Главная страница

Лабораторная работа Исследование транзистора с общим эммитером. Радиоэлектроники и телекоммуникаций


Скачать 79.59 Kb.
НазваниеРадиоэлектроники и телекоммуникаций
АнкорЛабораторная работа Исследование транзистора с общим эммитером
Дата15.11.2022
Размер79.59 Kb.
Формат файлаdocx
Имя файлаLaboratornaya_rabota__3_Issledovanie_tranzistora_v_skheme_s_obsc.docx
ТипДокументы
#790224

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ

ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ
«КАЗАНСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

им А.Н. ТУПОЛЕВА-КАИ»

_______________________________________________________________________________________________
Институт: Радиоэлектроники и телекоммуникаций
Кафедра: Конструирования и технологии производства электронных средств

СОКОЛОВ В.С.
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ


«ИССЛЕДОВАНИЕ ТРАНЗИСТОРА С ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ»

Казань, 2019 г
Биполярные транзисторы
Принцип действия биполярного транзистора
К омбинация двух близко расположенных друг к другу р-n-переходов представляет собой биполярный транзистор. Два р-n-перехода разделяют такую структуру на три области, которые называются: эмиттер, база, коллектор (Рис.1). Соответственно р-n-переходы получили название: база-коллекторный р-n-переход и база-эмиттерный р-n-переход. В зависимости от примесей в этих областях различают транзисторы nрn-типа и рnр-типа. Транзисторы nрn-типа получили наибольшее распространение в силу лучших частотных характеристик. Это объясняется большей подвижностью электронов. Термин биполярный транзистор указывает на то, что работа данного прибора связана с движением как электронов так и дырок.

Будем рассматривать транзистор nрn-типа. При работе с транзистором ко всем трем областям подводится напряжение. На база-эмиттерный (БЭ) переход подается небольшое напряжение в прямом направлении (рис.1).

Величина напряжения десятые доли вольта и определяется падением напряжения на прямо смещенном переходе (для Si транзистора  0,7 В).

На переход база-коллектор (БК) подают постоянное напряжение в обратном направлении. Величина напряжения от единиц вольт до десятков и даже сотен вольт. Подобная схема включения называется схемой с общей базой (ОБ), так как питающие напряжения подаются относительно базы. Возможна другая схема включения транзистора, когда питающие напряжения подаются относительно эмиттера.

В эмиттере концентрация донорной примеси значительно больше, чем концентрация акцепторной примеси NБ в базе, то есть >> NБ и база-эмиттерный переход является односторонним р-n+-переходом. При прямом смещении эмиттерный ток через переход определяется в основном электронной компонентой. Происходит преимущественное движение электронов из эмиттера в базу. Поток дырок из базы в эмиттер много меньше. Поэтому говорят, что происходит впрыскивание – инжекция электронов из эмиттера в базу. Попав в базу, электроны становятся в ней неосновными носителями заряда, происходит инжекция неосновных носителей заряда в базу.

Попав в базу, электроны движутся через нее к БК переходу за счет диффузии в нейтральной области базы, то есть там где не действуют электрические поля переходов, – диффундируют в базе.

Толщину базы w (рис.1) делают значительно меньше диффузионной длины электронов в базе:

w < L .

Обычно w  0,5 – 5 мкм; L  10 – 20 мкм. Поэтому большая часть электронов, инжектированных из эмиттера в базу, достигает БК перехода и перебрасывается в коллектор. Возникает ток коллектора . Отсюда и название областей транзистора: эмиттер – от латинского emitto – выпускаю, испускаю; коллектор – от латинского kollector – сборщик.

Ток базы JБ обусловлен двумя компонентами:

  1. Током основных носителей базы – дырок через прямо смещенный эмиттерный переход. Так как концентрация доноров в эмиттере >> NБ – концентрации акцепторов в базе, то ток дырок из базы в эмиттер очень маленький, много меньше тока электронов из эмиттера в базу.

  2. Ток за счет рекомбинации дырок и электронов в базе. Поскольку w < L, то подавляющая часть электронов за время своей жизни успевает достигнуть коллекторного перехода и перейти в коллектор. Лишь очень небольшая часть электронов успеет прорекомбинировать с дырками базы. Концентрация дырок – основных носителей заряда в базе – убывает. Для компенсации убыли дырок в базе возникает эта компонента электрического базового тока.

Дырки поступают в базу из электрического вывода базы.

В схеме с ОБ возможно усиление сигнала по напряжению и мощности, а в схеме с ОЭ возможно усиление сигнала по току, напряжению и мощности.
Модель транзистора Эберса – Мола.
Задача моделирования заключается в установлении связи между физическими параметрами и электрическими характеристиками транзистора. Естественно, что чем точнее модель, тем она сложнее. Следовательно, необходим компромисс между точностью и сложностью.

О сновной моделью биполярного транзистора считается модель Эберса-Молла (Рис.2). В самом простом варианте эта модель характеризует только активную область транзистора. Если модель дополнить соответствующими элементами, она станет точнее, но усложнится и потеряет свою наглядность.

Эта модель хорошо отображает обратимость транзистора – принципиальную равноправность его переходов. Эта равноправность особенно ярко проявляется в режиме двойной инжекции, когда на обоих переходах действуют прямые напряжения. В таком режиме каждый из переходов одновременно инжектирует электроны в базу и собирает носители заряда в дошедшие от другого перехода.

Для коэффициентов усиления по току в модели транзистора Эберса-Молла справедливы соотношения:

N = о =  = .

Здесь: ХЭ, ХБ, ХК – ширина соответственно: эмиттера, базы, коллектора; DР – коэффициент диффузии дырок в эмиттере и коллекторе; Dn – коэффициент диффузии электронов в базе; NЭ, NБ, NК – концентрации примеси в эмиттере, базе, коллекторе; Ln – диффузионная длина электронов в базе.

J’эо и J’ко – токи насыщения или обратные токи БЭ и БК переходов, определяемые соотношениями :

= ,

= .

Здесь: q – заряд электрона; S – площади переходов; ni – собственная концентрация носителей заряда. В зависимости от способа измерения эти токи насыщения или обратные токи получили обозначения JЭО иJКО. Связь между этими токами определяется соотношениями:

JЭО = (1- NI)JЭО иJКО = (1 - NI)JКО
Статические характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером
В схеме с общим эмиттером (ОЭ) напряжения прикладываются к транзистору относительно эмиттера. (Рисунок 3.) В npn транзисторе, включенном в схеме с ОЭ, VБЭ> 0; БК переход смещен в обратном направлении и VБК < 0. Поэтому можно записать:

В данной схеме входным воздействием является заданное значение тока базы JБ. Поэтому входными или базовыми характеристиками является семейство зависимостей

JБ =f(VБЭ) с параметром VКЭ.

У равнение для тока базы имеет вид:

JБ = (1-N) +(1-I) .
При VКЭ = 0: JБ = .

Т о есть входная характеристика проходит через начало координат. Если VКЭ > VБЭ, то второе слагаемое JБ стремится к (1-I)J’КО и входная характеристика сдвигается вправо (Рисунок 4).

Выходными или коллекторными характеристиками является семейство зависимостей

JК = f(VКЭ) с параметром JБ.

Можно получить:

JК = NJБ - , .
Величина N получила название – коэффициент усиления транзистора по току в схеме с общим эмиттером при нормальном включении, в литературе она обозначается просто .

Выходные характеристики имеют вид, показанный на рисунке 5. Они существенно отличаются от выходных характеристик транзистора в схеме с ОБ. Выходные зависимости в схеме с ОЭ располагаются в первом квадранте. Прямая АВ отделяет два режима: активный режим 2 и режим насыщения или двойной инжекции.

Для активного режима БЭ > 0 БК переход смещен в обратном направлении.. При VКЭ > VБЭ, в силу малости φТ .0,025.

J К = NJБ .

Видно, что эти зависимости при разных токах базы JБ должны располагаться параллельно оси абсцисс, поскольку вторым слагаемым можно пренебречь в силу его малости. Однако, здесь не учитывается эффект Эрли.

Кроме того, в схеме с ОЭ существует положительная обратная связь в транзисторе. Напряжение VКЭ распределяется между БК и БЭ переходами. На рисунке 6 это показано стрелками.

Д ополнительное падение напряжения от VКЭ на БЭ переходе смещает его в прямом направлении, что приводит к увеличению JЭ и дополнительному приращению тока коллектора JК. Поэтому наклон ВАХ в схеме с ОЭ при изменении VКЭ значительно больше, чем в схеме с ОБ.

В справочниках, как правило, приводят выходные характеристики в виде подобному рисунку 7 для активной области транзистора, включенному по схеме с ОЭ.

Из выше изложенного и приведенной формулы, следует, что в схеме с ОЭ управление током JК осуществляется маленьким током базы JБ:

JКNJБ.

Это очень большое достоинство схемы с общим ОЭ по сравнению с ОБ, где имели входной ток Jэ  Jк: JКN JЭ .

В схеме с общим эмиттером при

N=(), N = N(1-N) = ()

и управление током коллектора JК осуществляется примерно в 100 раз меньшим током базы JБ.

Режим насыщения характеризуется наличием прямого смещения на БЭ и БК переходах. Для этого должно выполняться условие VКЭ<VБЭ.

Поэтому граница, разделяющая активный режим и режим насыщения, соответствует условию VБЭVКЭ=0 и эта граница определяется линией АВ на выходных ВАХ транзистора. При этом второй член в уравнении быстро возрастает с уменьшением VКЭ, что приводит к уменьшению тока коллектора JК в силу встречной инжекции электронов из коллектора в базу.
П р а к т и ч е с к а я ч а с т ь
Описание лабораторной установки
В лабораторной установке моделируется работа n-p-n транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Для моделирования транзистора надо открыть соответствующий файл.

После запуска файла откроется поле с обозначением исследуемого транзистора и три поля.

Одно поле служит для ввода напряжения на БК переходе. Обозначено

«Напряжение на переходе». В это поле вводится численное значение напряжения на переходе в вольтах.
ОБРАТИТЬ ВНИМАНИЕ: РАЗДЕЛЕНИЕ ЦЕЛОЙ И ДРОБНОЙ ЧАСТИ НАПРЯЖЕНИЯ ПРОИЗВОДИТСЯ ЗАПЯТОЙ В АНГЛИЙСКОЙ РАСКЛАДКЕ КЛАВИАТУРЫ.
После ввода напряжения кликнуть по кнопке «ОК».
Во втором поле отобразится ток Jk через транзистор в амперах.
Третье поле служит для ввода тока эмиттера.
ВНИМАНИЕ: ВВЕДИТЕ ЗАДАННОЕ ЗНАЧЕНИЕ ТОКА ЭМИТТЕРА ПЕРЕД ВВОДОМ НАПРЯЖЕНИЯ.


Порядок выполнения работы


  1. Исследование входной характеристики транзистора при напряжениях Vкэ 0 и 50 В, а также 10 В и 40 В (по заданию преподавателя). Изменять напряжение Vбэ от 0 до 0,7 В, через 0,1 В. Результаты занести в таблицу.




  1. Исследование выходной характеристики транзистора при значениях тока базы 5, 10, 15, 20 мкА, а также 3, 8, 13, 18 мкА. Изменять напряжение Vkэ от 5 до 45 В., через 10 В, а также изменять напряжение Vkэ от 3 до 43 В., через 10 В. Результаты занести в таблицу.


3. По результатам измерений построить графики.
4. Рассчитать значение β N = β.
Исходные данные для расчета: Nэм = 3*1018 см-3 Nб=1,2*1016см-3, Nк=8*1015 см-3, Xэм=4*10-4 см , Xб=2,33*10-4 см, Xк=5*10-4 см , Dp=2,1*10-4 м2/с , Dn= 6,99*10-4 м2/с, Ln= 1,8*10-3 см.

Содержание отчета


  1. Цель и задачи исследования.

  2. Результаты экспериментов в виде таблиц и графиков.

  3. Анализ полученных данных и выводы по работе.


написать администратору сайта