|
|
Презентация1. Процесс подготовки имс
КАРШИНСКИЙ ФИЛИАЛ ТАШКЕНСКОГО
УНИВЕРСИТЕТА ИНФОРМАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ
ИМЕНИ МУХАМАДА АЛЬ- ХОРАЗМИ
ГРУППЫ АТС 12-19
Подготовил : Ботиров Мунисбек
Приня: Хусниддин Ботиров
САМОСТОЯТЕЛЬНАЯ РАБОТА
ТЕМА:Процесс подготовки ИМС
План
- ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ (ИМС)
- ГИБРИДНЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ (ГИМС)
- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ (ПИМС)
ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ (ИМС)
- ИМС – устройство с высокой плотностью упаковки электрически связанных элементов, выполняющее определённую функцию обработки и преобразования электрических сигналов и рассматриваемое как единое целое. Методы расчета и изготовления микросхем составляют основу микроэлектроники - современной наукоемкой отрасли техники.
ГИБРИДНЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ (ГИМС)
- ГИМС – это микросхема, содержащая диэлектрическое основание (подложку).
- Подложки ГИС являются диэлектрическим и механическим основанием для пленочных и навесных элементов и служат теплоотводом.
Конденсатор и резистор в гибридных микросхемах выполнены по пленочной технологии. Структура (а) и электрическая схема (б) гибридной интегральной микросхемы выполнены в качестве навесных компонентов (элементов). Схема помещается в корпус и присоединяется к контактным выводам корпуса. - Полупроводниковыми называют такие интегральные микросхемы (ИМС), элементы которых выполнены в объеме и на поверхности полупроводниковой (преимущественно кремниевой) пластины..
Работа полупроводниковых ИМС определяется теми функциями, которые выполняют полупроводниковые ИМС. Она преимущественно основывается на использовании законов движения электронов и дырок через высоко- и низкоомные участки кремния, р-n-переходы, контакты металл-полупроводник и тому подобное. Фрагмент схемы и ее реализация в виде полупроводниковой ИМС
Условное обозначение интегральных микросхем включает в себя основные классификационные признаки.
- Первый элемент — цифра, соответствующая конструктивно-технологической группе. Цифрами 1, 5, 6 и 7 в первом элементе обозначаются полупроводниковые интегральные микросхемы. Гибридным микросхемам присвоены цифры 2, 4 и 8. Пленочные, вакуумные и керамические интегральные микросхемы обозначаются цифрой 3.
- Второй элемент, определяющий порядковый номер разработки серии, состоит из двух (от 00 до 99) или трех (от 000 до 999) цифр.
- Третий элемент, обозначающий подгруппу и вид микросхемы, состоит из двух букв.
- Четвертый элемент, обозначающий порядковый номер разработки микросхемы данной серии, состоит из одной или нескольких цифр.
- В пленочных интегральных схемах отдельные элементы и межэлементные соединения выполняются на поверхности диэлектрика (обычно используется керамика). При этом применяются различные технологии нанесения пленок из соответствующих материалов
- По функциональным признакам интегральные схемы подразделяют на аналоговые (операционные усилители, источники вторичного электропитания и др.) и цифровые (логические элементы, триггеры и т. п.).
Заключение
- Интегралная микросхемы выполняющее определённую функцию обработки и преобразования электрических сигналов и рассматриваемое как единое целое
Литература
- Черняев В. Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров / Черняев В. Н.. — М.: Радио и связь, 1987. — 464 с. — ISBN нет, УДК 621.38 Ч-498.
- Парфенов О. Д. Технология микросхем / Парфенов О. Д.. — М.: Высш. шк., 1986. — 318 с. — ISBN нет, УДК 621.3.049.77.
- Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. — М.: Высшая школа, 1987. — 416 с
Спасибо за внимание!
|
|
|
Скачать 0.61 Mb.