|
Тест переходной процесс. 2021,1,Промышленная электрониеа,рус,ЭС-32, ,ЭС-12(2г). Нелинейной электрической цепью
Соотношение между коэффициентами передачи тока эмиттера «α» и коэффициентом передачи тока базы «β» для схемы «ОЭ» транзистора?
Соотношение между коэффициентами передачи тока эмиттера «α» и коэффициент передачи тока базы «β» для схемы транзистора с «ОБ»?
Соотношение между коэффициентами передачи тока эмиттера «α» и коэффициентом передачи тока базы «β» для схемы транзистора с «ОК»?
Что означает параметр транзистора:  при 
Коэффициент полезного действия
Выходное сопротивление
Входное сопротивление для переменного сигнала
Коэффициент обратной связи по напряжению
Коэффициент усиления по току
Что означает параметр транзистора:  при 
Коэффициент обратной связи по напряжению
Коэффициент передачи тока
Выходное сопротивление
Входное сопротивление
Коэффициент усиления по напряжению
Что означает параметр транзистора:  при
Коэффициент усиления по напряжению
Входная проводимость
Коэффициент усиления по току
Выходная проводимость
Коэффициент передачи тока
Что означает параметр транзистора:  при
Выходная проводимость
Входная проводимость
Коэффициент усиления по току и по напряжению
Коэффициент усиления по напряжению
Коэффициент передачи тока
Основные ВАХ биполярного транзистора?
Входные I1= f(U1); выходные I2= f(U2)
Амлитудные и фазовые
Частотные и алгебраические
Усилительные и АФЧХ
Апериодические, импульсные
Какая схема биполярного транзистора обладает лучшими термостабилизирующими свойствами?
ОК
ОЭ
ОБ
ОК, ОЭ
ОЭ, ОБ
Выражения для коэффициентов усиления схемы «ОЭ»?
 ;  ; 
 ;  ; 
; ;
 ; ;
  ;  ; 
Выражения для коэффициентов усиления схемы «ОБ»?
 ;  ; 
 ; ;
; ; 
;  ;
 ; ;
Выражения для коэффициентов усиления схемы «ОК»?
; ;
;  ; 
; ;
; ;
 ; ; 
Основные первичные параметры биполярных транзисторов:
Rэ; Rк; Rб
Rвых; Rвх; Rср
ki; ku; kp
Iвх; Uвх; Rвх
Uвх; Uвых; Iвх
Вторичные параметры транзистора:
Основные режимы работы транзисторов?
Активный; отсечки; насыщения
Активный и насыщения
Только отсечки, выпрямительный
Только насыщения, цифровой
Пассивный и насыщения
Чем характеризуется активный режим работы биполярного транзистора?
Uпр на эмиттерном переходе, на коллекторном - Uобр
Uобр на эмиттерном переходе, Uпр на коллекторном
Uпр на эмиттерном переходе, Uпр на коллекторном
Uобр на эмиттерном переходе, Uобр на коллекторном
Uпр=0 на эмиттерном переходе, Uобр на коллекторном
Чем характеризуется режим отсечки биполярного транзистора?
Uобр на эмиттерном переходе, Uобр на коллекторном переходе,
Uпр на коллекторном переходе, Uпр эмиттерном переходе
Uпр на эмиттерном переходе, Uобр на коллекторном переходе
Uобр на эмиттере, Uпр на коллекторе
Uобр на эмиттере= const, Uпр на коллекторном переходе
Чем характеризуется режим насыщения в схеме биполярного транзистора?
Uпр на эмиттерном переходе, Uпр на коллекторном
Uпр на эмиттерном переходе, Uобр на коллекторном переходе
Uобр на эмиттерном переходе, Uобр на коллекторном
Uобр на эмиттерном переходе, Uпр на коллекторном
Uпр=0 на эмиттерном переходе, Uобр= const на коллекторном переходе
Назначение эмиттера биполярного транзистора?
Инжекция электронов в базу
Усиление сигнала на входе
Инжекция электронов из базы
Инжекция дырок в коллектор
Усиление сигнала на выходе
Назначение коллектора биполярного транзистора?
Экстракция носителей заряда из базы
Инжекция электронов в базу
Инжекция электронов в эмиттер
Экстракция зарядов из эмиттера
Генерация зарядов
Область п/п, в которую инжектируются неосновные носители заряда из эмиттера?
База
Коллектор
Источник питания
Дырочная область
Электронная область
Можно ли использовать транзистор в инверсном режиме?
Можно, но при значительно меньшей мощности
Можно, но при повышенном значении мощности
Нельзя
Можно при нагрузке «RH»=0
Можно при RH>Rbx
В каких транзисторах любая из крайних областей может работать в качестве эмиттера или коллектора?
Симметричных
Силовых
Маломощных
В схеме с«ОЭ»
В схеме с«ОБ»
Какая из трех основных схем включения транзисторов в усилительные и другие каскады дает наибольшее усиление по мощности?
ОЭ
ОБ
ОК
ОС
ОЗ
Каким режимом характеризуется замкнутое состояние транзисторного ключа?
режимом насыщения
режимом отсечки
активным режимом
режимом глубокой отсечки
инверсным режимом
Каким режимом характеризуется разомкнутое состояние транзисторного ключа?
режимом глубокой отсечки
активным режимом
режимом отсечки
инверсным режимом
режимом насыщения
Физический смысл параметра h11 биполярного транзистора:
входное сопротивление при коротком замыкании на выходе
коэффициент обратной связи по напряжению
коэффициент передачи тока при коротком замыкании на выходе
выходное сопротивление при коротком замыкании на выходе
выходная проводимость при холостом ходе на входе
Физический смысл параметра h12 биполярного транзистора:
коэффициент обратной связи по напряжению
входное сопротивление при коротком замыкании на выходе
коэффициент передачи тока при коротком замыкании на выходе
выходное сопротивление при коротком замыкании на выходе
выходная проводимость при холостом ходе на входе
Физический смысл параметра h21 биполярного транзистора:
коэффициент передачи тока при коротком замыкании на выходе
входное сопротивление при коротком замыкании на выходе
коэффициент обратной связи по напряжению
выходное сопротивление при коротком замыкании на выходе
выходная проводимость при холостом ходе на входе
Физический смысл параметра h22 биполярного транзистора:
выходная проводимость при холостом ходе на входе
входное сопротивление при коротком замыкании на выходе
коэффициент обратной связи по напряжению
коэффициент передачи тока при коротком замыкании на выходе
выходное сопротивление при коротком замыкании на выходе
В чем состоит различие между h- и y- параметрами биполярного транзистора:
в системе y- параметров за независимые переменные принятыu1 иu2
в системе y- параметров за независимые переменные принятыu2 иi2
в системе y- параметров за независимые переменные принятыi1 иi2
в системе y- параметров за независимые переменные принятыi1 иu2
в системе y- параметров за независимые переменные принятыi1 иu1
Бездрейфовые транзисторы – это:
транзисторы с равномерным распределением примесей в базе и диффузионным характером движения носителей заряда
транзисторы с неравномерным распределением примесей в базе
транзисторы с равномерным распределением примесей в базе и комбинационным характером движения носителей заряда
транзисторы с неравномерным распределением примесей в базе и комбинационным характером движения носителей заряда
транзисторы с равномерным распределением примесей в базе и дрейфовым характером движения носителей заряда
Основные элементы полевого транзистора?
Исток, сток, затвор
Эмиттер, база, коллектор
Анод, катод, исток
Сток, база, затвор
Исток, коллектор, катод
Два вида полевых транзисторов?
С управляющим«р- п» переходом и с изолированным затвором – «МДП»
С «п- р» переходом и общим истоком
С «р- п» переходом и общим затвором
С неуправляющим«р-п» переходом и МДП
МОП и МДП
Виды «МДП» транзистора:
Со встроенным каналом; индуцированным каналом
Только с каналом«п»
Только с каналом«р»
Только с подложкой
Только с индуцированным каналом
Выражение для стоковых характеристик полевых транзисторов?
Ic= f(Uc- и); Uc- и= const
I3- и= f(U3- и); Uc- и= const
Uc- и= f(I3- и); U3- и= const
Ic= f(U3- и); Uc- и= const
I3- и= f(c); U3= const
Что представляет собой дрейф нуля в усилителях постоянного тока?
Изменение Uвых при Uвх=0
Uвх= const при Uвых=0
Uвых= const; Uвх= const
Uвх=0; Uвых= const
Uвх=0; Uвых=0
Условное графическое изображение какого элемента изображено на рисунке:
полевой транзистор с управляющим «p-n» переходом и каналом «n» - типа
полевой транзистор с управляющим «p-n» переходом и каналом «p» - типа
полевой транзистор со встроенным каналом «n» - типа
полевой транзистор со встроенным каналом «p» - типа
полевой транзистор с индуцированным каналом «n» - типа
Условное графическое изображение какого элемента изображено на рисунке:
|
|
|
Скачать 0.84 Mb.