Министерство связи российской федерации по связи и информации
 Скачать 2.94 Mb.
|
|
МИНИСТЕРСТВО СВЯЗИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ПО СВЯЗИ И ИНФОРМАЦИИ Московский технический университет связи и информации Билет Утверждаю №1 Зав. кафедрой Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника Собственные полупроводники. Собственные полупроводники -это полупроводники, электропроводность которых определяется собственными носителями заряда, появившимися в результате перехода носителей под действием температуры из валентной зоны в зону проводимости полупроводника. Уравнение электрической нейтральности.  Уравнение термодинамического равновесия.  Интегрально-групповой метод изготовлений полупроводниковых ИС.  Принцип планарно-эпитаксиальной технологии.  Определить какие элементы РЭА имеют данные статические характеристики:  На 1 изображении полевой транзистор. Выходные характеристики (рис. 4.9) представляют собой зависимость тока в цепи стока /с от приложенного напряжения на канале Ucvl при постоянном (фиксированном) напряжении на затворе ?/зи. При коротком замыкании затвора с истоком (иш = 0) и малых значениях напряжения на канале Ucvl ширина канала велика по сравнению с запирающим слоем /?-«-перехода. Поэтому с увеличением напряжения Ucvl ток стока возрастает почти линейно (участок от 0 до точки а). Наклон характеристики на этом участке прямо пропорционален проводимости канала. При дальнейшем росте напряжения Ucvl резко увеличиваются скорость перемещения электронов На 2 изображении биполярный транзистор. При uКЭ< uБЭ открывается коллекторный переход, и транзистор переходит в режим насыщения. В этом режиме вследствие двойной инжекции в базе накапливается очень большой избыточный заряд электронов, их рекомбинация с дырками усиливается, и ток базы резко возрастает  МИНИСТЕРСТВО СВЯЗИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ПО СВЯЗИ И ИНФОРМАЦИИ Московский технический университет связи и информации Билет Утверждаю №2 Зав. кафедрой Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника Примесные полупроводники. Примесный полупроводник - это полупроводник, электрофизические свойства которого определяются, в основном, примесями других химических элементов. Процесс введения примесей в полупроводник называется легированием полупроводника, а сами примеси называют легирующими. Для равномерного распределения легирующей примеси в объеме полупроводника легирование осуществляется в процессе выращивания монокристалла полупроводника из жидкой или газообразной фазы. Локальное легирование части объема полупроводника, например, приповерхностной области, производится методом диффузии при сильном нагреве полупроводника или низкотемпературными методами ионного легирования. Зонная диаграмма.  Уровень Ферми в примесных полупроводниках.  Сравнение входных характеристик БТ в схемах с ОБ и ОЭ. http://radio-samodel.ru/xarakter%20tranzistora.html  Эффект Эрли. Влияние эффекта Эрли на статические характеристики.  Изобразить структуру полупроводниковой ИС:   Но я очень сильно сомневаюсь в правильности! МИНИСТЕРСТВО СВЯЗИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ПО СВЯЗИ И ИНФОРМАЦИИ Московский технический университет связи и информации Билет Утверждаю №3 Зав. кафедрой Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника Импульсные свойства биполярного транзистора. Переходные процессы при включении и выключении БТ. Временные диаграммы Uвх=f(t), Iк=f(t). https://studopedia.su/15_187928_impulsnie-svoystva-bipolyarnogo-tranzistora.html Формирование пассивных элементов полупроводниковой ИС (R, C, D) по планарно-эпитаксиальной технологии.  http://ргр-тоэ.рф/electrical-engineering/173-planarno-epitaksialnaya-tehnologiya-izgotovleniya-integralnyh-mikroshem.html Определить какому элементу РЭА соответствует данная статическая характеристика:  МоП транзистор  МИНИСТЕРСТВО СВЯЗИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ПО СВЯЗИ И ИНФОРМАЦИИ Московский технический университет связи и информации Билет Утверждаю №4 Зав. кафедрой Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника Емкости p-n перехода. Зависимость емкости от приложенного напряжения. https://studopedia.su/5_13253_emkosti-p-n-perehoda.html Модель Эберса-Молла для определения токов в биполярном транзисторе. Параметры модели. https://studme.org/83094/tovarovedenie/model_ebersa-molla Изобразить структуру данной электрической схемы по планарной технологии для ИС:  МИНИСТЕРСТВО СВЯЗИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ПО СВЯЗИ И ИНФОРМАЦИИ Московский технический университет связи и информации Билет Утверждаю №5 Зав. кафедрой Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника Носители зарядов и токи в полупроводниках. Основные формулы. https://poisk-ru.ru/s1886t2.html https://siblec.ru/radiotekhnika-i-elektronika/elektronika/1-poluprovodnikovye-pribory/1-3-toki-v-poluprovodnike Частотные свойства БТ. Основные параметры. Графическая зависимость a, b от f (Гц). Дрейфовый транзистор. https://infopedia.su/17xda2b.html  Изобразить принципиальную схему данной структуры:  транзистор, диод и проводник МИНИСТЕРСТВО СВЯЗИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ПО СВЯЗИ И ИНФОРМАЦИИ Московский технический университет связи и информации Билет Утверждаю №6 Зав. кафедрой Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника Биполярные транзисторы. Условное обозначение, конструкция, назначение областей. Токи в транзисторе. Основное соотношение токов. Коэффициенты структуры. Назначение БТ. https://studopedia.ru/7_31925_bipolyarnie-tranzistori.html Пассивные элементы R и C на основе МДП-структуры ИС. 3.4. Пассивные элементы ИС В настоящее время пассивные элементы (R, C, L) в ИС почти не применяются. При разработке ИС ограничиваются использованием, по возможности, одного – двух типов элементов. Этим достигается минимизация количества технологических операций, упрощение технологии изготовления и, тем самым, низкая себестоимость и высокий процент выхода годных, т.е. минимальный брак. Некоторые типы пассивных элементов могут быть изготовлены «заодно» с транзисторами, что не потребует усложнения технологии. Примером такого элемента является МДП-конденсатор, рис. 11.   Рис. 11 На этом рисунке изображен фрагмент ИС на МДП-транзисторах, где одновременно с МДП-транзистором (слева) можно изготовить МДП- конденсатор (справа). Как и в обычном конденсаторе, верхней «обкладкой» является слой металла, изготавливаемый одновременно с металлическими контактами и затвором транзистора. Как и в обычном конденсаторе, под верхней обкладкой расположен диэлектрический слой, в данном случае SiO2. Затем следует нижняя «обкладка» в виде n+-слоя, изготавливаемого заодно с истоком и стоком транзистора. Хотя это не металл, (как в конденсаторе), но полупроводник с высокой концентрацией примесей, т.е. с высокой, как у металлов, электропроводностью. Определить какому элементу РЭА соответствует данная статическая характеристика:   МИНИСТЕРСТВО СВЯЗИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ПО СВЯЗИ И ИНФОРМАЦИИ Московский технический университет связи и информации Билет Утверждаю №7 Зав. кафедрой Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника Схема включения БТ с ОБ. Основные параметры. Статические характеристики. Такая схема дает только усиление по напряжению, но обладает лучшими частотными свойствами по сравнению со схемой ОЭ: те же транзисторы могут работать на более высоких частотах.  Инвертор на МДП-транзисторах с резистивной нагрузкой. Схема, структура ИС, логическая функция. https://studfile.net/preview/3991495/ Поясните какому прибору соответствует данная графическая зависимость:  Вольтампермерная характеристика диода (обратное смещение) МИНИСТЕРСТВО СВЯЗИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ПО СВЯЗИ И ИНФОРМАЦИИ Московский технический университет связи и информации Билет Утверждаю №8 Зав. кафедрой Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника МДП с индуцированным каналом. Принцип действия, структура ИС, статические характеристики. https://helpiks.org/3-43003.html Эмиттерно-связанная логика. Принципиальная схема. Принцип действия. https://studopedia.ru/8_171194_emitterno-svyazannaya-logika.html Определить какая характеристика и для какого элемента изображена на графике:  Передаточная характеристика ТТЛ-инвентора (транзисторно-транзисторной логики)  МИНИСТЕРСТВО СВЯЗИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ПО СВЯЗИ И ИНФОРМАЦИИ Московский технический университет связи и информации Билет Утверждаю №9 Зав. кафедрой Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника Виды электрических пробоев в p-n переходе. https://studopedia.ru/3_44353_proboy-p-n-perehoda.html Работа транзистора с нагрузкой – усилительный режим в схеме с ОЭ. Построить нагрузочную прямую. https://studopedia.ru/13_131570_rabota-bipolyarnogo-tranzistora-s-nagruzkoy.html Какой элемент ИС изображен на рисунке. Особенности его работы.  МИНИСТЕРСТВО СВЯЗИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ПО СВЯЗИ И ИНФОРМАЦИИ Московский технический университет связи и информации Билет Утверждаю №10 Зав. кафедрой Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника Электронно-дырочный переход в прямом и обратном включении. https://electroandi.ru/elektronika/elektronno-dyrochnyj-perekhod.html Параметры электронных ключей. Указать в каких режимах работают БТ и МДП, если принимают импульсный сигнал. https://studopedia.ru/13_131602_tema--elektronnie-klyuchi.html Изобразить структуру данной схемы для ИС:  МИНИСТЕРСТВО СВЯЗИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ПО СВЯЗИ И ИНФОРМАЦИИ Московский технический университет связи и информации Билет Утверждаю №11 Зав. кафедрой Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии. Контактная разность потенциалов. Ширина перехода. https://sites.google.com/site/sluzebnyjdom/elektronika-1/elektronika/elektronno-dyrocnyj-perehod-v-ravnovesnom-sostoanii Передаточная характеристика электронных ключей. Параметры, которые можно определить по данной характеристике.   Изобразить структуру полупроводниковой ИС, содержащей цепь данной схемы:  МИНИСТЕРСТВО СВЯЗИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ПО СВЯЗИ И ИНФОРМАЦИИ Московский технический университет связи и информации Билет Утверждаю №12 Зав. кафедрой Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника Полевой транзистор с управляющим p-n переходом. Принципы действия. Статические характеристики. https://ru.wikipedia.org/wiki/Полевой_транзистор#Транзисторы_с_управляющим_p-n-переходом Основные базовые физико-химические процессы получения ИС по планарной технологии.  Определить к каким схемам включения БТ относятся данные статические характеристики:  1 – с общ эмиттером  2 – с общ базой  МИНИСТЕРСТВО СВЯЗИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ПО СВЯЗИ И ИНФОРМАЦИИ Московский технический университет связи и информации Билет Утверждаю №13 Зав. кафедрой Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника Эффект Эрли. Его влияние на конструкцию БТ и статические характеристики. Электрическая модель МДП-транзистора. Параметры модели.  https://infopedia.su/8x99c0.html Изобразить структуру полупроводниковой ИС:   МИНИСТЕРСТВО СВЯЗИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ПО СВЯЗИ И ИНФОРМАЦИИ Московский технический университет связи и информации Билет Утверждаю №14 Зав. кафедрой Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника Зонная диаграмма полупроводников из Si, Ge. ВАХ-ти для этих полупроводников. Пояснить влияние ширины запрещенной зоны на ВАХ. https://studopedia.ru/5_119017_energeticheskie-zonnie-diagrammi-poluprovodnikov.html Полевые транзисторы. Условное обозначение. Назначение областей. Основные параметры, применение. http://electrik.info/main/praktika/1388-polevye-tranzistory.html Определить по структуре, какой элемент РЭА изображен. Изобразить его условное обозначение в электрических схемах:  МИНИСТЕРСТВО СВЯЗИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ПО СВЯЗИ И ИНФОРМАЦИИ Московский технический университет связи и информации Билет Утверждаю №15 Зав. кафедрой Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника Математическая модель диода. Реальная и идеальная ВАХ. Уравнение Шокли. https://pue8.ru/silovaya-elektronika/828-matematicheskie-modeli-diodov-i-ikh-ispolzovanie-dlya-analiza-elektronnykh-skhem.html http://hightolow.ru/diode2.php  Комплементарный ключ на МДП-транзисторах. Схемы, структура, особенности работы. https://lektsii.org/7-23181.html Определить какая статическая характеристика БТ изображена. Указать схему включения, участки режимов работы Выходная ВАХ транзистора это зависимость тока коллектора (IК) от напряжения коллектор-эмиттер (UКЭ).   МИНИСТЕРСТВО СВЯЗИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ПО СВЯЗИ И ИНФОРМАЦИИ Московский технический университет связи и информации Билет Утверждаю №16 Зав. кафедрой Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника Схема включения БТ с ОЭ. Статические характеристики. Основные параметры схемы. Схема включения с общим эмиттером (ОЭ) характеризуется наибольшим усилением тока и напряжения, соответственно и мощности. При данном подключении происходит смещение выходного переменного напряжения на 180 электрических градусов относительно входного. Основной недостаток – это низкая частотная характеристика, то есть малое значение граничной частоты, что не дает возможность использовать при высокочастотном входном сигнале.   Пять базовых физико-химических процессов получения транзисторной структуры БТ. Показать на диаграмме времена tзд, tнр, tрас, tси переходных процессов для БТ:   МИНИСТЕРСТВО СВЯЗИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ПО СВЯЗИ И ИНФОРМАЦИИ Московский технический университет связи и информации Билет Утверждаю №17 Зав. кафедрой Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника Пояснить физический процесс контакта металл-полупроводник. https://studopedia.su/10_116396_tema-kontakt-metall--poluprovodnik.html Цифровые ИС, назначение, основные параметры, элементная база. Условное обозначение. https://studref.com/432859/tehnika/klassifikatsiya_tsifrovyh_integralnyh_mikroshem_tsims https://studopedia.ru/3_113802_osnovnie-harakteristiki-i-parametri-tsifrovih-is.html https://studfile.net/preview/5760138/page:4/ Изобразить структуру полупроводниковой ИС данной электрической схемы:  МИНИСТЕРСТВО СВЯЗИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ПО СВЯЗИ И ИНФОРМАЦИИ Московский технический университет связи и информации Билет Утверждаю №18 Зав. кафедрой Режимы работы биполярного транзистора. https://studopedia.ru/7_31925_bipolyarnie-tranzistori.html МДП со встроенным каналом. Принцип действия. Статические характеристики. Основные параметры. https://studopedia.ru/3_181047_mdp-tranzistor-so-vstroennim-kanalom.html Изобразить структуру ИС по планарной технологии данной электрической схемы:  МИНИСТЕРСТВО СВЯЗИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ПО СВЯЗИ И ИНФОРМАЦИИ Московский технический университет связи и информации Билет Утверждаю №19 Зав. кафедрой Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника Влияние на ВАХ диода температуры, материала, концентрации примеси. https://studopedia.ru/19_416338_vliyanie-temperaturi-na-vah-dioda.html Схема и принцип действия электронного ключа на биполярном транзисторе. https://kurskautoreg.ru/elektroizmeritelnye-pribory/the-electronic-key-on-the-transistor-is-the-principle-of-operation-and-the-circuit-transistor-wrench-circuit-and-operation.html Изобразить структуру полупроводниковой ИС по планарной технологии данной электрической схемы:  МИНИСТЕРСТВО СВЯЗИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ПО СВЯЗИ И ИНФОРМАЦИИ Московский технический университет связи и информации Билет Утверждаю №20 Зав. кафедрой Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника Разновидности приборов на основе одного p-n перехода. https://studopedia.ru/6_153449_poluprovodnikovie-pribori.html Базовый элемент ТТЛ-схемы. Принцип действия, логическая функция, выполняемая данной схемой. https://studopedia.ru/3_70918_bazoviy-ttl-element-ine.html Определить статическая характеристика какого элемента РЭА здесь представлена:  транзистор |