ргз. Министерство науки и

• Название: Министерство науки и
• Дата: 25.04.2021
• Размер: 62.75 Kb.
• Имя файла: ргз.docx
• Тип: Документы; #198564

ПЕРВОЕ ВЫСШЕЕ ТЕХНИЧЕСКОЕ УЧЕБНОЕ ЗАВЕДЕНИЕ РОССИИ



МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение
высшего образования

«САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОРНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ»

Кафедра общей и технической физики

Расчётно-графическое задание

По дисциплине	Физика
	(наименование дисциплины)
Тема работы	Проводимость собственных и примесных проводников

Выполнил: студент гр.		ЭС-19
		(шифр группы)		(подпись)		(Ф.И.О.)

Дата:

Проверил :			доцент
			(должность)		(подпись)		(ФИО)

Санкт-Петербург

2021
Краткое теоретическое описание:
Удельная проводимость — мера способность вещества проводить электрический ток, величина обратная удельному сопротивлению
Полупроводники p-типа — полупроводник, в котором основными носителями заряда являются дырки.
Полупроводник — материал, по удельной проводимости занимающий промежуточное место между проводниками и диэлектриками, и отличающийся от проводников сильной зависимостью удельной проводимости от концентрации примесей, температуры и воздействия различных видов излучения
Эффект Холла - явление возникновения поперечной разности потенциалов при помещении проводника с постоянным током в магнитное поле.

силу тока I, плотность тока j, сопротивление образца R, удельное сопротивление ρ, удельную проводимость γ.
Основные расчётные формулы:

, где R – сопротивление проводника [Ом]; ;
l - длина проводника [м]; S – площадь поперечного сечения [
, где S – площадь поперечного сечения [ , I- сила тока [A]
, где R – сопротивление проводника [Ом]; ;

l - длина проводника [м]; S – площадь поперечного сечения [

, где n – концентрация носителей заряда [ ; – подвижность электронов [ ; e-заряд электронов [Кл]

, где - начальная концентрация носителей заряда [ ;

; k – постоянная Больцмана; T- температура [К]

Дано:

№	Тип проводимости	a, мм	L, мм	d, мм	R, Ом	B, мТл	I, A
26	p	0,35	15	0,15	?	350	0,13	?	0,1	10

Подвижность электронов: 0,15
Решение:







Концентрация носителей: т.к. p-тип полупроводника =4,2

Найдем зависимость концентрации носителей от температуры:



Примем за константу

T, К	n/ ,		Ln(n/ )
50	4,08995	0,02	-127,536
100	2,02236	0,01	-63,7681
150	3,4454	0,006667	-42,5121
200	1,4221	0,005	-31,8841
250	8,36264	0,004	-25,5072
300	5,86975	0,003333	-21,256
350	1,22289	0,002857	-18,2195
400	1,19252	0,0025	-15,942
450	7,01046	0,002222	-14,1707
500	2,89182	0,002	-12,7536

Вывод:

n=1,66

С изменением температуры концентрация носителей изменяется по экспоненциальному закону. При повышении температуры концентрация в зоне проводимости увеличивается, концентрация электронов на донорных уровнях уменьшается. Рост концентрации носителей по мере роста температуры происходит из-за перехода в зону проводимости электронов с глубинных уровней валентной зоны.