Самостоятельно, с указанием использованной литературы. Рекомендуется пояснять ответ рисунками, схемами, графиками и формулами. Вариант задания соответствует последней цифре номера студенческого билета для гр. Эп
 Скачать 28.12 Kb.
|
|
Задание на РГР РГР состоит из пяти теоретических вопросов (табл.1) и задачи (табл. 2). Перед выполнением контрольной работы необходимо изучить соответствующие разделы курса. Ответы на вопросы должны быть ясными и сформулированными самостоятельно, с указанием использованной литературы. Рекомендуется пояснять ответ рисунками, схемами, графиками и формулами. Вариант задания соответствует последней цифре номера студенческого билета (для гр. ЭП – варианты в соответствии с последней цифрой студенческого, для гр. ЭС – Число 10+последняя цифра студенческого, т.е последней цифре 1 в студенческом соответствует 11 вариант задания, цифре 2- 12 и т.д.) Таблица 1
1.Как возникает проводимость химически чистых полупроводников. Как она изменяется при изменении температуры? Процессы генерации и рекомбинации. 2.Для чего вносят примеси в химически чистые полупроводники? 3.При введении какой примеси и как получают полупроводники p-типа Какие носители являются основными. 4. При введении какой примеси и как получают полупроводники n-типа? Какие носители являются основными. 5. Дрейф и диффузия носителей заряда в полупроводниках. 6. Физические основы образования электронно-дырочного перехода. Симметричные и несимметричные p-n-переходы. 7. Физические процессы в p-n-переходе при приложении прямого напряжения.Что такое инжекция неосновных носителей заряда? 8. Физические процессы в p-n-переходе при приложении обратного напряжения.Что такое экстракция неосновных носителей заряда? 9. Теоретическая ВАХ p-n-перехода. Влияние температуры на ВАХ перехода. Выпрямительный диод, его параметры. 10.Емкости p-n-перехода, их вольт-фарадные характеристики. Варикап. 11. Что называется пробоем перехода? Перечислить виды пробоя. Стабилитрон, его ВАХ и параметры. 12. Лавинный, туннельный и тепловой пробои. Условия возникновения, физические процессы, влияние температуры на пробивное напряжение. Структура и принцип действия биполярного бездрейфого транзистора. Нарисовать схемы включения транзистора с ОБ, ОЭ и ОК для структур p-n-p и n-p-n. Указать полярность напряжений и направления токов при работе транзистора в активном режиме. Из каких компонент состоят токи через эмиттерный и коллекторный переходы транзистора? Режимы работы биполярного транзистора. Нарисовать и объяснить входные и выходные характеристики транзистора для схемы ОБ. Нарисовать и объяснить входные и выходные характеристики транзистора для схем ОЭ. Показать на входных и выходных характеристиках области, соответствующие режимам: активному, отсечки и насыщения. Изобразить схемы включения биполярных транзисторов. Какими свойствами они отличаются? Объяснить влияние температуры на входные характеристики биполярного транзистора в схемах включения с ОБ и ОЭ. Объяснить влияние температуры на выходные характеристики биполярного транзистора в схемах включения с ОБ и ОЭ. Привести систему Н-параметров транзистора, указать физический смысл каждого параметра и показать их определение по характеристикам. Назвать основные типы биполярных транзисторов (с точки зрения мощностей и частот). Какие существуют виды полевых транзисторов и чем отличается их устройство? 26. Объяснить принцип действия полевых транзисторов с p-n переходом 27. Приведите эквивалентную схему полевого транзистора с управляющим переходом и объясните физический смысл входящих в нее элементов 28. Объяснить принцип действия полевых МДП транзисторов с индуцированным каналом. 29. Объяснить принцип действия полевых МДП транзисторов со встроенным каналом. 30. Изобразить и объяснить вид передаточных и выходных характеристик полевых транзисторов с p-n переходом 31.Изобразить и объяснить вид передаточных и выходных характеристик полевых МДП транзисторов с индуцированным каналом. 32. Изобразить и объяснить вид передаточных и выходных характеристик полевых МДП транзисторов со встроенным каналом.. 33. Какие параметры характеризуют основные свойства полевых транзисторов? Как они определяются по статическим характеристикам? 34. Пояснить влияние температуры на работу ПТ, его статические характеристики и параметры. Нарисовать схемы включения полевых транзисторов с каналом типа «p» и «n». Указать полярность напряжений и направления токов. Что такое тиристор,? Какие разновидности тиристоров существуют? Изобразите их структуры. Объясните принцип действия динистора. Приведите ВАХ динистора, опишите её. Нарисуйте структуру и схему включения тиристора. Почему нельзя включать тиристор без нагрузки в анодной цепи? Принцип действия тринистора. Объяснить назначение управляющего электрода. Влияние температуры на работу тиристора. Изобразите семейство ВАХ тринистора и объясните вид характеристики. Как ток управления влияет на напряжение включения. Какова структура, принцип действия и ВАХ симметричных тиристоров? Какими способами можно перевести тиристор из открытого состояния в закрытое и из закрытого состояния открытое. Почему коллекторный переход тиристора оказывается смещенным в прямом направлении при переключении тиристора из закрытого состояния в открытое? Фотопроводимость полупроводников. Фотоэффект в p-n переходе. Принцип действия фоторезистора. Объясните вид характеристик фоторезистора. Приведите параметры фоторезистора. Работа фотодиода в фотогальваническом режиме. Объясните его характеристики. Работа фотодиода в фотодиодном режиме. Объясните его характеристики. Принцип действия фототранзистора. Нарисовать и объяснить его характеристики. Принцип действия фототиристора. Нарисовать и объяснить его характеристики. Принцип действия СИД. Изобразите и объясните характеристики СИД. Оптроны: виды оптронов, принцип действия, достоинства, недостатки. Характеристики и параметры оптронов. Оптический канал оптрона: назначение, виды, требования, параметры. ЗАДАЧА по таблице 2 1. Дать характеристику диода. 2. Выписать из справочника основные параметры: Uпр = _______________ при Iпрmax = _______ I обр = _______________ при Uобр. max = _______ Рср = __________ t max = _________ 3. Построить (на миллиметровке) вольт-амперную характеристику (ВАХ) диода для температуры t=25 ˚C для заданного диода. При построении ВАХ прямые и обратные ветви характеристик расположить в одной системе координат. 4. По вольт-амперной характеристике определить сопротивление прямому току (Rпр) при напряжении Uпр на линейном участке ВАХ и сопротивление обратному току (Rобр) при обратном напряжении. 5. Дифференциальные сопротивления (rдиф) и крутизну (S) прямой ветви ВАХ для напряжения Uпр. При построении ВАХ перехода по формуле  видно, что при прямых напряжениях, больших нуля, характеристика идет настолько круто, что получить нужный ток, задавая напряжение, невозможно, поэтому для идеального p-n-перехода характерен режим заданного прямого тока, а не напряжения Таблица 2
|