Главная страница
Навигация по странице:

  • 1.Цель работы

  • 4.Результаты измерений.

  • 6.Результаты вычислений

  • лаба 3. лаба 3(ЭиМТ). Отчет защищен с оценкой преподаватель


    Скачать 294.9 Kb.
    НазваниеОтчет защищен с оценкой преподаватель
    Анкорлаба 3
    Дата21.01.2021
    Размер294.9 Kb.
    Формат файлаdocx
    Имя файлалаба 3(ЭиМТ).docx
    ТипОтчет
    #170258

    ГУАП

    КАФЕДРА №

    ОТЧЕТ
    ЗАЩИЩЕН С ОЦЕНКОЙ

    ПРЕПОДАВАТЕЛЬ
















    должность, уч. степень, звание




    подпись, дата




    инициалы, фамилия




    ОТЧЕТ О ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ

    ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

    по курсу: Электроника и микропроцессорная техника






    РАБОТУ ВЫПОЛНИЛИ

    СТУДЕНТЫ ГР.

    2231






















    подпись, дата




    инициалы, фамилия


    Санкт-Петербург
    1.Цель работы: изучение принципа действия, измерение характеристик и определение основных параметров полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и полевого транзистора с изолированным затвором.

    2.Паспортные данные исследуемых транзисторов

    2.1. КП103

    КП103К1 / КП103Л1 - Кремниевые полевые транзисторы с управляющим P-N переходом и каналом P-типа. Предназначены для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты, усилителей постоянного тока и в ключевых схемах.

    Условное обозначение транзистора КП103:



    Основные характеристики КП103 (+25°C):

    Параметр

    КП103К1

    КП103Л1

    Максимальное напряжение сток-исток

    10V

    12V

    Максимальное напряжение затвор-исток

    10V

    Ток утечки затвора

    0,02µA

    Начальный ток стока

    1,0..5,5mA

    1,8..6,6mA

    Напряжение отсечки

    1..4V

    2..6V

    Крутизна характеристики

    1..3,3mA/V

    1,8..3,8mA/V

    Максимальная мощность

    38mW

    66mW

    Входная ёмкость

    < 20pF

    Проходная ёмкость

    < 8pF

    Коэффициент шума

    < 3dB

    Максимальная рабочая частота

    3MHz

    Максимальная температура

    +85°С

    2.1. КП103

    КП301Б - транзисторы КП301Б кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа.

    Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих усилителей, нелинейных малосигнальных цепях, каскадах с высоким входным сопротивлением.

    Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

    Тип прибора указывается на корпусе.

    Масса транзистора не более 0,7 г.

    Основные характеристики КП301Б (+25°C):

    Параметр

    КП301Б

    Максимальное напряжение сток-исток

    20 В

    Максимальное напряжение затвор-исток

    30 В

    Начальный ток стока

    < 0,5 мкА

    Крутизна характеристики

    1... 2,6 мА/В

    Максимальная мощность

    200 мВт

    Входная ёмкость

    < 3,5 пФ

    Проходная ёмкость

    < 1 пФ

    Коэффициент шума

    < 9,5

    Максимальная рабочая частота

    100 МГц


    3.Схемы измерения характеристик.

    3.1.Измерение характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.



    3.2. Измерение характеристик полевого транзистора с изолированным затвором




    4.Результаты измерений.

    4.1.Измерение характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.


    UСИ, В

    IC, мА

    UЗИ=0 В

    UЗИ=0,2 В

    UЗИ=0,4 В

    UЗИ=0,6 В

    UЗИ=0,8 В

    0

    0,00

    0,00

    0,00

    0,00

    0,00

    -1

    0,82

    0,42

    0,20

    0,05

    0,00

    -2

    0,92

    0,46

    0,22

    0,06

    0,00

    -3

    0,96

    0,48

    0,24

    0,07

    0,00

    -4

    0,99

    0,5

    0,25

    0,08

    0,00

    -5

    1,02

    0,53

    0,25

    0,08

    0,00

    -6

    1,05

    0,54

    0,27

    0,09

    0,00

    -7

    1,06

    0,55

    0,28

    0,10

    0,00

    -8

    1,08

    0,57

    0,29

    0,10

    0,00

    4.2. Измерение характеристик полевого транзистора с изолированным затвором


    UСИ, В

    UЗИ ПОР=2,8 В

    UЗИ=3,3 В

    UЗИ=3,8 В

    UЗИ=4,3 В

    UЗИ=4,8 В

    UЗИ=5,3 В

    UЗИ=5,8 В

    0

    0,00

    0,00

    0,00

    0,00

    0,00

    0,00

    0,00

    -1

    0,20

    0,40

    0,70

    1,00

    1,15

    1,50

    1,60

    -2

    0,25

    0,50

    0,90

    1,35

    1,65

    2,10

    2,40

    -3

    0,25

    0,60

    1,00

    1,60

    2,00

    2,50

    3,00

    -4

    0,30

    0,60

    1,10

    1,65

    2,15

    2,90

    3,40

    -5

    0,30

    0,65

    1,15

    1,70

    2,30

    3,00

    3,60

    -6

    0,30

    0,70

    1,20

    1,80

    2,40

    3,20

    3,80

    -7

    0,30

    0,70

    1,20

    1,90

    2,45

    3,30

    3,95

    -8

    0,30

    0,70

    1,25

    1,90

    2,50

    3,35

    4,00



    5. Графики по данным измерений

    5.1.Измерение характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.


    5.2. Измерение характеристик полевого транзистора с изолированным затвором





    6.Результаты вычислений

    6.1.Характеристики полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.







    6.2.Характеристики полевого транзистора с изолированным затвором





    6.Выводы:

    В результате работы были изучены принцип действия, измерены характеристики и определены основные параметров полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и полевого транзистора с изолированным затвором.

    2014


    написать администратору сайта