ОЭиРМ лаба 4 вариант 8. Семейство выходных характеристик биполярного транзистора
 Скачать 299.85 Kb.
|
|
МИНОБРНАУКИ РОССИИ Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) Кафедра МИТ отчет по лабораторной работе № 4 по дисциплине «Основы электроники и радиоматериалы» Тема: Семейство выходных характеристик биполярного транзистора. Ключевой режим работы транзистора.
Санкт-Петербург 2023 Общие сведения: Выходные характеристики отображают зависимость входного тока транзистора от Ic от выходного напряжения Vce при различных значениях тока базы Ib. Схема включения транзистора, при которой измеряются его выходных характеристики, представлена на рис. 4.1. Для обеспечения рабочего режима транзистора к базе подключен источник постоянного тока I1, а к коллектору – источник постоянного напряжения V1, запирающего переход КБ. На графике выходной характеристики при заданном токе Ib для заданного напряжения Vce с помощью активной пиктограммы наносятся значения координат первой выбранной точки. На графике другой выходной характеристики при токе (Ib + ΔIb) для того же заданного напряжения Vce наносятся значения координат второй выбранной точки. Величины Ib, ΔIb, Vce задаются преподавателем. По полученным при измерении данным определяются статический и динамический коэффициенты усиления транзистора. Значения параметров транзистора B и β, рассчитанные по выходным характеристикам, сравниваются с аналогичными, полученными по входной и передаточной характеристикам.  Рис.1 График Каждая выходная характеристика из семейства имеет две характерные области: пологую и крутую. В пологой области коллекторный ток Ic практически не зависит от коллекторного напряжения Vce и определяется соотношением: Ic = βIb. Цель: исследовать выходные характеристики и основные режимы биполярного транзистора. 1. Семейство выходных характеристик биполярного транзистора:    I, мкА Рис.1 Схема цепи   V,В  Рис.2 График семейства выходных характеристик транзистора I, мкА Увеличим ток базы на 24мкА    V, В  Рис.2 График семейства выходных характеристик транзистора при увеличенном токе базы Таблица №1
2.Исследование транзистора в ключевых режимах:    V, В Рис.3 Схема цепи   Т, мс   Рис.4 График импульсного ИН от T V(Q),В  Т, мс  Рис.5 График напряжение коллектор-эмиттер от Т    I(Q), мкА Т, мс   V(Q),В Рис.6 График тока от Т Т, мс  Рис.7 График значений напряжений на (КЭ) при различных R2 Таблица №2
 Ib,мкА Т, мс  Рис.8 базовый ток в режиме насыщения     Ic(Q1), мА Vce(Q1), В  Рис.9 График коллекторного тока Вывод раздела 1: Значения в таблице №1 не сильно отличаются от значений полученных в ЛР3, это свидетельствует о том, что режим включения в ЛР3, является активным. Коллекторный ток не зависит от напряжения КЭ и статические, и динамические коэффициенты положены равными. Полученные значения при  =150мкА и =174мкА приблизительно равны.Вывод раздела 2: Результаты полученные при анализе токов и напряжений рисунок №7 согласуются с теми, что мы получили на рисунка №4,5,6 входной сигнал равен нулю. Так же на анализируя рисунок №7, можно сделать вывод что при увеличении сопротивления R2 улучшаются х-ки транзистора, так как уменьшаются напряжения КЭ. Вывод по ЛБ№4: В работе были исследованы выходные х-ки транзистора в режиме усиления. Опытным путем получили что при увеличении тока базы коэффициенты усиления практически не поменялись. Так же исследованы х-ки транзистора в ключевом режиме. Напряжения смещения подаваемое на базу импульсным источником, необходимо для перехода их режима отсечки в режим насыщения. |
,мкА
,В
,мА
1500