Главная страница

МУ по М и К ЭТ для ФЗО скоорект. Методические указания по их выполнению по курсу Материалы и компоненты электронной техники


Скачать 0.56 Mb.
НазваниеМетодические указания по их выполнению по курсу Материалы и компоненты электронной техники
Дата23.06.2022
Размер0.56 Mb.
Формат файлаdocx
Имя файлаМУ по М и К ЭТ для ФЗО скоорект.docx
ТипМетодические указания
#612370
страница9 из 13
1   ...   5   6   7   8   9   10   11   12   13

Примечание: В скобках латинскими буквами приведено обозначение допусков, используемое в иностранных стандартах.
Таблица 4.4 – Примеры кодовых обозначений

Полное обозначение

Кодовое обозначение

680 нФ (–20+50)%

68S

27 пФ 10%

27ПK

1,5 Ф (–10+30)%

1F5Q

3,6 мФ (–10+100)%

3И6Ю

2,2 пФ 0,25 пФ

2р2С

ПРИЛОЖЕНИЯ

Приложение1

Таблица П1 - Физические параметры чистых металлов (при 20°С)

Металл

Плотность , Мг/м3

Температура плавления,°С

Температурный коэффициент линейного расширения, αl∙106-1

Удельное сопротивление, мкОм∙м

Температурный коэффициент удельного сопротивления, αρ∙106-1

Работа выхода, эВ

Абсолютная удельная термо –эдс,мкВ∙К-1

Период решетки,нм

Алюминий

2,7

660

21,0

0,027

4,1

4,25

-1,3

а=0,404

Вольфрам

19,3

3400

4,4

0,055

5,0

4,54

+2,0

0,316

Железо

7,87

1540

10,7

0,097

6,3

4,31

+16,6

0,286

Золото

19,3

1063

14,0

0,023

3,9

4,30

+1,5

0,407

Кобальт

8,85

1500

13,5

0,064

6,0

4,41

-20,1

а=0.251

с=0,407

Медь

8,92

1083

16,6

0,017

4.3

4,40

+1,8

а=0.361

Молибден

10,2

2620

5.3

0,050

4,3

4,30

+6,3

0,314

Натрий

0,97

98

72,0

0,042

5,5

2,35

-8,7

0,428

Никель

8,96

1453

13,2

0,068

6,7

4,50

-19.3

0,352

Олово

7,29

232

23,0

0,113

4,5

4,38

-1,1

а=0.583

с=0,318

Платина

21,45

1770

9,5

0,098

3,9

5,32

-5,1

а=0,392

Свинец

11,34

327

38,3

0,190

4,2

4,00

-1,2

0,494

Серебро

10,49

961

18,6

0,015

4,1

4,30

+1,5

0,408

Тантал

16,6

3000

6,6

0,124

3,8

4,12

-2,5

0,330

Хром

7,19

1900

6,2

0,130

2,4

4,58

+18,0

0,288

Цинк

7.14

419

30,0

0,059

4,1

4,25

+1,5

а=0.266

с=0,494



Приложение 2

Таблица П2 - Параметры полупроводников (Т=300К)

Полупроводник

Период решетки, нм

Плотность , Мг/м3

Температура плавления,°С

Температурный коэффициент линейного расширения, αl∙106-1

Ширина запрещенной зоны ΔЕg, эВ



Подвижность электронов.м2/В∙с

Подвижность дырок.м2/В∙с

НЧ диэлектрическая проницаемость

Ge

0,565

5,43

937

5,8

0,67

3,9

0,39

0,18

16,0

Si

0,542

2,33

1415

2,3

1.12

2,8

0,14

0,05

12,5

α-SiC

а=0,308

с=15.12

3,22

2205

-

3.02




0.033

0,06

10,0

GaN

а=0,319

с=0.518

6,11

1700

5,7

3,40

3,9

0,03

-

12,2

AlP

0,546

2,37

2000

4,2

2,45

2,6

0,008

0,003

9,8

GaP

0,545

4,07

1467

4,7

2,26

4,7

0,019

0,012

11,1

InP

0,587

4,78

1070

4,6

1,35

2,8

0,46

0,015

12,4

AlAs

0,566

3,60

1770

3,5

2,16

4,0

0,028

-10,1




GaAs

0.565

5,32

1238

5,4

1,43

4,0

0,95

0,045

13,1

InAs

0,606

5,67

942

4,7

0,36

3,5

3,3

0,046

14.6

AlSb

0,614

4.28

1060

4,2

1,58

3.5

0,02

0,055

14,4

GaSb

0,610

5,65

710

6,1

0,72

3,6

0,4

0,14

15,7

InSb

0.648

5.78

525

4,9

0,18

3,0

7,8

0,075

17,7

ZnS

0,541

4.09

1020*

-

3,67

5.3

-

-

5,2

CdS

а=0,413

с=0,675

4,82

1750

5.7

2,53

4,9

0,034

0,011

5,4

ZnSe

0,566

5.42

1520

1,9

2,73

7,2

0,026

0,0015

9,2

CdSe

а=0,430

с=0,701

5,81

1264

-

1,85

4,1

0,072

0,0075

10,0

ZnTe

0,610

6,34

1239

8,3

2,23

-

0,053

0,003

10,4

CdTe

0,648

5,86

1041

4,0

1,51

4,1

0,12

0,006

10,2

HgTe

0,646

8,09

670

4,8

0,08

-

2,5

0,02

-

PbS

0,594

7,61

1114

-

0,39

3,3

0,06

0,07

17,0

PbSe

0,612

8,15

1076

-

0,27

4,0

0,12

0,10

-

PbTe

0,646

8,16

917

-

0,32

4,3

0,08

0,09

30,0



Приложение 3

Таблица П3 - Параметры диэлектрических материалов

Диэлектрик

Удельное объемное сопротивление,

Ом∙м

Относительная диэлектрическая проницаемость

Температурный коэффициент диэлектрической проницаемости, αε∙106, К-1

Тангенс угла диэлектрических потерь при 1 МГц

Электрическая прочность, МВ/м

Полиэтилен

1014-1015

2,3-2.4

-(200-300)

(2-5)∙10-4

40-150*

Полистирол

1014-1016

2,5-2,6

-(150-200)

(2-4)∙10-4

20-110*

Фторпласт-4

1014-1016

1,9-2,2

-(150-300)

(2-3)∙10-4

40-250*

Полипропилен

1012-1015

2.0

-(200-300)

(3-5)∙10-4

30-150*

Лавсан

1014-1015

3,1-3.2

+(400-600)

(3-10)∙10-3

20-180*

Поликарбонад

1014-1015

3,0

+(50-100)

(2-60)∙10-3

30-150*

Полиамид

1015-1016

3.5

-

(1-2)∙10-3

30-200*

Поливинилхлорид

109-1013

3.1-3,4

-

0,015-0,018

35-45

Гетинакс

108-1010

3.0-6,0

-

0,04-0,08

15-30

Стеклотестолит

108-1011

5.5-6,0

-

0,02-0,04

15-35

Бакелит

108-1011

4,0

-

0,01

12-50*

Эпоксидные компаунды

1012-1014

3.3-6,0

-

0,01

20-35

Слюда

1012-1014

6,0-8,0

+(10-20)

(1-6)∙10-4

100-250*

Кварцевое стекло

1016

3.8-4,2

-

(2-3)∙10-4

40-400*

Щелочные стекла

1010-1015

5-10

+(30-500)

(5-250)∙10-4

40-400*

Ситаллы

108-1012

5-10

-

(1-80)∙10-4

25-85

Изоляторный фарфор

109-1011

5-8

-

0,02-0,03

25-30

Ультрафарфор

1012-1015

7-10

+(80-140)

(1-10)∙10-4

20-45

Алюминоксид

1014-1015

8,5-9,5

+(100-120)

(1-2)∙10-4

25-30

Поликор

1016

9

+(80-100)

(1-2)∙10-4

30-45

Брокерит

1016

6-7

+(40-80)

(2-5)∙10-4

30-45

Диэлектрик

Удельное объемное сопротивление,

Ом∙м

Относительная диэлектрическая проницаемость

Температурный коэффициент диэлектрической проницаемости, αε∙106, К-1

Тангенс угла диэлектрических потерь при 1 МГц

Электрическая прочность, МВ/м

Стеатиновая керамика

1013-1015


6-8

+(70-180)

(6-8)∙10-4

25-40

Цельзиановая керамика

1012-1013



6-7

+(60-70)

(1-2)∙10-4

35-45

Рутиловая керамика

109-1012



40-300

-(80-2200)

(2-10)∙10-4

10-30

Сегнетокерамика

109-1011



900-20000

-

0,05-0,3

4-10

Примечание: *Верхние пределы указаны для тонких пленок

Приложение 4

Таблица П4 - Параметры магнитомягких материалов (при 20°С)

Магнитный материал

Магнитная проницаемость

Коэрцитивная сила, А/м

Остаточная индукция, Тл

Индукция насыщения, Тл

Температура Кюри,°С

Удельное сопротивление,

Ом∙м

начальная

максимальная

Технически чистое железо

250-400

3500—4500

50-100

2,0

2,18

770

0,1∙10-6

Электротехническая сталь

200-600

3000-8000

10-65

0,5-1,9

1,95-2.02

760-740

(0,25-0,6)∙10-6

Низконикелевые пермаллои

1500-4000

15000-60000

5-32

0,3-0,5

1,0-1,6

400-500

(0,45-0,9)∙10-6

Высоконикелевые пермаллои

7000=100000

50000-300000

0,65-5

0,5-0.7

0,65-1,05

400-600

(0,16-0,85)∙10-6

Супепермаллой

10000

1500000

0,3

-

0,8

400

0,6∙10-6

НЧ феррит марки:






















20000НМ

15000

35000

0.24

0,11

0,35*

110

0,001

6000НМ

4800-8000

10000

8

0,11

0,35*

130

0,1

2000НМ

1500-2300

3500

24

0,13

0,38*

200

0.5

2000НН

1800-2400

6000

8

0,10

0,25*

70

10

600НН

500-800

1500

40

0,12

0,28*

110

100

400НН

320-500

600

56

0,13

0,26*

120

1000

ВЧ феррит марки:






















100ВЧ

80-120

280

300

0,15

-

400

105

20ВЧ

16-24

45

1000

0,1

-

450

106

Магнитодиэлектрики на основе:






















Альсифера

20-90

-

400-500

0.02-0,05

-

-

(1-10)∙10-4

Молибденового пермаллоя

60-250

-

100

0,007-0.02

-

-

-

Примечание:*При Н=800А/м

Приложение 5

Таблица П5.1 – Обозначение знаков маркировки номинального сопротивления и допусков резисторов

Сопротивление

Допуск

Примеры обозначения

Множитель

Код

Допуск, %

Код

Полное обозначение

Код

1
103
106
109
1012

R (E)
K (K)
М (М)
G (Г)
Т (Т)

±0,1

±0,25

±0,5

±1

±2

±5

±10

±20

±30

В (Ж)

C (У)

D (Д)

F (P)

G (Л)

I (И)

К (С)

М (В)

N (Ф)

3,9 ±5 %

215 Ом ± 2 %

1 кОм ± 5 %

12,4 кОм ± 1 %

10 кОм ± 5 %

100 кОм ± 5 %

2,2 МОм ± 10 %

6,8 ГОм ± 20 %

1 ТОм ± 30 %

3R9I

215RI

1K0I

12K4F

10RI

M10I

2M2K

6G8M

1T0M
1   ...   5   6   7   8   9   10   11   12   13


написать администратору сайта