тиристоры. Сабак Урок 4 КуніДата Преподаватель Барашева О. В. Группа эс16, мэ16 Таырыбы Тема Тиристоры Сабаты трі Тип урока комбинированный Цель урок
 Скачать 79 Kb.
|
|
Разработка урока по Электротехнике с основами электроники Сабак: Урок: № 4 Куні:/Дата: Преподаватель: Барашева О.В. Группа: ЭС-16, МЭ-16 Тақырыбы:/ Тема: Тиристоры Сабақтың түрі:/ Тип урока: комбинированный Цель урок: сформировать у обучающихся представление об устройстве и принципе действия тиристора. Оқыту мен тәрбиелеудің міндеттері: Учебно воспитательные задачи: 1.Білімдігі –Образовательные - создать условия для усвоения нового учебного материала, используя проблемное обучение;
2.Дамытушылық -Развивающие – развивать творческую и мыслительную деятельность обучающихся на уроке, интеллектуальные качества личности обучающегося такие, как самостоятельность, способность к оценочным действиям, обобщению, быстрому переключению; способствовать формированию навыков самостоятельной работы; формировать умения чётко и ясно излагать свои мысли. 3. Тәрбиелік – Воспитательные :Воспитательные - прививать культуру умственного труда, прививать обучающимся интерес к предмету с помощью применения информационных технологий( с использованием компьютера). Қурал – жабдықтар, кернекі құралдар: Оборудование, наглядные пособия:Мультимедийная система. Презентация «Тиристоры» Пәнаралық байланыс:/Межпредметные связи: физика, электротехника Сабақ барысы:/ Ход урока
Объявление темы урока. Постановка целей.
Транзисторами называют полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний. Различают два вида транзисторов: биполярные и полевые. Схематическое устройство и условное графическое обозначение на схемах транзисторов n-p-n (а) и p-n-p (б) Рис. 1 Схематическое устройство и условное графическое обозначение на схемах транзисторов n-p-n (а) и p-n-p (б)  Основой биполярного транзистора (рис. 1) служит небольшая пластинка германия или кремния, обладающая электронной или дырочной электропроводимостью, то есть n-типа или p-типа. На поверхности обеих сторон пластинки наплавляют шарики примесных элементов. При нагревании до строго определенной температуры происходи диффузия (проникновение) примесных элементов в толщу пластинки полупроводника. В результате в толще пластинки возникают две области, противоположные ей по электропроводимости. Пластинка германия или кремния p-типа и созданные в ней области n-типа образуют транзистор структуры n-p-n (рис. 1,а), а пластинка n-типа и созданные в ней области p-типа — транзистор структуры p-n-p (рис. 1,б). Независимо от структуры транзистора его пластинку исходного полупроводника называют базой (Б), противоположную ей по электропроводимости область меньшего объема — эмиттером (Э), а другую такую же область большего объема — коллектором (К). Эти три электрода образуют два p-n перехода: между базой и коллектором — коллекторный, а между базой и эмиттером — эмиттерный. Каждый из них по своим электрическим свойствам аналогичен p-n переходам полупроводниковых диодов и открывается при таких же прямых напряжениях на них. Условные графические обозначения транзисторов разных структур отличаются лишь тем, что стрелка, символизирующая эмиттер и направление тока через эмиттерный переход, у транзистора структуры p-n-p обращена к базе, а у транзистора n-p-n — от базы. Транзисторы бывают двух типов: p-n-p-транзистора и n-p-n-транзистора . В транзисторе p-n-p-типа в эмиттере и коллекторе дырок существенно больше, чем электронов, а в базе больше электронов; в транзисторе n-p-n-типа в эмиттере и коллекторе электронов больше, чем дырок, а в базе больше электронов. работу транзистора, делаем вывод, что с помощью транзистора можно усиливать электрические сигналы. Поэтому транзистор стал основным элементом многих полупроводниковых приборов. Применение полупроводников Зависимость электропроводности полупроводников от температуры дает возможность применять их в термісторах. Термистор — полупроводниковый терморезистор, электрическое сопротивление которого существенно изменяется при повышении температуры. Термисторы применяют как термометры для измерения температуры.
Тири́стор — полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с тремя или более p-n-переходами и имеющий два устойчивых состояния: закрытое состояние, то есть состояние низкой проводимости, и открытое состояние, то есть состояние высокой проводимости. Тиристор можно рассматривать как электронный выключатель (ключ). Основное применение тиристоров — управление мощной нагрузкой с помощью слабых сигналов, а также переключающие устройства. Существуют различные виды тиристоров, которые подразделяются, главным образом, по способу управления и по проводимости. Различие по проводимости означает, что бывают тиристоры, проводящие ток в одном направлении (например тринистор, изображённый на рисунке) и в двух направлениях (например, симисторы, симметричные динисторы). Тиристор имеет нелинейную вольтамперную характеристику (ВАХ) с участком отрицательного дифференциального сопротивления. По сравнению, например, с транзисторными ключами, управление тиристором имеет некоторые особенности. Переход тиристора из одного состояния в другое в электрической цепи происходит скачком (лавинообразно) и осуществляется внешним воздействием на прибор: либо напряжением (током), либо светом (для фототиристора). После перехода тиристора в открытое состояние он остаётся в этом состоянии даже после прекращения управляющего сигнала, если протекающий через тиристор ток превышает некоторую величину, называемую током удержания. Вольтамперная характеристика тиристора  Рис. 2. Вольтамперная характеристика тиристора Типичная ВАХ тиристора, проводящего в одном направлении (с управляющими электродами или без них), приведена на рис 2. Она имеет несколько участков:
Вольтамперная характеристика симметричных тиристоров отличается от приведённой на рис. 2 тем, что кривая в третьей четверти графика повторяет участки 0—3 симметрично относительно начала координат. По типу нелинейности ВАХ тиристор относят к S-приборам. Характеристики тиристоров Современные тиристоры изготовляют на токи от 1 мА до 10 кА; на напряжения от нескольких В до нескольких кВ; скорость нарастания в них прямого тока достигает 109 А/с, напряжения — 109 В/с, время включения составляет величины от нескольких десятых долей до нескольких десятков мкс, время выключения — от нескольких единиц до нескольких сотен мкс; КПД достигает 99 %. Применение
V. Закрепление изученного материала ЧТО МЫ УЗНАЛИ НА УРОКЕ • Тиристоры это 6. Үй жұмысы:/ Дом. Задание: конспект урока |