КР1 Аналоговая схемотехника. KР1-АЭ. Отчет по контрольной работе 1 Анализ предложенных схем усилительных каскадов на биполярном транзисторе и операционном усилителе
 Скачать 209.31 Kb.
|
|
Министерство науки и высшего образования РФ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ Кафедра промышленной электроники (ПрЭ) ОТЧЕТ По контрольной работе № 1 «Анализ предложенных схем усилительных каскадов на биполярном транзисторе и операционном усилителе» по дисциплине «Теория электрических цепей» Вариант 2 Выполнил: студент ФДО ТУСУР гр. з-360П5-1 Гулюмов Р. Ф. Сургут - 2021 Расчёт варианта контрольной работы: V = (N∙K) div 100 = (22∙10) / 100 = 2.2 = 2 (Вариант) Задача 1 1. Указать способ включения транзистора. Рассчитать координаты точки покоя (напряжение и ток в выходной цепи транзистора до подачи входного сигнала) и их нестабильность в диапазоне температур (20…50) С0. 2. Построить нагрузочные прямые постоянного и переменного тока. 3. Изобразить эквивалентную схему каскада УНЧ для рабочего диапазона частот (области средних частот). Оценить коэффициент усиления по напряжению, входное и выходное сопротивления. 4. Характеристики и параметры транзистора приведены на рисунке 1.1 и 1.2.  Схема 1.  Рис.1.1  Рис.1-2 Коэффициент усиления тока базы = 100. Омическое сопротивление области базы rБ = 100 Ом. Сопротивление коллекторного перехода rК = 5 МОм. Транзистор кремниевый. Решение задачи:  Транзистор включен по схеме с общим эмиттером (ОЭ). R1, R2 – делитель фиксирующий потенциал базы транзистора VT1. R3 – сопротивление коллекторной цепи, с помощью которого формируется переменная составляющая напряжения на коллекторе VT1. R4 – Отрицательная Обратная Связь (ООС) по постоянному току. Рост тока коллектора при увеличении температуры ведет к увеличению падения напряжения на резисторе R4 и уменьшению напряжения на эмиттерном переходе транзистора, компенсируя первоначальную нестабильность. R5 – сопротивление нагрузки. С1, С2 – разделительные конденсаторы. С3 – шунтирует R4 для устранения (ООС) по переменному току. Таким образом, по переменной составляющей эмиттер транзистора заземлён.
U0 = UКЭ, I0 = IК. Определяем потенциал базы транзистора, пренебрегая базовым током по сравнению с током делителя:  Пологая β = 100 и UЭБ = 0,7 В, определяем: |