Главная страница
Навигация по странице:

  • СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

  • 35

  • Курсовая работа. Курсовая работа Мисан. Реферат мисан Евгений Александрович Методы исследования плазменного факела, возникающего при воздействии импульсного лазерного излучения на поверхности металла


    Скачать 0.91 Mb.
    НазваниеРеферат мисан Евгений Александрович Методы исследования плазменного факела, возникающего при воздействии импульсного лазерного излучения на поверхности металла
    АнкорКурсовая работа
    Дата26.06.2022
    Размер0.91 Mb.
    Формат файлаdocx
    Имя файлаКурсовая работа Мисан.docx
    ТипКурсовая
    #616426
    страница3 из 3
    1   2   3

    ЗАКЛЮЧЕНИЕ
    Изучение ЛЭПФ при атмосферном давлении окружающего воздуха при тех же параметрах воздействующего излучения с помощью скоростной двухдлинноволновой голографической киносъемки позволило разделить вклад в рефракцию плазмы молекул воздуха и электронов в предположении малости вклада тяжелых частиц материала мишени. В результате совместной обработки восстановленных с голограмм интерференционных картин были получены продольные (по оси факела) распределения средних по диаметру сечения факела концентраций электронов и молекул воздуха. На рисунке 1.18 показано продольное распределение средних по диаметру сечения концентраций электронов вдоль оси ЛЭПФ, возникающего у поверхности алюминиевого образца, полученных с помощью двухдлинноволновой (кривая 1) и однодлинновой (кривая 2) скоростной голографической киносъемки. На расстоянии 10 – 15 мм от поверхности образца кривые 1 и 2 практически совпадают, т.е. тяжелые частицы ("горячие" атомы и ионы алюминия и молекулы воздуха), как и предполагалось [38], вносят малый вклад в рефракцию плазмы. На больших расстояниях, где отсутствуют "разогретые", светящиеся частицы, вклад молекул воздуха становится заметным (кривая 2 лежит ниже кривой 1). Это связано с выталкиванием воздуха плазменным облаком [5]. Результаты расчетов продольного распределения средних по диаметру сечения факела концентраций молекул воздуха представлены на рисунке 1.18 (кривая 3).

    Таким образом, результаты экспериментальных исследований показали, что плотность ЛЭПФ, формирующегося при воздействии излучения мощного родаминового лазера на образцы из алюминия, меди и цинка недостаточна для их эффективной экранировки. При воздействии лазерного излучения на ряд метал­лов (In, Pb, Sn) в режиме повторяющихся с частотой 5-50 кГц импульсов кратер формируется в основном путем последовательного «выплескивания» расплава из облу­чаемой зоны мишени. Форма внешней зоны кратера оп­ределяется условиями вытекания металла - направлени­ем воздействия излучения на образец, глубиной лунки и поверхностной энергией, а также временной зависимо­стью температуры в пятне облучения. Таким образом, управление формой кратера, включая его внешнюю зону, обеспечивается изменением частоты следования лазер­ных импульсов и направлением воздействия лазерного излучения на мишень (сверху вниз, горизонтально либо снизу вверх).

    СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
    1. Недолугов В.И. Скоростная голографическая киносъемка лазерной плазмы у поверхности образца / В.И.Недолугов // Физические методы исследования прозрачных неоднородностей. – М.: МДНТП. – 1990. – С. 31 – 32.

    2. Борн М. Основы оптики / М.Борн, Э.Вольф. - М.: Наука, 1973.

    3. О механизме формирования локального расплава на поверхности монокристаллических полупроводников при мощном световом облучении / Я.В. Фаттахов [и др.] // Квантовая электроника. – 2000. – Т. 30, № 7. – С. 597 – 600.

    4. Эффективность образования фрактальных структур при лазерном испарении / Н.Е. Каск [и др.] // Квантовая электроника. – 2002. – Т. 32, № 5. – С. 437 – 442.

    5. О механизме тепломассопереноса при воздействии на свободную поверхность расплава импульсного лазерного излучения / Л.И. Антонова [и др.] // Квантовая электроника. – 2002. – Т. 32, № 11. – С. 1029 – 1032.

    6. Царькова О.Г. Оценки теплот фазовых переходов в сталях и керамиках при нагреве лазерным излучением / О.Г. Царькова, С.В. Гарнов // Квантовая электроника. – 2003. – Т. 33, № 8. – С. 747 – 750.

    7. Карташов И.Н. Устойчивость фронта лазерного испарения металлов в условиях ограниченного разлета паров / И.Н. Карташов, А.А. Самохин // Квантовая электроника. – 2003. – Т. 33, № 5. – С. 435 – 440.

    8. Косарев И.Н. Кинетическая теория плазмы и газа. Взаимодействие мощных лазерных импульсов с плазмой / И.Н.Косарев // УФН. – 2006. – Т. 176, № 12. – С. 1267 – 1283.

    9. Изменение ионизационного состояния приповерхностной лазерно-индуцированной плазмы алюминия в двухимпульсных режимах абляции / В.С. Бураков [и др.] // Квантовая электроника. – 2003. – Т. 33, № 12. – С. 1065 – 1071.

    10. Эволюция микрокапли под воздействием лазерного импульса / М.Б.Смирнов [и др.] // ЖЭТФ. – 2004. – Т. 125, № 6, – С. 1283 – 1294.

    11. Каск, Н.Е. Фрактальные структуры в лазерном факеле / Н.Е. Каск, С.В. Мичурин, Г.М. Федоров // Квантовая электроника. – 2003. – Т. 33, № 1. – С. 57 – 68.

    12. О возможных проявлениях эффекта просветления при испарении металлов под действием лазерного излучения / С.Н. Андреев [и др.] // Квантовая электроника. – 2003. – Т. 33, № 9. – С. 771 – 776.

    13. Каск, Н.Е. Перколяция при расширении в газ лазерной плазмы, создаваемой наносекундным импульсом / Н.Е. Каск, С.В. Мичурин, Г.М. Федоров // Квантовая электроника. – 2005. – Т. 35, № 1. – С. 48 – 52.

    14. Гайда, Л.С. Взаимодействие мощного оптического излучения с парами щелочных металлов / Л.С.Гайда. – Гродно: ГрГУ, 2006. – 143 с.

    15. Формирование связанного состояния в лазерном факеле / Н.Е.Каск [и др.] // Квантовая электроника. – 2005. – Т. 35, № 4. – С. 347 – 350.

    16. Исаков, В.А. Гидродинамический КПД лазерного переноса вещества / В.А. Исаков, A.П. Канавин, А.С. Насибов // Квантовая электроника. – 2007. – Т. 37, № 4. – С. 405 – 408.

    17. Взаимодействие лазерных плазм при оптическом пробое в нормальной атмосфере / О.А.Букин [и др.] // Квантовая электроника. – 2006. – Т. 36, № 6. – С. 553 – 556.

    18. Дубовик, А.С. Фотографическая регистрация быстропротекающих процессов / А.С.Дубовик. – М.: Наука, 1984. – 320 с.

    19. Кротов, Ю.А. Лазерная локация металлической мишени в горящем газовом факеле / Ю.А. Кротов // Квантовая электроника. – 2002. – Т. 32, № 3. – С. 243 – 246.

    20. Голографический интерференционный метод исследования остаточных напряжений / А.А. Апальков [и др.] // Квантовая электроника. – 2007. – Т. 37, № 6. – С. 590 – 594.

    21. Оптическая голография / Ж.Априль [и др.] ; под ред. Г. Колфилда. – М.: Мир, 1982. Т. 1 – 2. – 735 с.

    22. Vasilyev, S.V. Visualization of topography of the crater appearing during laser treatment of the metal sample / S.V. Vasilyev, A.Yu. Ivanov, A.M. Lialikov // Proceedings of SPIE. New Technigues and Analysis in Optical Measurements. – 1994. – Vol. 2340. – P. 428 – 435.

    23. Комплексные скоростные исследования лазерной плазмы / С.В.Васильев, Т.С. Глебович, А.Ю. Иванов, В.И. Недолугов //Материалы Всероссийской научной конференции по физике низкотемпературной плазмы, Петрозаводск, 1 – 7 июля 2001 г. – Петрозаводск. – Т. 2. – С. 33 – 36.

    24. Иванов, А.Ю. Скоростная голографическая киносъемка быстропротекающих процессов в различных средах / А.Ю.Иванов, Л.Я.Минько, В.И.Недолугов // Материалы международной конференции «Физика плазмы и плазменные технологии», Минск, 15 – 19 сентября 1997 г. – Минск. – 1997. – Т. 2. – С. 418 – 420.

    25. Васильев, С.В. Комплексные высокоскоростные исследования лазерной плазмы / С.В.Васильев, А.Ю.Иванов, В.И.Недолугов //Proceeding of the V Symposium of Belarus, Serbia and Montenegro on Physics and Diagnostics of Laboratory and Astrophysical Plasma, Minsk, September 20 – 23, 2004. – Minsk. – 2004. – P. 163 – 166.

    26. Островский Ю.И. Голографическая интерферометрия / Ю.И.Островский, М.М.Бутусов, Г.В.Островская. – М.: Наука, 1997. – 339 с.

    27. Карягин С.Н., Кашкарев П.К., Константинова Е.А., Тимошенко

    В.Ю. Поверхность: физика, химия, механика, № 3, 77 (1994).

    28. Гуреев Д.М. Физ. и хим. обраб. матер., № 1, 27 (1994).

    29. Бушуев В.А., Петраков А.П. ФТТ, 35, 355 (1993).

    30. Волков В.П., Скиба П.А., Хомченко А.В. ЖТФ, 63, 53 (1993).

    31. Ашмарин И.И. и др. Квантовая электроника, 6, 1730 (1979).


    1   2   3


    написать администратору сайта