фомнэ. Минобрнауки россии санктпетербургский государственный электротехнический университет лэти
![]()
|
МИНОБРНАУКИ РОССИИ «САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ «ЛЭТИ»» ИМ. В.И. УЛЬЯНОВА (ЛЕНИНА) Кафедра МИТ ДЗ №3 По дисциплине «ФОМНЭ» Вариант 11 Выполнил студент группы 1101 _________________ Преподаватель доцент кафедры МИТ __________________ Санкт-Петербург 2022 Задание Рассчитать величину крутизны в области насыщения для транзистора с МДП структурой, обращая особое внимание на размерность. Характеристики материала (ε, ε0, μ) – найти самостоятельно в справочниках. (μ приповерхностная подвижность носителей, в 2,5 раза меньше объемной) Дано:
М1 – материал подложки; W – ширина канала в мкм; L - длина канала в мкм; М2 - материал подзатворного окисла; d - толщина подзатворного окисла в нм Расчеты Величина крутизны в области насыщения МПД транзистора расчитывается по следующей формуле: ![]() Расчет емкости затвора происходит по следующей формуле: ![]() ![]() ![]() ![]() Подвижность электронов в канале германия μ=0,39 ![]() Напряжение сток-исток при насыщении Uси МДП-транзистора = 8 В (принято по умолчанию). ![]() Рисунок 1 Выходные данные ВАХ МПД транзистора ![]() ![]() Вывод В ходе работы была рассчитана крутизна МДП транзистора в зоне насыщения. Крутизна транзистора – это важный параметр, который характеризует его управляющее действие. Чем она больше, тем «острее» реакция транзистора на изменение напряжения на затворе. Чтобы увеличить крутизну нужно уменьшать толщину диэлектрика, уменьшать длину канала и увеличивать его ширину. |