Лабораторная. 5 — копия. Отчет по лабораторной работе 5 по курсу Технология электронной компонентной базы

Название	Отчет по лабораторной работе 5 по курсу Технология электронной компонентной базы
Анкор	Лабораторная
Дата	09.06.2022
Размер	177.44 Kb.
Формат файла
Имя файла	5 — копия.docx
Тип	Отчет #581329

Пензенский государственный университет

Факультет информационных технологий и электроники

Кафедра «Нано- и микроэлектроника»

МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ЭКСПОНИРОВАНИЯ ФОТОРЕЗИСТОВ

Отчет

по лабораторной работе №5

по курсу «Технология электронной компонентной базы»
Выполнили: студенты группы 19ПД1

Карлин М.В

Китайкин Н.А.

Гизбрехт Д.Д.

Принял: Соловьев В. А.

Пенза 2022 г.

Цель работы: изучить методы математического моделирования процесса экспонирования фоторезистов.

Исходные данные: время экспозиции было задано 15 секунд. Номер резиста 5, поэтому из таблицы ниже выбираем значения A, B и С:

Таблица. Рабочие параметры резистов

№ резиста	А, мкм^–1	В, мкм ^–1	С, см²Дж^-1
1 2 3 4 5	0,42 0,42 0,42 0,48 0,58	0,03 0,25 0,49 0,03 0,03	13,9 9,26 8,85 9,0 8,47

Параметр А=0,58 мкм^–1, B=0,03 мкм^–1 и С=8,47 см²Дж^-1. Число шагов дискретизации определяется допустимой погрешностью вычислений, было выбрано n = 10, m = 5. Начальная интенсивность света была задана преподавателем – 0.001 Дж/см²с. Длина волны  = 0,436 мкм

Ход работы

Были определены шаги дискретизации x=1, t=3.

По формуле ниже была рассчитана двумерную матрицу относительной стойкости фоторезиста.

Матрица относительной стойкости фоторезиста:

1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
0.601	0.708	0.771	0.802	0.851	0.89	0.925	0.931	0.95	0.97
0.212	0.359	0.551	0.654	0.799	0.878	0.925	0.929	0.942	0.953
0.107	0.225	0.321	0.541	0.734	0.859	0.923	0.923	0.939	0.941
0.051	0.159	0.268	0.441	0.657	0.844	0.914	0.922	0.935	0.94
0.05	0.115	0.251	0.402	0.624	0.821	0.908	0.911	0.921	0.934

Было построено семейство характеристик М(x, t), которое изменяется в диапазоне 1 – 0.05.

Рисунок 1 – зависимость относительной стойкости фоторезиста

Была определенна доза экспозиции по формуле D = I₀t=0.015 Дж/см²

Вывод: в результате проделанной работы были определены шаги дискретизации x, t, рассчитана двумерную матрицу относительной стойкости фоторезиста и построена его матрица, построено семейство характеристик М(x, t), которое изменяется в определенном диапазоне и вычислено доза экспозиции D=0.015 Дж/см². По рисунку 1 можно определить, что относительная стойкость фоторезиста уменьшается с увеличением экспозиции, а также относительная стойкость резко увеличивается при с увеличением координаты. Оптимальное значение относительной стойкости фоторезиста – при максимальном значении экспозиции и минимальном значении координаты. При этих значениях стойкость фоторезиста минимальна, что требуется при удалении фоторезиста.