лаба 3. лаба 3(ЭиМТ). Отчет защищен с оценкой преподаватель
![]()
|
ГУАП КАФЕДРА № ОТЧЕТ ЗАЩИЩЕН С ОЦЕНКОЙ ПРЕПОДАВАТЕЛЬ
РАБОТУ ВЫПОЛНИЛИ
Санкт-Петербург 1.Цель работы: изучение принципа действия, измерение характеристик и определение основных параметров полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и полевого транзистора с изолированным затвором. 2.Паспортные данные исследуемых транзисторов 2.1. КП103 КП103К1 / КП103Л1 - Кремниевые полевые транзисторы с управляющим P-N переходом и каналом P-типа. Предназначены для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты, усилителей постоянного тока и в ключевых схемах. Условное обозначение транзистора КП103: ![]() Основные характеристики КП103 (+25°C):
2.1. КП103 КП301Б - транзисторы КП301Б кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа. Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих усилителей, нелинейных малосигнальных цепях, каскадах с высоким входным сопротивлением. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 0,7 г. Основные характеристики КП301Б (+25°C):
3.Схемы измерения характеристик. 3.1.Измерение характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. ![]() 3.2. Измерение характеристик полевого транзистора с изолированным затвором ![]() 4.Результаты измерений. 4.1.Измерение характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.
4.2. Измерение характеристик полевого транзистора с изолированным затвором
5. Графики по данным измерений 5.1.Измерение характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. ![]() ![]() 5.2. Измерение характеристик полевого транзистора с изолированным затвором ![]() ![]() 6.Результаты вычислений 6.1.Характеристики полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. ![]() ![]() ![]() 6.2.Характеристики полевого транзистора с изолированным затвором ![]() ![]() ![]() 6.Выводы: В результате работы были изучены принцип действия, измерены характеристики и определены основные параметров полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и полевого транзистора с изолированным затвором. 2014 |