронных схем в среде Micro Cap V: Лабораторный практикум для студентов III–IV курсов специальности 200700 всех форм обучения / М. Я. Котляр. – Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2000

    10. Устройства приема и обработки сигналов: Метод. указания к курсовому проектированию для студентов IV–V курсов радиотехнических специальностей факультета РЭФ (№ 2124) / А.В. Киселев,
      С.В. Тырыкин. – Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2001.

    11. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам / Под ред. Н. Н. Горюнова. – М.: Энергия, 1978.

    12. Транзисторы и их зарубежные аналоги. Справочник. В 4 томах / Под ред. В.М. Петухова. – М.: ИП РадиоСофт, 1999.




    Схемотехника аналоговых

    электронных устройств
    Методические указания

    Редактор И.Л. Кескевич

    Технический редактор Н.В. Белова

    Корректор И.Е. Семенова

    Компьютерная верстка Н.М. Шуваева
    Подписано в печать 20.06.2006. Формат 60 х 84 1/16. Бумага офсетная.

    Тираж 150 экз. Уч.-изд. л. 2,55. Печ. л. 2,75. Изд. № 153. Заказ №

    Цена договорная

    Отпечатано в типографии

    Новосибирского государственного технического университета

    6 30092, г. Новосибирск, пр. К. Маркса, 20





    1   2   3   4   5   6


    написать администратору сайта