Главная страница
Навигация по странице:

  • ФГАОУ ВО «УрФУ имени первого Президента России Б.Н. Ельцина» Кафедра «Радиоэлектроника информационных систем»

  • Отчет по лабораторной работе № 4

  • Цель исследования .

  • Схема лабораторной установки

  • Расчет параметров

  • Таблица со справочными и расчетными параметрами

  • Анализ результатов

    		•

    Лабораторная работа по электронике. Отчет по лабораторной работе 4 по дисциплине Электроника


    Скачать 176.08 Kb.
    НазваниеОтчет по лабораторной работе 4 по дисциплине Электроника
    АнкорЛабораторная работа по электронике
    Дата11.12.2022
    Размер176.08 Kb.
    Формат файлаdocx
    Имя файлаlab4.docx
    ТипОтчет
    #839032

    Министерство образования и науки Российской Федерации

    ФГАОУ ВО «УрФУ имени первого Президента России Б.Н. Ельцина»

    Кафедра «Радиоэлектроника информационных систем»

    Оценка работы_____________

    Преподаватель: Дурнаков А.А

    исследование характеристик и параметров биполярного транзистора

    в схеме включения с общим эммитером

    Отчет по лабораторной работе № 4

    по дисциплине: Электроника

    Преподаватель: Дурнаков Андрей Адольфович

    Студент: Кошкарев Иван Алексеевич

    Группа: РИ-211121

    Дата: 06.12.2022

    Екатеринбург 2022

    1. Цель исследования.

    Исследовать характеристики и параметры биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером и изучить влияние температуры окружающей среды на ход характеристик и изменение параметров.

    1. Схема лабораторной установки



    Рис 1. Схема лабораторной установки

    1. Типовые параметры исследуемого транзистора

    КТ626Б – кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор p-n-p структуры


    1. Таблицы результатов измерений

    Входные

    характеристики
    Iб, мкА

    0
    0,1
    0,3
    0,5
    10
    20
    40
    60
    80
    100

    Uбэ, В при Т = +20 °С

    Uкэ=0 В
    0
    0,23
    0,3
    0,36
    0,54
    0, 55
    0, 58
    0, 59
    0, 6
    0, 61

    Uкэ=-5 В
    0
    0,2
    0,3
    0,35
    0,57
    0,59
    0,61
    0,62
    0,62
    0,63


































    Выходные

    характеристики
    Uбэ, В

    0
    2,5
    5
    7,5
    10
    12,5
    20
    23
    -
    -

    Iк, мА при Т1 = +20 °С

    Iб = 0 мкА
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    -
    -

    Iб = 30 мкА
    1
    1.7
    1.7
    1.7
    1.8
    1.8
    1.9
    2
    -
    -

    Iб = 60 мкА
    3
    3.6
    3.6
    3.7
    3.8
    3.8
    3.8
    3.8
    -
    -

    Iб = 90 мкА
    5
    5.5
    5.5
    5.6
    5.7
    5.9
    5.9
    6.1
    -
    -

    Iк, мА при Т2 = + 70 °С

    Iб = 0 мкА
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    -
    -

    Iб = 30 мкА
    0,1
    2
    2
    2,1
    2,1
    2,1
    2,3
    2,3
    -
    -

    Iб = 60 мкА
    4
    4,4
    4,4
    4,4
    4,4
    4,6
    4,8
    4.9
    -
    -

    Iб = 90 мкА
    5,1
    6,7
    6,9
    7,1
    7,2
    7,3
    7,5
    7,6
    -
    -



    , мкА
    0
    2
    10
    20
    30
    40
    60
    80
    100

    , мА
    0,00
    0,00
    0,50
    1,00
    1,60
    2,30
    3,50
    4,80
    6,10

    , В
    0,00
    0,51
    0,57
    0,59
    0,60
    0,61
    0,615
    0,62
    0,625



    0
    0
    62,5
    50
    60
    70
    60
    65
    65

    S мА/В
    0
    0
    8,3
    25
    60
    70
    240
    260
    260



    1. Расчет параметров

    H11э = dUэб/dIб |Uкэ = const = (0,59 В – 0,564 В) / (60 мкА – 30 мкА) = 867 Ом

    H12э = dUэб/dUкэ |Iб = const = 10^-4

    H21э = dIк/dIб |Uкэ = const = (3,6 мА – 1,7 мА) / (60 мкА – 30 мкА) = 63

    H22э = dIк/dUкэ |Iб = const = (3,8 мА – 3 мА) / (23 В – 0 В) = 35 мкСм

    = 2,9 Ом

    = 122,6 Ом

    = 1,8 Мом

    = 0,98

    = 0,98 * 10^-4

    = 0,07

    1. Таблица со справочными и расчетными параметрами



    Параметры
    H11Э
    H12Э
    H21Э
    H22Э
    rЭ
    rб
    rК




    S

    Размерность
    Ом
    -
    -
    мкСм
    Ом
    Ом
    МОм
    -
    -
    -

    Паспортные значения



    10^-4
    30-100












    0,97-0,99
    (0,97-0,99) * 10^-4



    Расчетные значения
    867
    10^-4
    63
    35
    2,9
    122,6
    1,8
    0,98
    0,98 * 10^-4
    0,07



    1. Анализ результатов

    В данной лабораторной работе Я ознакомился с физическими основами работы биполярного транзистора, исследовал характеристики и параметры транзистора в схеме с общим эмиттером (ОЭ) и изучил влияние температуры окружающей среды на ход характеристик. В ходе работы были сняты входные и выходные характеристики при комнатной и повышенной температурах. По полученным характеристикам были определены hб-параметры. По вычисленным hб параметрам были подсчитаны параметры Т-образной эквивалентной схемы.

    По полученным данным можно сделать вывод что при увеличении температуры изменение коллекторного тока в схеме с ОЭ более существенно, чем в схеме с ОБ. Следует, что схема с ОЭ менее температурно-стабильна, чем схема с ОБ, однако эта схема является наиболее распространенной, так как эта схема дает значительное усиление по мощности, по сравнению со схемой с ОБ.

    Изменение температуры приводит к смещению входных и выходных характеристик - это происходит по двум причинам:

    • С ростом температуры экспоненциально увеличивается Iко и для его компенсации требуется большее значение тока рекомбинационных потерь базы

    • Увеличение температуры окружающей среды ведет к возрастанию коэффициента передачи по току транзистора в схеме включения с общей базой,

    написать администратору сайта