Научная работа включает 33 страниц, 18 иллюстраций и 3 использованных литературных источников
 Скачать 0.93 Mb.
|
|
Реферат Научная работа включает: 33 страниц, 18 иллюстраций и 3 использованных литературных источников. Объектами данной работы является полупроводники. Цель работы: анализ применения полупроводников в науке и технике. В основной части работы даны методы исследования физики полупроводников, полученные результаты, основные конструктивные, технологические и технико-эксплуатационные характеристики. На основе них сделаны соответствующие выводы. Представлена к рассмотрению программа нахождения параметров диодов и транзисторов. Анализ возможностей использования полупроводников показал, что полупроводники могут широко использоваться в различных электронных устройствах. Содержание:Введение…………………………………………………………………………………..31. Физика полупроводников…………………………………….......................................41.1 Зонная структура полупроводников…………………………. …………...41.2 Терминология и основные понятия………………………….. …………..51.3 Статистика электронов и дырок в полупроводниках…………………..61.4 Кон-ция Эл-в и дырок в примесном полупроводнике……………….....111.5 Определение положения уровня Ферми…………………………………121.6 Проводимость полупроводников………………………..............................131.7 Токи в полупроводниках………………………………………………….141.8 Неравновесные носители………………………………………………….151.9 Уравнение непрерывности………………………………………………..172. Полупроводниковые диоды…………………………………………………………….182.1. Характеристики идеального диода на основе p-n перехода……………..182.2. Выпрямление в диоде…………………………………………………………192.3. Характеристическое сопротивление………………………………………..192.4. Влияние температуры на характеристики диодов………………………..203.Транзисторы……………………………………………………………………………..213.1. Принцип работы транзистора…………………………………………………223.2.Параметры транзистора как элемента цепи…………………………………233.3.Типы транзисторов………………………………………………………………253.4.Технологические разновидности биполярных транзисторов……………...264.Программа расчета параметров диода и транзистора……………………………..27Заключение………………………………………………………………………………...32Список использованной литературы…………………………………………………..33ВведениеЭлектроника представляет собой бурно развивающуюся отрасль науки и техники. Она изучает физические основы и практическое применение различных электронных приборов. К физической электронике относят: электронные и ионные процессы в газах и проводниках. На поверхности раздела между вакуумом и газом, твердыми и жидкими телами. К технической электронике относят изучение устройства электронных приборов и их применение. Область, посвященная применению электронных приборов в промышленности, называется Промышленной Электроникой. Одним из фундаментальных понятий электроники и радиотехники вообще является понятие “полупроводник”. Поэтому в данной работе мы будем рассматривать именно сферу этого понятия. ПОЛУПРОВОДНИКИ, вещества, электропроводность которых при комнатной температуре имеет промежуточное значение между электропроводностью металлов (106-104 Ом-1 см-1) и диэлектриков (10-8-10-12 Ом-1). Характерная особенность полупроводников - возрастание электропроводности с ростом температуры; при низких температурах электропроводность полупроводников мала; на нее влияют свет, сильное электрическое поле, потоки быстрых частиц и т.д. Высокая чувствительность электропроводности к содержанию примесей и дефектов в кристаллах также характерна для полупроводников. К полупроводникам относится большая группа веществ (Ge, Si и др.). Носителями заряда в полупроводниках являются электроны проводимости и дырки. В идеальных кристаллах они появляются всегда парами, так что их концентрации равны. В реальных кристаллах, содержащих примеси и дефекты структуры, равенство концентраций электронов и дырок может нарушаться и проводимость осуществляется практически только одним типом носителей (смотри также Зонная теория, Твердое тело). Особенности полупроводников определяют их применение (смотри Полупроводниковые приборы).Все эти свойства позволили проводникам стать одними из самых важных материалов в радиотехнике. |