Лаба 6 по ЭБЭ. N p n типа для схемы с общим эмиттером. Основные теоретические положения
 Скачать 91.7 Kb.
|
|
Цель работы: ознакомление с принципами работы биполярного транзистора и изучение семейств характеристик биполярного транзистора. Задачи: Снять экспериментально и построить графики четырех семейств характеристик биполярного транзистора n – p – n типа для схемы с общим эмиттером. Основные теоретические положения Биполярный транзистор – полупроводниковый прибор с двумя p – n переходами. Структура биполярного транзистора изображена на рисунке 1.  Рисунок 1 – Структура биполярного транзистора Он представляет собой полупроводник, в котором созданы три области с чередующимися типами электропроводимости. На границах этих областей возникают электронно – дырочные переходы. Среднюю область транзистора, расположенную между электронно – дырочными переходами, называют базой (Б). Область транзистора, основным назначением которой является инжекция носителей заряда в базу называют эмиттером (Э), а p – n переход между базой и эмиттером – эмиттерным. Область транзистора основным назначением которой является собирание носителей заряда из базы, называют коллектором (К), а p – n переход между базой и коллектором – коллекторным. В зависимости от типа электропроводности крайних слоев (эмиттера и коллектора) различают транзисторы p – n – p и n – p – n типа. В обоих типах транзисторов физические процессы аналогичны, они различаются только типом инжектируемых и экстрагируемых носителей и имеют одинаково широкое применение. На рис. 2 представлены УГО биполярных транзисторов p – n – p и n – p – n типа.  Рисунок 2 – УГО биполярных транзисторов Свойства транзисторов транзисторов описывается следующими четырьмя семействами характеристик: входная, выходная, характеристика управления, характеристика обратной связи. В зависимости от полярности напряжений, приложенных к электродам транзистора, каждый из p–n-переходов может быть смещен в прямом или в обратном направлении, исходя из этого, возможны четыре режима работы транзистора: активный режим, режим насыщения, режим отсечки, инверсный режим. Основные параметры биполярных транзисторов: Коэффициент передачи эмиттерного и базового тока; дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода; обратный ток коллекторного перехода при заданном обратном напряжении; объемное сопротивление базы; дифференциальное сопротивление коллекторного перехода; максимально допустимый ток коллектора; напряжение насыщения коллектор – эмиттер; наибольшая мощность рассеяния коллектором; ёмкость коллекторного перехода. Протокол к лабораторной работе № 6 «Снятие статических характеристик транзистора на постоянном токе»  Таблица 1. Таблица 2.Выполнили гр.0587 Рыжиков Д. Чепелкин А. Мухутдинов А. Рамазанов Н Преподаватель Сидоренко И.Г. Санкт - Петербург 2022 |