Главная страница
Навигация по странице:

  • Институт кибербезопасности и защиты информации ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 6

  • Цель работы Провести экспериментальные исследования вольт-амперных характеристик (ВАХ) транзисторов и изучить основные параметры биполярных транзисторов.Ход работы

  • Часть 1. Исследование ВАХ транзистора, включенного по схеме ОЭ Исследование входных характеристик транзистора, включенного по схеме ОЭ

  • Исследование выходных характеристик транзистора, включенного по схеме ОЭ

  • Часть 2. Исследование ВАХ транзистора, включенного по схеме ОБ Исследование входных характеристик транзистора, включенного по схеме ОБ

  • Исследование выходных характеристик транзистора, включенного по схеме ОБ

  • Часть 3. Расчёт коэффициентов α и β в выбранных рабочих точках

  • Вывод

    		•

    Лабораторная работа №6 Биполярные транзисторы. Отчёт. Лабораторная работа 6 Биполярные транзисторы по дисциплине Электроника и схемотехника


    Скачать 175.67 Kb.
    НазваниеЛабораторная работа 6 Биполярные транзисторы по дисциплине Электроника и схемотехника
    АнкорЛабораторная работа №6 Биполярные транзисторы
    Дата31.10.2022
    Размер175.67 Kb.
    Формат файлаdocx
    Имя файлаОтчёт.docx
    ТипЛабораторная работа
    #764562

    Министерство образования и науки Российской Федерации

    Санкт-Петербургский Политехнический Университет Петра Великого

    —

    Институт кибербезопасности и защиты информации

    ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 6

    «Биполярные транзисторы»

    по дисциплине «Электроника и схемотехника»

    Выполнил

    студент гр. 4851001/10001 Игнатьев И. В.



    Преподаватель Супрун А. Ф.

    Санкт-Петербург

    2022

    Цель работы

    Провести экспериментальные исследования вольт-амперных характеристик (ВАХ) транзисторов и изучить основные параметры биполярных транзисторов.

    Ход работы

    Часть 1. Исследование ВАХ транзистора, включенного по схеме ОЭ

    Исследование входных характеристик транзистора, включенного по схеме ОЭ

    Для исследования ВАХ транзистора, включенного по схеме ОЭ (общий эмиттер), была собрана схема (рис. 1). Была снята зависимость тока базы от напряжения между базой и эмиттером: Iб(Uбэ) при напряжении на коллекторе 15 В, 10 В и 5 В. Результаты занесены в таблицу 1. График зависимости изображён на рисунке 2.



    Рис. 1. Схема транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (ОЭ)

    Uкэ=15 В





































































    Напряжение Uбэ, В
    0,7
    0,73
    0,76
    0,79
    0,82
    0,85
    0,88
    0,91
    0,94
    0,97
    1

    Ток Iб, мА
    0,116
    0,265
    0,579
    1,185
    2,234
    3,873
    6,22
    9,362
    13,36
    18,255
    24,077





































    Uкэ=10 В





































































    Напряжение Uбэ, В
    0,7
    0,73
    0,76
    0,79
    0,82
    0,85
    0,88
    0,91
    0,94
    0,97
    1

    Ток Iб, мА
    0,116
    0,266
    0,586
    1,211
    2,308
    4,047
    6,567
    9,971
    14,331
    19,694
    26,096





































    Uкэ=5 В





































































    Напряжение Uбэ, В
    0,7
    0,73
    0,76
    0,79
    0,82
    0,85
    0,88
    0,91
    0,94
    0,97
    1

    Ток Iб, мА
    0,117
    0,268
    0,593
    1,237
    2,388
    4,239
    6,958
    10,665
    15,447
    21,36
    28,444

    Табл. 1. Зависимость тока базы от напряжения между базой и эмиттером



    Рис. 2. График зависимости тока базы от напряжения между базой и эмиттером

    Исследование выходных характеристик транзистора, включенного по схеме ОЭ

    Для исследования выходных характеристик транзистора, включённого по схеме ОЭ, была снята зависимость тока коллектора от напряжения на коллекторе: Iк(Uкэ) при токе базы 0,1 мА, 0,15 мА и 0,2 мА. Результаты занесены в таблицу 2. График зависимости изображён на рисунке 3.

    Iб=0,1 мА





































































    Напряжение Uкэ, В
    0,001
    0,02
    0,05
    0,1
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7

    Ток Iк, мА
    0,543
    1,223
    2,638
    4,996
    6,761
    6,943
    7,125
    7,308
    7,49
    7,672
    7,854





































    Iб=0,15 мА





































































    Напряжение Uкэ, В
    0,001
    0,02
    0,05
    0,1
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7

    Ток Iк, мА
    0,797
    1,777
    3,816
    7,249
    9,92
    10,198
    10,478
    10,758
    11,038
    11,316
    11,597





































    Iб=0,2 мА





































































    Напряжение Uкэ, В
    0,001
    0,02
    0,05
    0,1
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7

    Ток Iк, мА
    1,039
    2,302
    4,922
    9,378
    12,96
    13,337
    13,715
    14,091
    14,47
    14,848
    15,227

    Табл. 2. Зависимость тока коллектора от напряжения на коллекторе



    Рис. 3. График зависимости тока коллектора от напряжения на коллекторе

    Часть 2. Исследование ВАХ транзистора, включенного по схеме ОБ

    Исследование входных характеристик транзистора, включенного по схеме ОБ

    Для исследования ВАХ транзистора, включенного по схеме ОБ (общая база), была собрана схема (рис. 4). Была снята зависимость тока эмиттера от напряжения между эмиттером и базой: Iэ(Uбэ) при напряжении на коллекторе 15 В, 10 В и 5 В. Результаты занесены в таблицу 3. График зависимости изображён на рисунке 5.



    Рис. 4. Схема транзистора, включенного по схеме с общей базой (ОБ)

    Uкб=15 В





































































    Напряжение Uбэ, В
    0,61
    0,64
    0,67
    0,7
    0,73
    0,76
    0,79
    0,82
    0,85
    0,88
    0,91

    Ток Iэ, мА
    0,847
    2,024
    4,782
    11,046
    24,429
    50,121
    92,539
    152,114
    225,301
    307,332
    394,254





































    Uкб=10 В





































































    Напряжение Uбэ, В
    0,61
    0,64
    0,67
    0,7
    0,73
    0,76
    0,79
    0,82
    0,85
    0,88
    0,91

    Ток Iэ, мА
    0,779
    1,852
    4,354
    10,004
    22,027
    45,062
    83,069
    136,348
    201,477
    273,903
    349,915





































    Uкб=5 В





































































    Напряжение Uбэ, В
    0,61
    0,64
    0,67
    0,7
    0,73
    0,76
    0,79
    0,82
    0,85
    0,88
    0,91

    Ток Iэ, мА
    0,711
    1,681
    3,924
    8,956
    19,596
    39,888
    73,237
    119,719
    175,986
    237,713
    301,481

    Табл. 3. Зависимость тока эмиттера от напряжения между эмиттером и базой



    Рис. 5. График зависимости тока эмиттера от напряжения между эмиттером и базой

    Исследование выходных характеристик транзистора, включенного по схеме ОБ

    Для исследования выходных характеристик транзистора, включённого по схеме ОБ, была снята зависимость тока коллектора от напряжения на коллекторе: Iк(Uкб) при токе эмиттера 2 мА, 4 мА и 8 мА. Результаты занесены в таблицу 4. График зависимости изображён на рисунке 6.

    Iэ=2 мА







































    Напряжение Uкб, В
    1
    3
    5
    7
    9
    11

    Ток Iк, мА
    1,972
    1,974
    1,974
    1,975
    1,977
    1,978






















    Iэ=4 мА







































    Напряжение Uкб, В
    1
    3
    5
    7
    9
    11

    Ток Iк, мА
    3,944
    3,945
    3,95
    3,951
    3,953
    3,956






















    Iэ=8 мА







































    Напряжение Uкб, В
    1
    3
    5
    7
    9
    11

    Ток Iк, мА
    7,884
    7,89
    7,898
    7,901
    7,907
    7,909

    Табл. 4. Зависимость тока коллектора от напряжения на коллекторе



    Рис. 6. График зависимости тока коллектора от напряжения на коллекторе

    Часть 3. Расчёт коэффициентов α и β в выбранных рабочих точках

    Коэффициент α транзистора в рабочей точке Uкб=10 В, Uбэ=1 В:

    Коэффициент α транзистора в рабочей точке Uкб=5 В, Uбэ=0,7 В:

    Значения коэффициентов α находятся в пределах от 0,95 до 0,995.

    Коэффициент β транзистора в рабочей точке Uкэ=12 В, Uбэ=0,9 В:

    Коэффициент β транзистора в рабочей точке Uкэ=6 В, Uбэ=0,75 В:

    Значения коэффициентов β находятся в пределах от 20 до 200.

    Вывод

    В ходе данной работы были приобретены навыки по измерению и исследованию ВАХ биполярных транзисторов, включенных по схемам с общим эмиттером и общей базой, а также были вычислены соотношения между токами в транзисторе, выражающиеся в коэффициентах α (коэффициент усиления транзистора по току при рассмотрении схем с общей базой) и β (коэффициент усиления транзистора по току для схем с общим эмиттером). Полученные значения находятся в пределах значений для большинства маломощных транзисторов, используемых в устройствах связи и в компьютерах.

    написать администратору сайта