Полиграфические технологии. московский политехнический университет

• Название: московский политехнический университет
• Анкор: Полиграфические технологии
• Дата: 04.09.2022
• Размер: 102.7 Kb.
• Имя файла: kursovaya_rabota.docx
• Тип: Курсовая; #661342

Министерство науки и высшего образования

Ф ЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ
ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ

«МОСКОВСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»

Полиграфический институт

Кафедра: Технологии и управление качеством
в полиграфическом и упаковочном производстве
Направление подготовки

29.03.03.01 «ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛИГРАФИЧЕСКОГО И УПАКОВОЧНОГО ПРОИЗВОДСТВА (ДИЗАЙН И ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛИГРАФИЧЕСКОГО ПРОИЗВОДСТВА, ДИЗАЙН И ТЕХНОЛОГИЯ СОЗДАНИЯ УПАКОВКИ, ПОЛИГРАФИЧЕСКИЕ ТЕХНОЛОГИИ В НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ)

Курсовая работа

Дисциплина:

Техника и технология производства изделий наномикроэлектроники

Тема:

Проектирование интегральных микросхем
Вариант 3

Выполнил(а): студент(ка) группы 191-763

Беляева Александра Васильевна

^{(Фамилия И.О.)}

Проверил:

^{(Фамилия И.О., степень, звание)}

Содержание

Введение

Интегральная микросхема (ИМС) – это конструктивно законченное изделие техники, выполняющее определенную функцию преобразования информации и содержащее совокупность электрически связанных между собой электрорадиоэлементов (ЭРЭ), изготовленных в едином технологическом цикле. По способу изготовления ИМС различают: полупроводниковые и пленочные [1].

Целью работы: приобретение практических навыков решения инженерной задачи на примере создания конкретного микроэлектронного изделия.

Задача работы: проектирование по заданной в техническом задании электрической схеме конструкции ИМС и технологического маршрута изготовления интегральной микросхемы.

Этапывыполнениякурсового проекта:

1. 
   анализ технического задания для выявления сущности предстоящей задачи, составление плана работ;
   
2. 
   предварительный выбор технологии изготовления, в том числе тип и конструкцию ИМС;
   
3. 
   расчет элементов согласно электрической принципиальной схеме и выбор компонентов в случае гибридных ИМС;
   
4. 
   разработка топологии и выбор;
   
5. 
   корректировка топологии и конструкции в соответствии с проверочными расчетами (при необходимости);
   
6. 
   оформление расчетно-пояснительной записки.
   

объемом 20 –30 страниц, которая должна содержать титульный лист, оглавление (содержание), техническое задание (за подписью руководителя), описание принципа действия проектируемой ИМС, выбор и обоснование конструктивно-технологического варианта производства ИМС, описание технологии со структурной схемой процесса, расчет конструктивных и электрических параметров элементов ИМС, обоснованный выбор компонентов, способа герметизации (выбор корпуса), проверочные расчеты, исследовательскую часть (по усмотрению руководителя), выводы, список использованной литературы и ГОСТов, приложения (маршрутную или операционные карты технологического процесса);

Задание на курсовую работу включает в себя электрическую схему (Рисунок 1). Основные требования к микросхеме, тип активных элементов или компонентов берется из Таблицы 1. Номинальные значения резисторов, конденсаторов указаны в Таблице 2.



Рисунок 1 – Электрическая схема

Таблица 1

Данные по электрической схеме

Напряжение питания, B	Полная относительная погрешность Ri, %	Погрешность воспроизведения поверхности сопротивления резисторной пленки, S, %	Полная относительная погрешность С0 , %	Тип транзистора
12,6	20	5	25	КТ369А...Г

Таблица 2

Перечень элементов схемы усилителя

Обозначение на схеме	R1, кОм	R2, кОм	R3, кОм	R4, кОм	R5, кОм	R6, кОм	C1, пФ
Номинал	4,0	1,8	4,0	4,0	1,7	5,6	1200

1. Проработка и выбор типа проектируемой микросхемы Анализ задания, включающий проработку электрической схемы с необходимыми расчетами электрических параметров входящих элементов и выбор типа проектируемой микросхемы
Минимально необходимая информация для последующих расчетов приведена в таблице 1, таблице 2 и включает в себя для резисторовы: номинальное значение сопротивления Ri, Ом; допуск на номинал (), %; мощность рассеивания Pi, мВт; максимальное значение рабочей температуры (обычно () = ())


Рисунок 1.2 Эквивалентная схема 1



Рисунок 1.3 Эквивалентная схема 2



Рисунок 1.4 Эквивалентная схема 3

Таблица 3

Расчетные данные для резистров

Обозна чение на схеме	Номиналь ное значение Ri, кОм	Допуск на номинал  R , % i	Мощность рассеиван ия Pi, мВт	Максимально е значение рабочей температуры Tmax, C
R1
R2
R3
R4
R5
R6

Таблица 4

Расчетные данные для конденсаторов

С, пФ	U, В	f, кГц	tg	С0, %	Tmax , С
Номинал	4,0	1,8	4,0	4,0	1,7

2 Технико-экономическое обоснование выбора технологического процесса изготовления ИМС

3 Расчет геометрических размеров активных и пассивных полупроводниковых элементов, пленочных пассивных элементов и площади платы ИМС

4 Разработка топологии ИМС в соответствии с выбранной технологией ее изготовления.

5 Разработка конструкции ИМС в целом с обоснованием выбора конструкционных материалов и защитных покрытий

6 Расчет теплового режима ИМС

7 Расчет показателей надежности

Заключение

Список литературы и используемых источников

1. Конструирование и технология микросхем. Учебное пособие для вузов, Л.А. Коледов, В.А. Волков, Н.И. Докучаев, Э.М. Ильина, Н.И. Патрик, Москва, Издетельство «Высшая школа» 1984 год

2.

г. Москва – 2022 г.