Общий отчет (1). Отчет по дисциплине Схемо и системотехника электронных систем Выполнили студенты гр. Бит201 Тобиас Д. В. Гребнев А. А
 Скачать 1.82 Mb.
|
|
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное автономного образовательное учреждение высшего образования «Омский государственный технический университет» Радиотехнический факультет ОТЧЕТ По дисциплине «Схемо- и системотехника электронных систем» Выполнили студенты гр. БИТ-201: Тобиас Д.В. Гребнев А.А. Проверил преподаватель: Ляшук А.Н. 2022 г., Омск Лабораторная работа № 1 Цель: Исследовать ВАХ и определить h-параметры биполярного транзистора BFP650 Ход работы: Ознакомимся со спецификацией транзистора BFP650 Заголовок спецификации транзистора BFP650 Выделим из спецификации нужные нам значения Электрические характеристики транзистора Составим схему при участии нашего транзистора для определения выходных h-параметров Схема Выходная ВАХ биполярного транзистора BFP650 На графике изображена зависимость силы тока на коллекторе от напряжения коллектор-эмиттера. Выходная ВАХ и расчет h22 h22 – дифференциальный коэф. передачи тока Найдем h22-параметр с помощью формулы, при Iб=const. ℎ 22 = 𝐼 К 𝑈 КЭ ⁄ h22 = 1.004e-4 / 2 = 1.004 * 10^(-4) / 2 = 0,502 * 10^(-4) Выходная ВАХ и расчет h21 h21 - дифференциальный коэф. обратной связи Найдем h21-параметр по формуле: ℎ 21 = 𝐼 к 𝐼 б ⁄ h21 = 0.008 / 2.900e-5 = 275 Преобразуем цепь для нахождения параметра h11 Схема Входная ВАХ и расчет h11 h11 - входное сопротивление биполярного транзистора Найдем h11-параметр по формуле: ℎ 11 = ∆𝑈 бэ ∆𝐼 б ⁄ h11 = 0.02 / 2.021e-5 = 990 Ом Вывод: В данной лабораторной работе мы собрали схему с участием биполярного транзистора BFP650 Нашли h-параметры транзистора, построили вольтамперные характеристики. Лабораторная работа № 2 Цель: Составить 4 схемы с биполярным транзистором, установить рабочие точки биполярного транзистора для каждой их схем. Ход работы: Имеются 4 схемы: Схемы Требуется произвести расчет по постоянному току данных схем (для каждой из схем взят транзистор BFP650). В спецификации для данного транзистора возьмем информацию: Коэффициент усиления по постоянному току h fe = 170 При токе I c = 5 mA Схема #1: (после подстройки) Найдем ток базы I b как результат отношения тока коллектора к коэффициенту усиления по постоянному току. Ток базы I b = 30 мкА Падения напряжения на база-эмиттер 0.7 В Напряжение между коллектором и эмиттером = 5 В Ток делителя больше тока базы примерно в 10 раз поэтому, ток делителя I del = 300 мкА Рассчитаем значения резисторов: R1 равно отношению падения напряжения от источника питания до коллектора 10 В – 5 В = 5 В (V dc - V ce ) и тока протекающего через R1 равный I c = 5 мА R2 равно отношению падения напряжения от источника питания до базы 10 В – 0,7 В = 9,3 В (V dc – V be ) и тока делителя равный I del = 300 мкА R3 равно отношению падения напряжения на база-эмиттер 0,7 В и тока делителя равный I del = 300 мкА После мы подставляем рассчитанные значения резисторов и «калибруем» значение R2 до тех пор, пока не добьёмся тока, протекающего через эмиттер, равного ≈5 мА. Аналогично проводим действия для других схем. Схема #2: (после подстройки) Схема #3: (после подстройки) Схема #4: (после подстройки) Вывод: В данной лабораторной работе мы составили 4 схемы биполярного транзистора, установили рабочие точки биполярного транзистора для каждой их схем. Произвели расчет 4 схем по постоянному току. Лабораторная работа № 3 Цель: Изучить транзисторный усилитель и научиться работать с ним. Ход работы: Используем данный стенд для сборки схемы с общим эмиттером: Схема стенда "Транзисторный усилитель" с общим эмиттером (S1-2; S2-1; S3-4; S4-1; S5-1; S6-1;) Постоянные значения: Uк = 7,526 Uб = 1,962 Uэ = 1,292 К стенду с транзисторным усилителем подключим осциллограф. Начнем отслеживать изменения осциллограммы U g и U k одновременно будем снимать показания U g и U k , для постройки графиков. Зависимость U k от U g График зависимости U k от U g Отследим зависимость U k от частоты № Uk, B f 1 0,294 10 2 0,549 20 3 0,96 40 4 1,32 80 5 1,42 100 6 1,57 200 7 1,6 400 8 1,54 800 9 1,53 1000 10 1,3 2000 11 0,91 4000 12 0,529 8000 13 0,408 10000 14 0,342 12000 15 0,308 14000 16 0,236 18000 Зависимость U k от f АЧХ при общем эмиттере Используем данный стенд для сборки схемы с общей базой: Схема стенда "Транзисторный усилитель" с общей базой (S1-5; S2-1; S3-4; S4-1; S5-5; S6-1;) К стенду с транзисторным усилителем подключим осциллограф. Начнем отслеживать изменения осциллограммы U g и U k одновременно будем снимать показания U g и U k , для постройки графиков. № Uг Uk, B 1 0,014 0,345 2 0,027 0,68 3 0,041 1 4 0,055 1,34 5 0,068 1,66 6 0,082 1,97 7 0,095 2,28 8 0,109 2,58 9 0,123 2,86 10 0,137 3,12 11 0,151 3,35 12 0,164 3,56 13 0,178 3,75 14 0,192 3,9 15 0,205 4 16 0,219 4,08 17 0,233 4,14 18 0,288 4,3 19 0,315 4,35 20 0,355 4,41 21 0,372 4,42 22 0,396 4,45 Зависимость U k от U g График зависимости U k от U g Точка 22 График зависимости U k от U g (выделенная точка 22) Осциллограмма при значениях точки 22 Точка 16 График зависимости U k от U g (выделенная точка 16) Осциллограмма при значениях точки 16 Точка 6 График зависимости U k от U g (выделенная точка 6) Осциллограмма при значениях точки 6 Отследим зависимость U k от частоты № Uk, B f 1 0,225 10 2 0,304 20 3 0,343 40 4 0,354 80 5 0,361 100 6 0,364 200 7 0,362 400 8 0,348 800 9 0,345 1000 10 0,302 2000 11 0,218 4000 12 0,127 8000 13 0,097 10000 14 0,081 12000 15 0,073 14000 16 0,055 18000 Зависимость U k от f АЧХ при общей базе Сравнение общего эмиттера с общей базой Вывод: В данной лабораторной работе мы изучили транзисторный усилитель с общим эмиттером и общей базой. |