ИДЗ 5 по физическим основам микро- и наноэлектроники Термическое вакуумное напыление. Санктпетербургский государственный электротехнический университет лэти им. В. И. Ульянова
 Скачать 45.2 Kb.
|
|
МИНОБРНАУКИ РОССИИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ «ЛЭТИ» ИМ. В.И. УЛЬЯНОВА (ЛЕНИНА) Кафедра Микрорадиоэлектроники и технологии радиоаппаратуры (МИТ) ИДЗ 5 по физическим основам микро- и наноэлектроники Термическое вакуумное напыление Вариант 12
Санкт-Петербург 2022 Испарение вещества происходит не равномерно во всех направлениях, а преимущественно в направлениях, близких к нормали к испаряемой поверхности (кратчайшее расстояние от испарителя до подложки). При этом масса испаряемого вещества, приходящегося на единицу поверхности подложки, зависит от расстояния от центра подложки вследствие чисто геометрических соображений. Тогда зависимость толщины напыляемой пленки d от расстояния от центра подложки L, расположенного на расстоянии h от подложки, будет определяться как: для испарителя малой площади: Для точечного испарителя:     Отношение толщины пленки в центре подложки d0 к толщине пленки d на удалении L от центра:  д ля испарителя с малой площадью: для точечного испарителя:   Вывод: Исходя из информации с графиков можно сказать, что, с целью получения более тонкой пленки, напыление через точечный распылитель выгоднее так как и толщина пленки в среднем меньше, чем у испарителя с малой площадью, и разность от центра к краю меньше, т.е. более равномерное напыление. |