Тест переходной процесс. 2021,1,Промышленная электрониеа,рус,ЭС-32, ,ЭС-12(2г). Нелинейной электрической цепью

• Название: Нелинейной электрической цепью
• Анкор: Тест переходной процесс
• Дата: 31.01.2022
• Размер: 0.84 Mb.
• Имя файла: 2021,1,Промышленная электрониеа,рус,ЭС-32, ,ЭС-12(2г).docx
• Тип: Документы; #347862
• страница: 1 из 5

Электрическая цепь, у которой электрические напряжения и электрические токи связаны друг с другом нелинейными зависимостями, называется?

нелинейной электрической цепью

линейной электрической цепью

принципиальной схемой

схемой замещения

участком сложной цепи, содержащей R, L, C элементы
В какой последовательности записывается полное обозначение резистора в технической документации:

Сокращенное обозначение, рассеиваемая мощность, номинальное сопротивление, допуск, группа по уровню шумов, обозначения документа на поставку

Обозначения и величины основных параметров, сокращенное обозначение, группа по уровню шумов, обозначения документа на доставку

Сокращенное обозначение, группа по уровню шумов, обозначения и величины основных параметров, обозначения документа на поставку

Сокращенное обозначение, номинальное сопротивления, допуск, группа по уровню шумов, обозначения документа на поставку

Рассеиваемая мощность, сопротивление, допуск, группа по уровню шумов, обозначения документа на поставку, сокращенное обозначение
Какие основные электрические параметры характеризуют конденсатор постоянной емкости?

величина емкости, допуск, допустимое напряжение, ТКЕ

допустимый ток, мощность, величина емкости

полярность, тип диэлектрика, напряжение пробоя, ток разряда

тип, цвет, габаритные размеры

ток заряда, время разряда, электрическая емкость
Какой может быть величина сопротивления резистора?

в соответствии с допуском по определенному ряду

любой

кратной2ⁿ

кратной10ⁿ

определяется размером резистора
Какой параметр обозначает надпись на резисторе5R6:

номинальное сопротивление

номинальное напряжение

номинальная мощность

допуск

значение ТКС
Обозначение переменного резистора?










Обозначение подстроечного резистора?










Укажите верное выражение для расчета температурного коэффициента сопротивления:










Какие резисторы отличаются более высокими стабильностью параметров и точностью изготовления?

прецизионные

высокоточные

точные

высокочастотные

измерительные
Нелинейные резисторы, управляемые электрическим полем, называются?

варисторы

позисторы

веристоры

термисторы

вариконды
Какие резисторы подразделяются на металлодиэлектрические, металлоокислые и металлизированные?

тонкопленочные

проволочные

толстопленочные

непроволочные

металлофольговые
Резисторы, отличающиеся малыми значениями собственной индуктивности и емкости называются:

высокочастотными

реактивными

высокоомными

высоковольтными

низкоиндуктивными
Магнитопроводы с постоянными или регулируемыми параметрами в катушках индуктивности применяют для:

увеличения значений индуктивности и повышения их добротности

уменьшения межвитковых емкостей

уменьшения межвитковых сопротивлений

уменьшения межвитковых индуктивностей

увеличения значений межвитковых индуктивностей
В катушках только на высоких частотах (десятки- сотни МГц) используют:

диамагнетики

пермаллои

ферромагнетики

ферриты

литцендрат
Основное назначение дросселей:

обеспечить большое сопротивление для переменных токов и малое для постоянных или низкочастотных токов

обеспечить большое сопротивление для переменных и постоянных и малое для низкочастотных токов

обеспечить малое сопротивление для переменных токов и большое для постоянных токов

обеспечить большое значение индуктивности для переменных токов и малое для постоянных или низкочастотных токов

обеспечить малое значение индуктивности для переменных токов и большое для постоянных или низкочастотных токов
Наиболее распространенные формы магнитопроводов катушек индуктивности:

броневая и тороидальная

броневая

тороидальная

стержневая

броневая, тороидальная и стержневая
Электролитические конденсаторы отличаются от остальных тем что:

содержат электролит, имеют большую величину емкости, требуют определенную полярность включения

имеют возможность регулировки величины емкости

имеют большие габаритные размеры

имеют большую величину емкости и напряжения

имеют отверстие для заливки электролита
Тангенс угла потерь характеризует:

электромагнитные потери в конденсаторе

электрические потери в конденсаторе

магнитные потери в конденсаторе

частоту конденсатора

рабочее напряжение конденсатора
Обозначение переменного конденсатора?










Обозначение подстроечного конденсатора?










Нелинейные конденсаторы на основе использования свойств «p-n»-перехода называют?

варикапами

варисторами

оксидно- полупроводниковыми

варикондами

электролитическими
Нелинейные конденсаторы, выполненные на основе сегнетоэлектриков, называют?

варикондами

электролитическими

варисторами

варикапами

оксидно- полупроводниковыми
Для электрических конденсаторов важным параметром является?

ток утечки

номинальное напряжение

значение ТКЕ

тангенс угла потерь

номинальная емкость
Условное графическое обозначение выпрямительных диодов?










Условное графическое обозначение стабилитрона?










Условное обозначение варикапа?










Условное обозначение туннельного диода?










Условное обозначение диода с барьером Шотки?










Прямое сопротивление диодаr_пр определяется?










Стабилитроны предназначены для?

стабилизации напряжения

стабилизации тока

выпрямления тока

усиления напряжения

сглаживания пульсаций
Основными параметрами полупроводникового диода являются:

прямой ток, импульсный ток, допустимое обратное напряжение

наличие дырок и электронов

допустимая мощность рассеивания

быстродействие, ток, мощность, прямое напряжение перехода

температура, сопротивление, частота
Полупроводниковый стабилитрон, это элемент работающий на:

обратной ветви ВАХ

импульсную мощность

переменном токе

прямой ветви ВАХ

длительности импульса
Основными параметрами стабилитрона являются:

напряжение стабилизации, максимальный и минимальный токи стабилизации

максимальный прямой ток и напряжение

напряжение включения и ток управления

ток утечки, быстродействие, ток анода

ток базы, ток коллектора
Светодиод– это оптоэлектронный прибор, работающий на:

прямой ветви ВАХ

обратной ветви ВАХ

на переменном токе

на выходе аппаратуры

на входе устройства
Элемент имеет надпись на корпусе «КД213Б», это:

кремниевый диод

транзистор

германиевый диод

резистор

конденсатор
Полупроводниковый переход обладает:

односторонней проводимостью

высоким сопротивлением

двухсторонней проводимостью

высокой проводимостью

отсутствием проводимости
На элементе нанесена маркировка КС182А, что это за элемент?

кремниевый стабилитрон малой мощности с напряжением стабилизации 8,2 В

конденсатор постоянной емкости, емкостью 182 микрофарады

резистор сопротивлением 8,2 Ом

светодиод

кремниевый диод
Стабилитроны включают последовательно для:

обеспечения стабилизации двухполярных напряжений

получения более высокого входного напряжения

получения более высокого выходного напряжения

получения более высокого обратного напряжения

получения более высокого обратного тока
Уравнение прямой ветви вольтамперной характеристики диода (R_Б–омическое сопротивление базы):










Диоды, предназначенные для преобразования переменного тока в постоянный, к быстродействию, емкости «p-n» - перехода и стабильности параметров которых обычно не предъявляют специальных требований, называют:

выпрямительными

импульсными

выпрямляющими

силовыми

стабилитронами
Последовательно со стабилитроном включают дополнительный диод для:

уменьшения температурного коэффициента напряжения стабилизации

увеличения температурного коэффициента напряжения стабилизации

получения более высокого входного напряжения

обеспечения стабилизации двухполярных напряжений

получения более высокого выходного напряжения
Полупроводниковые диоды, предназначенные для стабилизации малых напряжений и включаемые в прямом направлении, называются?

стабисторами

стабилитронами

стабилизирующими диодами

варикапами

варисторами
Уровень Ферми в полупроводнике «n»- типа расположен:

вблизи свободной зоны

в середине запрещенной зоны

в валентной зоне

на уровне акцепторной примеси

в зоне проводимости
Что такое потенциальный барьер?

электрическое поле, препятствующее диффузионному движению основных носителей

электрическое поле, препятствующее диффузионному движению неосновных носителей

магнитное поле, препятствующее диффузионному движению основных носителей

магнитное поле, препятствующее диффузионному движению неосновных носителей

электрическое поле, сопровождающее диффузионное движения основных носителей
Составляющая суммарного тока «p-n» перехода в равновесном состоянии - это ток:

Дрейфовый и диффузионный

Примесный

Переменный

Импульсный

Индуктивный
По отношению концентраций примесей, «p-n» переходы делят на:

Симметричные

Многосторонние

Одиночные

Многогранные

Ступенчатые
По резкости металлургической границы и удельному сопротивлению слоев«р-n» переходы могут быть:

Ступенчатыми и плавными

Симметричными

Несимметричными

Односторонними

Многосторонними
Определение электронно-дырочного перехода в полупроводниковых приборах – «р-п»?

Две области п\п где много электронов и дырок

Это две области п\п с различными типами примесей

Две области п\п где мало основных носителей зарядов со знаком +

Две области п\п где мало электронов и дырок

Электрический переход между двумя областями п\п электропроводностью «п» и «р»
Что называют электрическим переходом в двух контактных слоях п\п?

Переходный слой между двумя областями обе из диэлектрика

Переходный слой в п\п между областями с различными напряжениями одна из областей может быть диэлектриком

Переходный слой между двумя областями обе области из металла

Переходный слой в п\п между двумя областями с различными типами электропроводности одна из областей может быть металлом.

Переходный слой между двумя областями с донорной примесью
Что называют контактной разностью потенциалов в п\п?

Обусловленная собственным электрическим полем «р-n» перехода

Обусловленная внешним электрическим полем в «п-р» переходе

Обусловленная внесением акцепторной примеси в п\п

Обусловленная внесением донорной примеси в п\п

Обусловленная барьерной емкостью п\п в «р-п» переходе
Что создает диффузионный ток?

Перемещение собственных носителей из области с большей концентраций в область с меньшей концентрацией

Электрические заряды областей при повышение напряжения в «p-n» переходе

Ток в «р-n» переходе при сильном эл.поле

Ток созданный дрейфом зарядов при низком напряжение «р-n» перехода

Ток в «р-n» переходе под действием контактной разности потенциалов
От чего возникает контактная разность потенциалов в п\п?

Под действием дрейфового и диффузионного токов

Под действием внешнего электрического поля

Под действием повышенной температуры

Под действием обратного напряжения

Под действием внутреннего электрического поля между границами контактного слоя
Какое направление тока в п\п называют техническим?

Направление одинаковое с теоретическим

Противоположное теоретическому

Направление обусловленное диффузионным током

Направление одинаковое с дрейфовым током

Направление тока сезонное электронами
Что называется генерацией собственных носителей заряда в п\п?

Образование дырок под действием эл-ого поля

Образование электронов под действием эл-ого поля

Образование в чистом п\п пары электрон дырка

Образование диффузионного тока

Образование диффузионной емкости
Какой ток назвают дрейфовым?

Ток, образованный полем«р-n» перехода

Ток, образованный внешним полем в п/п

Ток, образованный при пониженном потенциале «р-n» перехода

Ток, под действием контактной разности потенциалов

Ток, под действием температурного потенциала
Понятие «экстракция» носителей заряда в «р-п» переходе?

Явления переноса не основных носителей заряда под действием эл. поля перехода через «р-n» переход

Перенос не основных носителей под действием температуры «р-n» перехода

Перенос основных носителей через «р-n» переход под действием эл. поля «р-n» перехода

Перенос основных носителей через «р-n» переход под действием температуры

Перенос основных носителей под действием понижения потенциального барьера
Понятие «Инжекция» носителей заряда

Введение носителей заряда через «р-n» переход при повышении температуры

Введение носителей заряда через «р-n» переход при повышении потенциального барьера

Введение носителей заряда через «р-n» переход при неизменном потенциальном барьере

Введения носителей заряда через«р-n» переход при понижении потенциального барьера

Введение носителей заряда через «р-n» переход при понижении температуры
Суммарный ток « » через «p-n» переход в динамическом равновесии равен:










Как изменяется концентрация основных носителей заряда при введении донорной примеси в полупроводник?










Соотношение концентрации основных носителей заряда при введении акцепторной примеси в п/п?










В каком соотношении находятся « » и « » в чистом полупроводнике?










Диффузионная длина электронов в «р» - области диода связана со временем жизни носителей соотношением:










При U =0,3 В через диод проходит I=50 мА. ; . Определить: 1) R - постоянному току; 2) Дифференциальное сопротивление?

R =6; r 2, 5

R =5; r

R =10; r

R =6; r

R =5; r
Для чего вводят в чистый п/ п акцепторные примеси. Получают проводимость:

электронную

дырочную

абсолютную

относительную

сверхпроводимость
Для чего вводят в чистый п/п донорные примеси. Получают проводимость:

сверхпроводимость

дырочную

абсолютную

относительную

электронную
На вид обратной ветви ВАХ диода влияют:

Лавинное умножение

Электронная проводимость

Дырочная проводимость

Индуктивность

Частота
Вид пробоя«p- n» в п/п приборах?

Туннельный, лавинный, тепловой

Индуктивный, емкостной

Импульсный, частотный

Емкостной, тепловой

Радиальный, магистральный
Чем характерен тепловой пробой«р-n» перехода для п/п приборов. Прибор:

Выходит из строя

Годен к дальнейшей работе

Можно использовать, изменив направление тока

Можно использовать при пониженном напряжении

Можно использовать при низких температурах
Основные параметры«p-n» перехода:



Индуктивное сопротивление






Чем характерен электрический пробой «p-n» перехода для п/п приборов:

После пробоя годен к дальнейшей работе

Выходит из строя

Нельзя использовать, при низкой температуре

Нельзя использовать при пониженном напряжении

Можно использовать при высокой разности потенциалов
Емкость«p-n» перехода:

Барьерная, диффузионная

Зарядная

Прямая

Обратная

Текущая
Выражение общей емкости«p- n» перехода:










Соотношения для определения прямого сопротивления диода?










Обоснование и вольтамперная характеристика туннельного диода:










Стабилитрон к какому виду п/п приборов относиться?

К биполярному транзистору

К тиристору

К диоду

Полевому транзистору

К импульсивному генератору
Прибор, работающий в режиме электрического пробоя?

Стабилитрон и стабистор

Выпрямительный диод

Одно- операционный тиристор

Двух- операционный тиристор

Варикап, динистор
Для чего предназначен стабистор?

Для стабилизации частоты

Для стабилизации больших напряжений

Для стабилизации тока

Для стабилизации малых напряжений

Для стабилизации температуры
Диоды, применяемые в импульсных цепях?

Меза-диоды, диоды Шоттки, импульсные

Лавинно-пролетные, излучающие

Диоды Ганна

Варикапы

Высокочастотные
В чем особенность диода Шотки?

Исползуют «p-n» перехо при высокой мощности

Используют контакт металл-оксид-п/п

Используют контакт металл-диэлектрик

Использую переход«p-n» при пониженном напряжении

Вместо«p-n» перехода используют контакт металл-п/п
Для чего используют«Варикап»?

В качестве конденсатора

Как индуктивность

В качестве потенциометра

В качестве резистора

Как импульсный диод
Как влияет повышение температуры на параметры диода?

Растет прямой, обратный ток, баръерная емкость

Прямой ток не изменяется

Обратный ток уменьшается

Уменьшается


Как влияет повышение температуры на параметры диода?

Прямой ток растет, обратный уменьшается С - возрастает

Прямой ток не изменяется, обратный ток увеличивается, С =const

Прямой ток уменьшается, обратный уменьшается, С =const

Прямой и обратный токи растут, растет барьерная емкость «С »

Прямой ток растет, обратный не изменяется, С - уменьшается
На рисунке приведено условно-графическое обозначение:



cхемы выпрямителя с низкочастотным фильтром или однополупериодного выпрямителя

схемы делителя напряжения

cхемы выпрямителя с высокочастотным фильтром

схемы стабилизатора

схемы тиристорного преобразователя
Определить , если t=20 C; n ; N

0,265

0,323

0,255

0,380

0,256
Выражение для определения ?










Выражение для определения температурного потенциала электрона « »?










Формула для определения (контактная разность потенциалов)?










Общее выражение дифференциального сопротивления диода « »?

;

:

;

;

;
Высокочастотные диоды применяют в:

Детекторах высокочастотных сигналов, преобразователях частоты, модуляторах

Низкочастотных схемах, в качестве управляемой емкости

Выпрямителях больших токов

Логарифмирующих установках

Схемах усиления сигналов
Магнитодиоды используют для:

Измерения магнитных полей, бесконтактных коммутаторов электрических сигналов, измерения СВЧ мощности

Схем с импульсными режимами работы

Стабилизации напряжений

Стабилизации токов, управление величиной барьерной емкости

Для усиления сигналов
ИК - светодиоды используют в:

Системах автоматического контроля, схемах подсветки

Бесколлекторных двигателях постоянного тока

Магнитодефектоскопии

Модуляторах, датчиках

Импульсных схемах
Для диода ; Ом (подключена последовательно). Определить ?

10

12

15

5

8
Для диода R - резистор нагрузки (подключен последовательно). Определить при котором диод будет работать в безопасном режиме?

10,5

10,8

10

9

15
В каких режимах может работать мостовая схема на тиристорах?

Только в инверторном

Только в выпрямительном

В выпрямительном и инверторном

В усилительном

В режиме стабилизации
Основные конструктивные элементы биполярного транзистора?

анод, база, коллектор

эмиттер, база, подложка

анод, катод, затвор

эмиттер, коллектор, база

катод, коллектор, затвор
Типовые схемы включения биполярного транзистора?

ОБ, ОК, ОЭ

ОС, ЗИ, СЭ

ОЭ, ИС, ОЗ

ОБ, ОС, ОЭ

ЗИ, ОБ, ОС
В каких устройствах не используют транзисторы?

логических

усилителях

ключевых

импульсных

выпрямителях
Транзистор – это электронный прибор, содержащий:

два«p-n» перехода

три вывода

полупроводник «р» – типа

полупроводник «n» – типа

анод и катод
Коэффициент усиления транзистора в схеме с общим эмиттером – это:

отношение тока коллектора к току базы

отношение токов базы и эмиттера

отношение токов коллектора и эмиттера

отношение напряжения коллектора к току базы

произведение тока коллектора и тока базы
Коэффициент усиления транзистора в схеме с общим эмиттером:

больше единицы

меньше единицы

равен единице

равен нулю

зависит от количества нейтронов в базе
Основными параметрами транзистора являются:

допустимые напряжения на переходах, максимальный ток коллектора, максимальная мощность коллектора, коэффициент усиления по току

мощность и ток

ток, напряжение, мощность, габаритные размеры, коэффициент усиления по напряжению

сопротивление, напряжение стабилизации, обратное напряжение

температура, размер корпуса, количество выводов
Биполярный транзистор – это прибор предназначенный для:

усиления тока

для стабилизации напряжения

для индикации

для нагрева радиатора

для воспроизведения звука
Кремниевые биполярные транзисторы обозначаются буквами:

КТ

КН

КС

КУ

КД
Входной характеристикой биполярного транзистора по схеме с ОЭ называется:

зависимость тока базы от напряжения между базой и эмиттером при постоянном напряженииU_КЭ

зависимость тока коллектора от напряжения между базой и коллектором при постоянном напряженииU_КЭ

зависимость тока базы от напряжения между базой и эмиттером

зависимость тока эмиттера от напряжения между базой и эмиттером при постоянном напряженииU_КЭ

зависимость тока коллектора от напряжения между базой и эмиттером при постоянном напряженииU_БЭ
Выходной характеристикой биполярного транзистора по схеме с ОЭ называется:

зависимость коллекторного тока от напряжения между коллектором и эмиттером при неизменном токе базыI_Б

зависимость тока базы от напряжения между базой и эмиттером

зависимость тока эмиттера от напряжения между базой и эмиттером при постоянном напряженииU_КЭ

зависимость тока базы от напряжения между базой и эмиттером при неизменном токе базыI_Б

зависимость тока коллектора от напряжения между базой и эмиттером при постоянном напряженииU_БЭ
Что представляет собой модель Эберса-Молла:

каждый «p-n» переход транзистора представлен в виде диода, а их взаимодействие отражено генераторами токов

каждый «p-n» переход транзистора представлен в виде диода

это модель четырехполюсника

каждый «p-n» переход транзистора представлен в виде диода, а их взаимодействие отражено генератором тока и источником напряжения

каждый «p-n» переход транзистора представлен в виде диода, а их взаимодействие отражено источниками напряжения
Особенностью включения биполярного транзистора по схеме с ОБ является:

усиление напряжения

усиление тока

усиление мощности

выделение тепла

малое напряжение насыщения
Особенностью включения биполярного транзистора по схеме с ОЭ является:

большое усиление тока и напряжения и поворачивает фазу усиливаемого напряжения на180

выделение тепла

усиление тока

малое напряжение насыщения

усиление мощности
Особенностью включения биполярного транзистора по схеме с ОК является:

усиление тока

усиление частоты

малое напряжение насыщения

усиление мощности

выделение тепла
В какую цепь в схемах с транзистором включают источник усиливаемых колебаний?

Во входную

В выходную

В базу

В коллектор

В базу и коллектор
В какую цепь в схемах с транзистором включают нагрузку?

В выходную

Во входную

В базу

В эмиттер

В базу и эмиттер
Соотношение тока базы « » и тока эмиттера « » в транзисторах:










Какое состояние усилителя на транзисторах называют состоянием покоя?

При отсутствии входного сигнала

При резком увеличении входного сигнала

При уменьшении входного сигнала

При равенстве входного и выходного сигнала

При увеличение выходного сигнала
Какое напряжение транзисторного усилителя называют напряжением смещения = «U_cм»?

На входе, смещающее положение рабочей точки покоя

На входе, не смещающее положение рабочей точки покоя

На выходе, вызывающее изменение сопротивления транзистора

На выходе, не вызывающее изменение сопротивления транзистора

На входе и выходе, не вызывающее смещения рабочей точки покоя
В каких устройствах используют тиристор?

В инверторных

В стабилизаторах

В фильтрах

В усилителях

В трансформаторах
Классификация параметров для транзисторов?

Главные, второстепенные

Первичные, вторичные

Стабилизирующие, второстепенные

Емкостные, резистивные

Инверторные, сглаживающие
Связь между I_Э и I_К характеризуют коэффициентом передачи тока, его выражение: